一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物及其制备方法技术

一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物，其特征是化学式为［Ｈｇ４Ａｓ２］（ＩｎＢｒ３．５Ａｓ０．５），六方晶系，空间群为Ｐ６３／ｍｍｃ，单胞参数为α＝８９～９１，β＝８９～９１，γ＝１１９～１２１°，Ｚ＝２。本发明专利技术的优点是：１、本发明专利技术的金属磷卤化合物具有大孔洞的开放枢架结构，其最大孔洞为０．１２纳米，可作为良好的潜在多孔材料；２、本发明专利技术的化合物的热稳定性较好，其热分解温度为２７８℃；３、合成方法简单，易操作、原料来源充足、生产成本低廉、化合物合成的产率较高，纯度也很高以及重复性好，使得其适合扩大化生产的要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物，其特征是化学式为［Ｈｇ↓［４］Ａｓ↓［２］］（ＩｎＢｒ↓［３．５］Ａｓ↓［０．５］），六方晶系，空间群为Ｐ６３／ｍｍｃ，单胞参数为ａ＝７．０～８．０＊，ｂ＝７．０～８．０＊，ｃ＝１２．０～１３．０＊，α＝８９～９１，β＝８９～９１，γ＝１１９～１２１°，Ｚ＝２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹建平，彭强，唐星华，李明俊，邢秋菊，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]