【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED显示器件制备方法
[0001]本专利技术属于显示
,更具体地说,涉及一种硅基
OLED
显示器件制备方法
。
技术介绍
[0002]随着元宇宙概念的崛起,目前市场上的
AR,VR
等设备的需求越来越大
。
目前市场上的现有
Micro OLED
全彩产品种类繁多,花样百出
。
首先作为便携性终端,首要考虑设备便携度,但是目前市场上眼睛重量普遍较重,大大影响了使用者的感受,使用场景亦受到制约;其次目前市面上的硅基微显示芯片多为平面显示,受限与芯片本身,不能跟人眼相匹配,需要通过一连串镜组去模仿曲面,故沉浸感相对较差,这些终端问题,都需要解决
。
[0003]而在硅基
oled
领域中,没有可弯曲形成复合人眼要求的
Micro OLED
产品
。
现有技术中存在的柔性产品不能很好的满足适度弯折要求;将硬质基底玻璃的柔性基板,其工艺步骤繁琐,存在剥离基底缺陷,易导致剥离损伤
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题,提供一种结构简单,具有一定的可弯曲性的硅基
OLED
显示器件制备方法
。
[0005]为了实现上述目的,本专利技术采取的技术方案为:所提供的这种硅基
OLED
显示器件制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤
1)
在硅基 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种硅基
OLED
显示器件制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤
1)
在硅基板上进行复合阳极膜层制作;步骤
2)
在步骤
1)
得到的具有阳极膜层的基板上制作形成有机发光层和阴极膜层;所述阴极膜层是复合阴极膜层;步骤
3)
在阴极膜层上制作封装膜层;
。
步骤
4)
在封装后的基板上制备
CF
和
OC
膜层;步骤
5)
在
OC
膜层上制作保护层;步骤
6)
将基板底部的硅基板进行背面减薄处理;步骤
7)
基板切割及折弯
。2.
按照权利要求1所述的硅基
OLED
显示器件制备方法,其特征在于:步骤
1)
中,将带有
CMOS
电路驱动的硅基板传入
PVD
设备中制作金属膜层,厚度在
40
‑
60nm
;金属膜层可选用
Al
金属膜层;然后在金属膜层上方制作
ITO
膜层,厚度在
10
‑
100nm。3.
按照权利要求1所述的硅基
OLED
显示器件制备方法,其特征在于:步骤
2)
中,将步骤1之后得到的具有阳极膜层的基板传入蒸镀设备中,对基板进行有机白光
OLED
薄膜制备形成有机发光层
。4.
按照权利要求3所述的硅基
OLED
显示器件制备方法,其特征在于:步骤
2)
中,在有机发光层上制备复合阴极膜层,所述复合阴极膜层包括
Mg
和
Ag
混合材料蒸镀形成的
Mg
和
Ag
阴极膜层,在蒸镀的
Mg
和
Ag
阴极膜层上沉积形成
TCO
阴极膜层
。5.
按照权利要求4所述的硅基
OLED...
【专利技术属性】
技术研发人员:荣长停,曹绪文,晋芳铭,孙圣,张良睿,李亮亮,陈天佑,
申请(专利权)人:安徽芯视佳半导体显示科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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