一种CCTBA的制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种CCTBA的制备方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括以下步骤：在10～30℃、常压和氮气保护条件下，向装有八羰基二钴的管式反应器中连续泵入叔丁基乙炔进行反应；在连续泵入过程中，先于40～80℃收集反应产物CCTBA；再于‑20～36℃收集未反应的叔丁基乙炔，并将其泵入继续反应；直至八羰基二钴反应完全，此时反应结束。本发明专利技术无溶剂参与，资源有效利用，避免了溶剂残留，且节约了资源，符合绿色化学的要求，避免了长时间加热除溶剂造成的CCTBA的分解，有效提高了CCTBA的产率和纯度，制备得到的CCTBA可用于沉积含钴膜，从而广泛应用于半导体薄膜材料中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料制备，具体涉及一种cctba的制备方法及其应用。

技术介绍

1、(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴(cctba)，cas号：56792-69-9，是几种用于制造设备重要功能层的含钴cvd/ald薄膜前驱体之一。它是制备钴金属、氮化钴、钴硅化物等的重要前驱体，特别是对于钴阻挡层/衬层、共覆盖层和共晶种层的应用，具有优异的性能。钴膜具有高磁导率，含钴薄膜已被用作超大规模集成器件的cu/低k屏障、钝化层和封盖层，行业内正使用钴替代集成电路的布线和互连中的铜。在阻挡层和种子层的情况下，钴膜显示出后续种子形成和电镀步骤的高导电性。

2、文献org.lett.,vol.3,no.20,2001(intermolecular pauson-khand reactionsof cyclopropene:a general synthesis of cyclopentanones,marchueta et al,2001)中采用正己烷作为八羰基二钴的溶剂制备cctba，该法在少量合成时，反应产率较高(＞90％)，然而，八羰基二钴在烷烃本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CCTBA的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种CCTBA的制备方法，其特征在于，所述八羰基二钴和叔丁基乙炔的物质的量之比为1:1.2～3。

3.根据权利要求1所述的一种CCTBA的制备方法，其特征在于，所述叔丁基乙炔泵入的流量为1～20mL/min。

4.根据权利要求1所述的一种CCTBA的制备方法，其特征在于，所述反应产物CCTBA的收集温度为40～50℃。

5.根据权利要求1所述的一种CCTBA的制备方法，其特征在于，所述未反应的叔丁基乙炔的收集温度为0～20℃。

6.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种cctba的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种cctba的制备方法，其特征在于，所述八羰基二钴和叔丁基乙炔的物质的量之比为1:1.2～3。

3.根据权利要求1所述的一种cctba的制备方法，其特征在于，所述叔丁基乙炔泵入的流量为1～20ml/min。

4.根据权利要求1所述的一种cctba的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丽君，张学奇，朱思坤，李建恒，
申请(专利权)人：合肥安德科铭半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：