【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于聚合物基纳米复合材料及其制备的
,特别涉及具有高介电性能的。
技术介绍
高介电常数高分子复合材料是将具有高 介电常数或者导电的高分子填料分散到一种电致伸缩聚合物基体中,在保持基体柔性的基础上同时具有较高的介电常数。这种聚合物基复合材料在较低的电场下可以实现较高的应变量,大大地增加了聚合物材料的介电常数,克服了对外加电场的过分依赖。介电常数代表了电介质的极化程度,也是对电介质的介电性能的描述。伴随现代科技信息技术的飞速发展、日新月异,要求电子器件具有体积小、损耗低等优点,因此对电子材料的介电性能提出了越来越高的要求,希望能得到具有高介电常数、低损耗、易加工等综合性能优越的新型电子材料。要提高一种材料的储能密度,在保证所加电场低于材料的击穿电场的条件下,势必要通过提高材料的有效介电常数。伴随集成电路(IntegatedCircuit,简称IC)技术的飞快发展,需要把无源器件埋藏到有机线路板内部,以节省外部空间。电容器在无源器件中占有大于60%的比例,而嵌入式电容器必然成为IC技术发展的制约因素。IC技术一般采用有机聚合物为基板,所以要求具有较低的加工温度。单一的介电陶瓷材料虽然具有较高的介电常数,但是其需要较高的加工温度(一般超过1000°C ),与IC加工技术所需低温加工不相容等弊端限制了其在嵌入式电容器中的应用,而且材料的机械性能差柔韧性不好。单一的聚合物材料虽然具有加工温度低、柔韧性较好等优点,但是其介电常数较低,一般低于10,也不能满足电容器对介电常数的要求。而目前采用有机聚合物为基板的技术,其最大的限制是多层结构要求很低的加工温 ...
【技术保护点】
一种聚芳醚酮基氨基取代金属酞菁?纳米石墨复合材料,其特征在于,由磺化聚芳醚酮和氨基取代金属酞菁?纳米石墨组成,按质量分数和为100%计算,氨基取代金属酞菁占0~20%,纳米石墨占2%~36%,磺化聚芳醚酮占60%~98%。
【技术特征摘要】
1.一种聚芳醚酮基氨基取代金属酞菁-纳米石墨复合材料,其特征在于,由磺化聚芳醚酮和氨基取代金属酞菁-纳米石墨组成,按质量分数和为100%计算,氨基取代金属酞菁占O 20%,纳米石墨占2% 36%,磺化聚芳醚酮占60% 98%。2.按照权利要求I所述的聚芳醚酮基氨基取代金属酞菁-纳米石墨复合材料,其特征在于,所述的纳米石墨片,是使用羧酸处理进行了修饰的纳米石墨片。3.按照权利要求I所述的聚芳醚酮基氨基取代金属酞菁-纳米石墨复合材料,其特征在于,所述的氨基取代金属酞菁-纳米石墨,结构为纳米石墨表面夹层包裹氨基金属酞菁;按质量计氨基取代金属酞菁纳米石墨为I 2 3。4.按照权利要求I所述的聚芳醚酮基氨基取代金属酞菁-纳米石墨复合材料,其特征在于,所述的磺化聚芳醚酮,其结构式如下所示5.一种权利要求I的聚芳醚酮基氨基取代金属酞菁-纳米石墨复合材料的制备方法,是以磺化聚芳醚酮为基体原料,以氨基取代金属酞菁-纳米石墨为改性填充材料,将改性填充材料在超声作用下均匀分散在...
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