LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片，所述的LED?芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。配合蓝宝石基底的解理面分布性质制造出的LED?芯片为正三角形，而且无论是小芯片的图形电极设计还是大芯片图形电极设计，电极都平行于LED芯片的侧边。对LED芯片切割、崩裂分离时对LED?芯片的伤害较小，LED芯片各区域电流密度分布较均匀，拥有更好的电流扩展效率。本实用新型专利技术解决了现有技术的缺点，提供了一种电流扩展均匀、制程良率好的LED芯片。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED芯片。
技术介绍
发光二极管(LED)是利用半导体材料中的电子与空穴结合时能量带位阶的改变， 以发光形式，释放出能量。目前在市场上应用的发光二极管所发出的光为红、绿、蓝及白光等多种。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、耗电量低、反应速率快、耐震性佳等优点，可应用在银行汇率看板、汽车第三煞车灯、交通标志、户外信息看板与日常照明等各种应用领域中。现有的发光二极管(LED)主要由二极管芯片、引出电极和透明封装外壳构成。由于其具备寿命长、体积小、发热量低、耗电量少、反应速度快、无辐射及单色性发光的特性及优点，被广泛应用于各项产品中。但是现有的发光二极管芯片只能发出单一颜色的光，例如白色发光二极管芯片只能发出白色的光，蓝色的发光二极管只能发出蓝色的光。现有的发光二极管芯片包括一长晶层一 η型缓冲层，形成于长晶层上；一 η型接触层，形成于η型缓冲层上；一 η型限制层，形成于η型接触层上；一氮化镓发光第一层，形成于η型接触层上；一氮化镓发光第二层，形成于氮化镓发光第一层一 ρ型限制层，形成于氮化镓发光第二层上；一 P型接触层，形成于P型限制层上；一 P型电极，形成于P型接触层上；一 η型电极，形成于η型限制层上。现有技术中，芯片一般是以正方形切割，由于边缘有一边是不平行于解理面，切割时容易产生边角缺失或是边缘毛糙等情况，从而大大浪费了原材料，同时也无法从单位面积的外延片上分出更多优质的LED芯片，成本上造成了浪费。而且GaN基的发光二极管其外形设计不利于电流的有效扩展的芯片电极设计离电极较远部分区域，电流密度小，整个芯片电流分布不均，进而会影响到发光效率。并且由于材料结构容易引起分割、崩裂芯片过程中产生破边面影响产品的良率。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的不足，本技术要解决的技术问题在于提供一种电流扩展均勻、制程良率好的LED芯片。为了解决本技术的技术问题，本技术提供了一种LED芯片，所述的LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。本专利技术进一步改进在于，所述的发光二极管基底的材质为蓝宝石。本专利技术进一步改进在于，所述的LED芯片的其中一边垂直于发光二极管基底的平边。本专利技术进一步改进在于，所述的LED芯片的横截面形状为三角形。本专利技术进一步改进在于，所述的LED芯片各个侧边之间的夹角为60°。本专利技术进一步改进在于，N型电极线平行于芯片侧边。本专利技术进一步改进在于，P型电极线平行于芯片侧边。由于采用了以上技术方案，LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行，对LED芯片切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害较小，防止出现边角缺失和边角粗糙的情况。无论是小芯片的图形电极设计还是大芯片图形电极设计，对芯片切割、崩裂分离时对芯片的伤害较小，芯片各区域电流密度分布较均勻，拥有更好的电流扩展效率。附图说明附图1为本专利技术实施例中解理面的分布示意图；附图2为本专利技术实施例中设置了电极的LED芯片结构一的结构示意图；附图3为本专利技术实施例中设置了电极的LED芯片结构二的结构示意图。具体实施方式下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。本专利技术的实施例是一种LED芯片，LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些在解理中出现的平面称为解理面。LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行，对LED芯片切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害较小，防止出现边角缺失和边角粗糙的情况。参见附图1，本实施例中，发光二极管基底的材质为蓝宝石、蓝宝石材质的解理面共有三个方向，第一个方向为垂直于蓝宝石的平边，也是垂直于蓝宝石晶胞之M面；第二个方向的解理面与第一个方向的解理面沿顺时针成60°角，第三个方向的解理面与第一个方向的解理面沿逆时针成60°角。为了保证LED芯片的各个边缘和蓝宝石基板的解理面都平行，首先将LED芯片的其中一边垂直于发光二极管基底的平边，LED芯片其余各个侧边之间与第一条边设置为夹角为60°角，即LED芯片的横截面形状为正三角形。需要特别提及的是，现在大部分LED芯片都是使用蓝宝石为基底，所以本实施例中配合蓝宝石基底的解理面分布制造出的LED芯片是正三角形，如果使用其他材料作为发光二极管基底，那为了配合各种材料的解理面的分布而制造出来的LED芯片不一定是三角形，LED芯片的形状不限定本技术的保护范围。为了减小切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害，本实施例中N型电极线平行于LED 芯片侧边，P型电极线也平行于LED芯片侧边。参见附图2和附图3，两种设置有N型电极线和P型电极线LED芯片的实施例，每个实施例中，N型电极线平行于LED芯片侧边，P型电极线也平行于LED芯片侧边。无论是LED小芯片的图形电极设计还是LED大芯片图形电极设计，对LED芯片切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害较小，并且避免了部分区域离电极距离过远，使LED芯片各区域电流密度分布较均勻，拥有更好的电流扩展效率。通过上述实施方式，不难看出本技术是一种电流扩展均勻、制程良率好的LED 心片。以上实施方式只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本技术的内容并加以实施，并不能以此限制本技术的保护范围，凡根据本技术精神实质所做的等效变化或修饰均涵盖在本技术的保护范围内。权利要求1.一种LED芯片，其特征在于所述的LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于所述的发光二极管基底的材质为蓝宝石。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于所述的LED芯片的其中一边垂直于发光二极管基底的平边。4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于所述的LED芯片的横截面形状为三角形。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于所述的LED芯片各个侧边之间的夹角为60°。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于N型电极线平行于芯片侧边。7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于P型电极线平行于芯片侧边。专利摘要本技术公开了一种LED芯片，所述的LED 芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。配合蓝宝石基底的解理面分布性质制造出的LED 芯片为正三角形，而且无论是小芯片的图形电极设计还是大芯片图形电极设计，电极都平行于LED芯片的侧边。对LED芯片切割、崩裂分离时对LED 芯片的伤害较小，LED芯片各区域电流密度分布较均匀，拥有更好的电流扩展效率。本技术解决了现有技术的缺点，提供了一种电流扩展均匀、制程良率好的LED芯片。文档编号H01L33/16GK202134570SQ20112004705公开日2012年2月1日 申请日期2011年2月25日 优先权日2011年2月25日专利技术者刘慰华 申请人:聚灿光电科技(苏州)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＬＥＤ芯片，其特征在于：所述的ＬＥＤ芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慰华，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32