负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法技术

本发明专利技术提供负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法。负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和有机溶剂。该负型光刻胶组合物改善稳定性、感光度、在进行显影操作后的可分离性，并减少残留物以改善有机绝缘层的可靠性。此外，负型光刻胶组合物改善有机绝缘层的透射率并减小色坐标的变化以改善显示装置的显示质量。

【技术实现步骤摘要】

板的方法。更具体而言，本专利技术涉及可用于液晶显示(LCD)装置的有机绝 缘层的负型光刻胶组合物和使用该负型光刻胶组合物制造阵列基板的方法。
技术介绍
常规的LCD装置包括具有薄膜晶体管(TFT)的阵列基板，其为操作 LCD装置显示面板的像素的开关元件。TFT通过钝化层保护。有机绝缘层形 成于钝化层上以使基板平坦化，由此改善电阻-电容(RC)延迟和开口率。用于有机绝缘层的组合物包括正型光刻胶组合物和负型光刻胶组合物。 正型光刻胶组合物包含作为光敏剂的1，2-醌重氮(l,2-quinone diazide)化合 物。然而，在形成有机绝缘层时，1,2-醌重氮化合物被加热，使得1,2-醌重 氮化合物为红色。因而，像素对于可见光的透光率减小。负型光刻胶组合物不像正型光刻胶组合物那样变色，并且与正型光刻胶 组合物相比，其具有高的感光度。然而，在进行了曝光操作后，在显影操作 中，显影溶液容易导致负型光刻胶组合物中的溶胀。因而，分辨率以及有机 绝缘层与基板之间的粘附力降低。为了解决负型光刻胶组合物的问题，对于 显影溶液的有机绝缘层的溶解性和亲和力已被减小。然而，减小对于显影溶液的有机绝缘层的溶解性和亲和力可导致问题， 例如，可分离性可降低，并且可形成残留物。因而，可降低LCD装置的显 示质量。具体实施例方式本专利技术已努力解决上述问题，并且本专利技术的各方面提供能够改善感光度在示例性实施方式中，本专利技术提供负型光刻胶组合物，其包括包含含 有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包5含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂。根据示例性实施方式，该热固性组合物进一步包含热交联剂。根据示例性实施方式，该光聚合引发剂响应具有约300nm~约450nm的 波长的光产生自由基(radical)。在另一示例性实施方式中，本专利技术提供制造阵列基板的方法，该方法包 括在基础基板上形成包括栅极线和栅电极的栅极图案；在具有该栅极图案 的该基础基板上形成源极图案，该源极图案包括数据线、源电极、和与该源 电极间隔开的漏电极；通过涂覆负型光刻胶组合物在具有该源极图案的该基 础基板上形成有机绝缘层，该负型光刻胶组合物包括包含含有乙烯不饱和 键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联 的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂；和在该有机绝缘层上形成像素 电极，该像素电极电连接到该漏电极。根据示例性实施方式，形成该有机绝缘层包括将涂覆在该基础基板上的 该负型光刻胶组合物曝光，并将该负型光刻胶组合物显影。根据示例性实施方式，该光包括约300nm ~约450nm的波长。根据示例性实施方式，形成该有机绝缘层进一步包括在将该负型光刻胶 组合物显影后加热该负型光刻胶组合物。根据示例性实施方式，加热该负型光刻胶组合物在约200。C 约300。C 的温度下进行。根据示例性实施方式，该有机绝缘层包含对应于该漏电极末端的开口 。根据示例性实施方式，该方法进一步包括在该源极图案与该有机绝缘层 之间形成钝化层；和通过使用该具有开口的有机绝缘层作为蚀刻掩模去除该钝化层的一部 分以使该源电极暴露。根据上述示例性实施方式，根据本专利技术示例性实施方式的负型光刻胶组 合物改善稳定性、感光度、分辨率、图案粘附力和可分离性，并且能够形成 具有所需形状的图案。此外，该负型光刻胶组合物减少残留物以改善有机绝缘层的可靠性。此外，该负型光刻胶组合物的改善的感光度减少曝光过程所需的时间以 改善制造效率。此外，该负型光刻胶组合物改善有机绝缘层的透射率并减小色坐标的变化以改善显示装置的显示质量。 附图说明当结合附图考虑时，从以下详细描述，本专利技术的上述和/或其它方面、特征和优点将变得更加明晰，在附图中图1是说明根据本专利技术制造阵列基板的方法的形成栅极图案的操作的示 例性实施方式的横截面图。图2是说明根据本专利技术制造阵列基板的方法的形成栅极绝缘层和沟道图 案的操作的示例性实施方式的横截面图。图3是说明根据本专利技术制造阵列基板的方法的形成源极图案的操作的示 例性实施方式的横截面图。示例性实施方式的橫截面图。的横截面图。图6是说明根据本专利技术制造阵列基板的方法的形成像素电极的操作的示 例性实施方式的横截面图。具体实施例方式在下文中参照其中示出了本专利技术的示例性实施方式的附图更全面地描 述本专利技术。然而，本专利技术可以许多不同的形式体现，并且不应解释为限于本 文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得该公开内容彻底且 完整，并将本专利技术的范围全面地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清 楚起见，可能放大了层及区域的尺寸和相对尺寸。应理解，当一元件或层被称为在另一元件或层上、与另一元件 或层连接或结合时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、与所 述另一元件或层连接或结合，或者可存在中间元件或层。相反，当一元件被 称为直接在另一元件或层上、与另一元件或层直接连接或直 接结合时，则不存在中间元件或层。相同的标记始终是指相同的元件。本 文中所使用的术语和/或包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组 合。应理解，尽管术语第一、第二、第三等可用在本文中描述不同的元件、 组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被 这些术语所限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或部分区别 于另一区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部 分可称为第二元件、组分、区域、层或部分，而不背离本专利技术的教导。为了便于说明，在本文中可使用空间相对术语如在......之下、在......下面、下部、在......之上、上部等来说明如图所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。应理解，除图中所示的方位以外，空间相对 术语还意图包括在使用中或工作中的设备的不同方位。例如，如果翻转图中 的设备，则被描述为在其它元件或特征下面或之下的元件将被 定向在其它元件或特征的上方。因此，示例性术语在......下面可包括在......之上和在......下面两种方位。设备可以其它方式定向(旋转90度或在其它取向上)，并且相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。本文中所用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而非意图限制本发 明。除非上下文清楚地另作说明，本文中所使用的单数形式的一个(种) 和所述也意图包括复数形式。还应理解，当用在本说明书中时，术语包含和/或包括规定存在所述特征、整体(integer)、步骤、操作、元件和/ 或组分，但不排除存在或添加一种或多种其它的特征、整体、步骤、操作、 元件、组分和/或它们的组。在此参考横截面图描述本专利技术的实施方式，所述横截面图为本专利技术的理 想化的实施方式(以及中间结构)的示意图。如此，预期由于例如制造技术和/ 或公差而引起与这些图的形状的偏离。因而，本专利技术的实施方式不应解释为 限于在此所图示的区域的具体形状，而是包括由例如制造所造成的形状上的 偏差。例如，图示为矩形的植入(implanted)区域通常具有圓形或曲线特征和/ 或具有在其边缘处的植入浓度梯度而不是从植入区域到非植入区域的二元 变化。同样，由植入形成的掩埋区可导致在介于掩埋区和穿过其发生植入的 表面之间的区域中的一些植入。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
负型光刻胶组合物，包括：　包含具有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；　包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和　有机溶剂。

