【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长装置，具体涉及一种晶体生长装置。
技术介绍
1、当培养晶体时，将用于生长晶体的原料填充至坩埚内，将电感线圈接通电源，使得坩埚加热，此时下保温筒对坩埚具备保温作用，下保温筒向上保温筒传递热量，坩埚也会直接向上辐射热量，使得上保温筒内也具备一定的温度，坩埚内的原料受热融化成熔体，通过旋转升降机构控制籽晶下降至熔体内，然后，通过旋转升降机构慢慢向上提拉籽晶，此时在籽晶上开始生长晶体，使得晶体位于上保温筒内，经过检索，现有技术（申请号：cn201910859971.4）,文中记载了“一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；加热器导流罩，配置为将所述加热器的顶部和侧面包围；导气孔，所述导气孔设置于所述加热器的上方的所述加热器导流罩上，以连通晶体生长装置的顶部空间与所述加热器的周围空间。根据本专利技术提供的晶体生长装置，通过在加热器的上方的加热器导流罩上设置导气孔以连通晶体生长装置的顶部空间与加热器的周围空间，使加热器一直处于流动的保护气体的气氛中，避免了sio蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。”
2、但是现有技术中的晶体生长装置虽然实现了对氧化硅蒸汽的处理，却仍然存在一些不足：该装置通过涉及的导流套筒和真空泵将氧化硅蒸汽直接抽出，导致对外界环境存在污染，其次，坩埚中的熔体在多次使用后体积减少，需要调节原料，而炉体内部温度较高，不便于打开炉体直接添加，且会造成热量的散失，导致重新加热会影响作业效率。p>
技术实现思路
1、为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种晶体生长装置，以解决现有技术中的晶体生长装置对氧化硅蒸汽的处理存在污染环境的缺陷，且不便于向炉体内部的坩埚直接添加原料的问题。
2、为实现上述目的，提供一种晶体生长装置，包括：炉体、进料装置、导向装置和处理机构，所述炉体内部设置有加热器和坩埚，且坩埚内部设有熔体，所述进料装置包括进料斗、竖直管和倾斜管，且竖直管上端连接在进料斗下端，倾斜管倾斜连接在竖直管下端，并且竖直管插接固定在炉体的炉壁中，所述导向装置位于炉体内部，且导向装置位于倾斜管下侧，所述处理机构包括连接在炉体底部的抽气管，且抽气管下端连接有真空泵，并且真空泵通过出气管连接吸收箱。
3、进一步的，所述炉体内壁设有保温层，且加热器位于保温层内侧，并且坩埚位于加热器内侧。
4、进一步的，所述坩埚下端连接有升降机构，且坩埚上侧设有反射板，并且反射板内侧设有籽晶体，籽晶体上端连接有提升机构。
5、进一步的，所述进料斗上端设有密封盖，且进料斗位于炉体外侧，并且进料斗通过竖直管和倾斜管连通。
6、进一步的，所述导向装置包括有连接板、侧板和底板，且连接板焊接在炉体的内壁，并且侧板焊接在底板前后侧，连接板焊接在侧板的一端。
7、进一步的，所述导向装置倾斜设置，且底板的低端连接在反射板的上端外侧，并且反射板外径小于坩埚。
8、进一步的，所述炉体底部开设有气孔，且抽气管连接在气孔外端，并且抽气管外壁连接有倾斜的旁开管。
9、进一步的，所述出气管连接在真空泵的出气端，且出气管插接在吸收箱内部，吸收箱上端设有出气口，并且吸收箱内部设有碱性溶液。
10、本技术的有益效果在于，利用进料装置所包括的密封盖、进料斗、竖直管和倾斜管，以及导向装置所包括的连接板、侧板和底板，便于在炉体加热保温状态下，将溶体的固体原料放入进料斗后，直接滑落到坩埚中，实现了便于添加原料的效果；利用处理机构所包括的抽气管、旁开管、真空泵、出气管和吸收箱，使得在溶体加热状态下，将溶体产生的热蒸汽抽吸到吸收箱中，通过吸收箱中的碱性溶液对溶体的蒸汽进行吸收中和，进而避免了直接排放到环境中造成污染。
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1.一种晶体生长装置，包括：炉体（1）、进料装置（2）、导向装置（3）和处理机构（4），所述炉体（1）内部设置有加热器（12）和坩埚（13），且坩埚（13）内部设有熔体（14），其特征在于：所述进料装置（2）包括进料斗（22）、竖直管（23）和倾斜管（24），且竖直管（23）上端连接在进料斗（22）下端，倾斜管（24）倾斜连接在竖直管（23）下端，并且竖直管（23）插接固定在炉体（1）的炉壁中，所述导向装置（3）位于炉体（1）内部，且导向装置（3）位于倾斜管（24）下侧，所述处理机构（4）包括连接在炉体（1）底部的抽气管（41），且抽气管（41）下端连接有真空泵（43），并且真空泵（43）通过出气管（44）连接吸收箱（45）。
2.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述炉体（1）内壁设有保温层（11），且加热器（12）位于保温层（11）内侧，并且坩埚（13）位于加热器（12）内侧。
3.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚（13）下端连接有升降机构（131），且坩埚（13）上侧设有反射板（15），并且反射板（15）内侧
4.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述进料斗（22）上端设有密封盖（21），且进料斗（22）位于炉体（1）外侧，并且进料斗（22）通过竖直管（23）和倾斜管（24）连通。
5.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述导向装置（3）包括有连接板（31）、侧板（32）和底板（33），且连接板（31）焊接在炉体（1）的内壁，并且侧板（32）焊接在底板（33）前后侧，连接板（31）焊接在侧板（32）的一端。
6.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述导向装置（3）倾斜设置，且底板（33）的低端连接在反射板（15）的上端外侧，并且反射板（15）外径小于坩埚（13）。
7.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述炉体（1）底部开设有气孔，且抽气管（41）连接在气孔外端，并且抽气管（41）外壁连接有倾斜的旁开管（42）。
8.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述出气管（44）连接在真空泵（43）的出气端，且出气管（44）插接在吸收箱（45）内部，吸收箱（45）上端设有出气口（46），并且吸收箱（45）内部设有碱性溶液。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，包括：炉体（1）、进料装置（2）、导向装置（3）和处理机构（4），所述炉体（1）内部设置有加热器（12）和坩埚（13），且坩埚（13）内部设有熔体（14），其特征在于：所述进料装置（2）包括进料斗（22）、竖直管（23）和倾斜管（24），且竖直管（23）上端连接在进料斗（22）下端，倾斜管（24）倾斜连接在竖直管（23）下端，并且竖直管（23）插接固定在炉体（1）的炉壁中，所述导向装置（3）位于炉体（1）内部，且导向装置（3）位于倾斜管（24）下侧，所述处理机构（4）包括连接在炉体（1）底部的抽气管（41），且抽气管（41）下端连接有真空泵（43），并且真空泵（43）通过出气管（44）连接吸收箱（45）。
2.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述炉体（1）内壁设有保温层（11），且加热器（12）位于保温层（11）内侧，并且坩埚（13）位于加热器（12）内侧。
3.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚（13）下端连接有升降机构（131），且坩埚（13）上侧设有反射板（15），并且反射板（15）内侧设有籽晶体（16），籽晶体（16）上端连接有提升机构（161）。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：扈静，汪穹宇，李建恒，芮祥新，严达，代明生，王磊，李丽君，
申请(专利权)人：合肥安德科铭半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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