【技术实现步骤摘要】
用于降低反激式DC
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DC转换器中漏感的影响的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年9月23日提交的题为“一种用于吸收反激式DC
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DC转换器的漏感能量的方法(A METHOD FOR ABSORBING LEAKAGE INDUCTANCE ENERGY OF FLYBACK DC
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DC CONVERTERS)”的中国专利申请第202111116824.1号(代理人案号096868
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1269320
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006600CNP)和2021年11月16日提交的题为“用于降低反激式DC
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DC转换器中漏感的影响的系统和方法(SYSTEMS AND METHODS FOR REDUCING EFFECTS OF LEAKAGE INDUCTANCE IN FLYBACK DC
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DC CONVERTERS)”的美国临时专利申请第63/264,143号(代理人案号096868
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1269314
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006600USP)的优先权,出于所有目的,所有专利申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0003]所描述的实施例总体上涉及在转换器中使用的变压器,并且更具体地,本实施例涉及用于降低反激式DC
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DC转换器中漏感的影响的系统和方法。
技术介绍
[0004]如计算机、服务器和电视机等的电子装置使用一个或 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路,其包含:反激式DC
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DC转换器,其包含:变压器,其具有初级绕组和次级绕组,所述初级绕组从第一端子延伸到第二端子;第一开关,其具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子,所述第一漏极端子耦合到所述初级绕组的所述第一端子;第二开关,其具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子,所述第二源极端子耦合到所述初级绕组的所述第一端子;和电容器,其耦合在所述第二漏极端子和所述初级绕组的所述第二端子之间;其中所述第二开关被布置成在接通状态和断开状态之间转变,使得第一时间段和第二时间段的总和等于第三时间段和第四时间段的总和,其中:所述第一时间段是从所述第一开关断开的时间到所述第二开关接通的时间的延迟时间段;所述第二时间段是所述第二开关处于接通的时间段;所述第三时间段是谐振器的谐振时间段,所述谐振器由所述变压器的漏感和所述电容器的电容形成;并且所述第四时间段是将所述变压器的所述漏感排放到所述电容器中的时间段。2.根据权利要求1所述的电路,其进一步包含耦合在所述电容器和所述第二漏极端子之间的电阻器。3.根据权利要求2所述的电路,其中所述电阻器的电阻等于或大于所述漏感与所述电容器的电容的比率的平方根的两倍。4.根据权利要求1所述的电路,其进一步包含具有阳极和阴极的二极管,所述阳极耦合到所述第二源极端子并且所述阴极耦合到所述第二漏极端子。5.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一开关是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。6.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一开关是基于氮化镓(GaN)的晶体管。7.根据权利要求6所述的电路,其中所述第二开关是基于GaN的晶体管,并且其中所述第一开关和所述第二开关集成在单个基于GaN的管芯上。8.一种控制电路的方法,所述方法包含:提供反激式DC
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DC转换器,所述反激式DC
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DC转换器包含:变压器,其具有初级绕组和次级绕组,所述初级绕组从第一端子延伸到第二端子;第一开关,其具有第一栅极端子、第一源极端子和第一漏极端子,所述第一漏极端子耦合到所述初级绕组的所述第一端子;第二开关,其具有第二栅极端子、第二源极端子和第二漏极端子,所述第二源极端子耦合到所述初级绕组的所述第一端子;和电容器,其耦合在所述第二漏极端子和所述初级绕组的所述第二端子之间;以及控制所述第二开关的操作,使得第一时间段和第二时间段的总和等于第三时间段和第四时间段的总和,其中:
所述第一时间段是从所述第一开关断开的时间到所述第二开关接通的时间的延迟时间段;所述第二时间段是所述第二开关处于接通的时间段;所述第三时间段是谐振器的谐振时间段,所述谐振器...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄秀成,李宾,杜韦静,周云,
申请(专利权)人:纳维达斯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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