【技术特征摘要】
KR 2008-1-4 1246/081. 负型光刻胶组合物，包括包含具有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和有机溶剂。2. 权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述乙烯不饱和化合物包含至 少两个(曱基)丙烯酸酯基团。3. 权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂包括由选自 包括(曱基)丙烯酸、对羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、邻羟基苯乙烯和(曱基) 丙烯酸2-羟乙酯的組的至少一种和选自包括苯乙烯、含有烷基的烷基(曱基) 丙烯酸酯、含有羟基的烷基(曱基)丙烯酸酯、含有环氧基团的烷基(曱基)丙 烯酸酯、含有芳基的烷基(曱基)丙烯酸酯、含有氨基的烷基(曱基)丙烯酸酯 的组的至少一种聚合的共聚物。4. 权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂包括由下式表 示的化合物，其中R16、 Rn和R,8独立地表示氢原子或具有1 4个碳原子的 烷基(其中a、 b和c独立地表示1 ~ 99,并且a、 b和c的总和为100)，<formula>formula see original document page 2</formula>5.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂包括由下式表 示的化合物，其中R19、 R加、R21、 1122和1123独立地表示氬原子或具有1 ~4 个碳原子的烷基(其中p、 q、 r、 s和t独立地表示1 ~99，并且p、 q、 r、 s和t的总和为100)，,CH、 CH2 C^H^ C4H9 I OH 。6. 权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂具有约5,000 ~ 约50,000的重均分子量。7. 权利要求1的负型光刻胶组合物，其中基于所述负型光刻胶组合物， 所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔世振，龟山泰弘，姜勋，金载星，金宗铁，李羲国，瑞穗右二，郑壤镐，
申请(专利权)人：高科技实美化学株式公社，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]