【技术实现步骤摘要】
本技术涉及用于一种高热流的射流冲击冷却装置。
技术介绍
1、随着科学技术的进步,具有更高性能的集成处理器的快速发展,导致电子器件的热流密度迅速增加。为了满足大数据时代对电子器件计算能力高、热稳定性好、适应性强和能耗低的要求,微槽道服务器及两相流集成封装冷却技术得到比较广泛的研究和应用。近年来,电子工业和半导体技术以及微组装能力的快速发展,高频化、高集成化以及小型化已经成为电子设备的发展方向,电子设备的热流密度已经达到并超过100w/cm2,如固体激光器晶体、电阻阵列、gan功率芯片等高热流密度器件。
2、由于现代电子器件的热流密度大幅增加,液体微通道冷却技术受到广泛关注,因其优点:冷却能力强、热稳定性好、适应性强等,可有效满足未来高热流密度器件的冷却需求。同时,在液体冷却技术的研发过程中,还要考虑降低成本和易于安装维护等,以更好地满足工业需求。
技术实现思路
1、一种高热流的射流冲击冷却装置,高热流是指热流密度已经达到并超过100w/cm2,其特征在于包括:
2、冷却基部,冷却基部内包括稳流室和射流室;
3、射流板,所述射流板耦接到所述冷却基部内测底部;
4、微槽道冲击面,所述微槽道冲击面耦接到该射流板;
5、稳流室和射流室由稳流室底座将冷却基部分隔而成;
6、射流喷嘴,所述射流喷嘴耦接到该稳流室底座;
7、顶盖,所述顶盖可耦接到冷却基部顶部;
8、入口连接,所述入口连接穿过顶盖与稳流室
9、出口连接,所述出口连接穿过顶盖和稳流室底座与射流室连接。
10、进一步,其中所述冷却基部为高热流密度模块,所述高热流密度模块包括至少一个高热流密度器件,所述高热流密度器件的正面背对所述稳流室、射流室、微槽道冲击面。
11、进一步,其中,微槽道冲击面定位在所述射流板上,以使流体流从所述稳流室射流冲击通过所述射流喷嘴并到达安装在耦接到所述冷却基部的高热流密度模块上的高热流密度器件。
12、进一步,其中,射流板形成入口连接,所述入口连接与所述稳流室流体连接;形成出口连接,所述出口连接与所述射流室流体连接;形成射流板,所述射流板被配置为耦接到所述冷却基部;以及在所述射流板上形成微槽道冲击面,并且所述微槽道冲击面具有微槽道表面。
13、本技术主体为一种高热流的射流冲击冷却组件,该射流冲击冷却组件包括冷却基部,冷却基部包括稳流室和射流室。稳流室可耦接到该射流室顶部,入口连接可与该稳流室流体连接,而出口连接可与该射流室流体连接。射流喷嘴可耦接到该稳流室,微槽道冲击面可耦接到该射流板。所述射流板被配置为被接纳在射流室内;以及微槽道冲击面,所述微槽道冲击面形成在所述射流板上,并具有形成大量微槽道表面,所述微槽道表面被配置为被接纳所述射流喷嘴喷出的流体。
14、一种高热流的射流冲击冷却组件的连接方法,包括:形成冷却基部,所述冷却基部包含射流室和耦接到该射流室顶部的稳流室和耦接到该稳流室的射流喷嘴;形成入口连接,所述入口连接与所述稳流室流体连接;形成出口连接,所述出口连接与所述射流室流体连接;形成射流板,所述射流板被配置为耦接到所述射流室;以及在所述射流板上形成微槽道冲击面,并且所述微槽道冲击面具有微槽道表面。
15、具体实施的细节在附图和描述中给出,其他特征可以从说明书、附图以及权利要求书中显而易见。
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1.一种高热流的射流冲击冷却装置,高热流是指热流密度已经达到并超过100W/cm2,其特征在于包括:
2.根据权利要求1所述的一种高热流的射流冲击冷却装置,其中所述冷却基部为高热流密度模块,所述高热流密度模块包括至少一个高热流密度器件,所述高热流密度器件的正面背对所述稳流室、射流室、微槽道冲击面。
3.根据权利要求1所述的一种高热流的射流冲击冷却装置,其中,微槽道冲击面定位在所述射流板上,以使流体流从所述稳流室射流冲击通过所述射流喷嘴并到达安装在耦接到所述冷却基部的高热流密度模块上的高热流密度器件。
4.根据权利要求1所述的一种高热流的射流冲击冷却装置,其中,射流板形成入口连接,所述入口连接与所述稳流室流体连接;形成出口连接,所述出口连接与所述射流室流体连接;形成射流板,所述射流板被配置为耦接到所述冷却基部;以及在所述射流板上形成微槽道冲击面,并且所述微槽道冲击面具有微槽道表面。
【技术特征摘要】
1.一种高热流的射流冲击冷却装置,高热流是指热流密度已经达到并超过100w/cm2,其特征在于包括:
2.根据权利要求1所述的一种高热流的射流冲击冷却装置,其中所述冷却基部为高热流密度模块,所述高热流密度模块包括至少一个高热流密度器件,所述高热流密度器件的正面背对所述稳流室、射流室、微槽道冲击面。
3.根据权利要求1所述的一种高热流的射流冲击冷却装置,其中,微槽道冲击面定位在所述射流板上...
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