【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MOS集成电路,比较第1以及第2电压的大小,其特征在于, 具备:电压电流转换电路,将所述第1以及第2电压转换成具有与所述第1电压对应的电流值的第1电流、以及具有与所述第2电压对应的电流值的第2电流;和 电流比较电路,比较所述 第1以及第2电流的电流值的大小,输出表示比较结果的电压, 从包含该MOS集成电路的LSI的外部输入所述第1以及第2电压, 构成所述电流比较电路的MOS晶体管的氧化膜比构成所述电压电流转换电路的MOS晶体管的氧化膜薄。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:青池昌洋,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。