【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块和生产功率半导体模块的方法
[0001]本专利技术涉及一种功率半导体模块和一种用于生产功率半导体模块的方法。
技术介绍
[0002]DE 10 2017 109 706B3公开了一种功率半导体模块,其包括第一扁平引线连接元件和第二扁平引线连接元件,在两者之间布置有非导电绝缘层。功率半导体模块的壳体元件形成用于扁平引线连接元件和绝缘层的支承(bearing)。
[0003]这种功率半导体模块的生产在技术上是复杂的,因为绝缘层(塑料膜)相对于扁平引线连接元件的必要精确定位以及扁平引线连接元件和绝缘层相对于功率半导体模块的壳体元件的精确定位在技术上都是复杂的,因此是功率半导体模块的高效生产的障碍。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种可高效生产的功率半导体模块,该功率半导体模块包括第一扁平引线连接元件和第二扁平引线连接元件,在两者之间布置有非导电绝缘层。
[0005]该目的通过一种功率半导体模块来实现,该功率半导体模块包括基板,该基板具有非导电绝缘层和金属层,金属层布置在绝缘层上并结构化,以形成导体迹线;包括功率半导体组件,该功率半导体组件布置在金属层上并被导电连接到金属层;包括壳体元件;并且包括DC电压连接装置,该DC电压连接装置具有扁平引线连接装置和第二扁平引线连接元件,其中,扁平引线连接装置具有第一扁平引线连接元件,该第一扁平引线连接元件被扁平引线连接装置的塑料元件包封并与塑料元件材料结合,其中,第一扁平引线连接元件的连接部段从塑料元件突出,其中,第二扁平 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.功率半导体模块,包括基板(5),所述基板(5)具有非导电绝缘层(5a)和金属层(5b),所述金属层(5b)布置在所述绝缘层(5a)上并被结构化,以形成导体迹线(5b');包括功率半导体组件(6),所述功率半导体组件(6)布置在所述金属层(5b)上并导电连接到所述金属层(5b);包括壳体元件(2);并且包括DC电压连接装置(3),所述DC电压连接装置(3)具有扁平引线连接装置(8)和第二扁平引线连接元件(9),其中,所述扁平引线连接装置(8)具有第一扁平引线连接元件(7),所述第一扁平引线连接元件(7)被所述扁平引线连接装置(8)的塑料元件(4)包封并与所述塑料元件(4)材料结合,其中,所述第一扁平引线连接元件(7)的连接部段(7a)从所述塑料元件(4)突出,其中,所述第二扁平引线连接元件(9)的连接部段(9a)布置在所述塑料元件(4)上,或者至少部分地被所述塑料元件(4)围封并且与所述塑料元件材料结合,使得所述塑料元件(4)的一部段(4a)布置在所述第一扁平引线连接元件(7)与所述第二扁平引线连接元件(9)的所述连接部段(9a)之间,其中所述第一扁平引线连接元件(7)和所述第二扁平引线连接元件(9)与结构化的所述金属层(5b)导电连接,其中在所述功率半导体模块(1)的操作期间,所述第一扁平引线连接元件(7)具有第一电极性,所述第二扁平引线连接元件(9)具有第二电极性,其中所述DC电压连接装置(3)与所述壳体元件(4)材料结合,其中所述第一扁平引线连接元件(7)的所述连接部段(7a)的至少一部分(7a')和所述第二扁平引线连接元件(9)的所述连接部段(9a)的至少一部分(9a')布置在所述壳体元件(2)外。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,通过所述第一扁平引线连接元件(7)通过注射模制技术与所述塑料元件(4)材料结合,特别是所述第一扁平引线连接元件(7)注射模制到所述塑料元件(4)中,所述第一扁平引线连接元件(7)与所述塑料元件(4)材料结合。3.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述壳体元件(2)由塑料形成,并且通过所述DC电压连接装置(3)通过注射模制技术与所述壳体元件(2)材料结合,特别是所述DC电压连接装置(3)注射模制到所述壳体元件(2)中,所述DC电压连接装置(3)与所述壳体元件(2)材料结合。4.根据权利要求1
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2中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,通过所述塑料元件(4)和/或所述第二扁平引线连接元件(9)与所述壳体元件(2)材料结合,所述DC电压连接装置(3)与所述壳体元件(2)材料结合。5.根据前述权利要求1
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2中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述壳体元件(2)围绕所述基板(5)在侧向上延伸。6.根据前述权利要求1
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2中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述塑料元件(4)的布置在所述第一扁平引线连接元件(7)与所述第二扁平引线连接元件(9)的所述连接部段(9a)之间的所述部段(4a)具有150μm至1000μm的厚度,特别是优选为500μm至750μm的厚度。7.根据前述权利要求1
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2中任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,相应的所述扁平引线连接元件(7,9)被实施为金属膜或金属片,具有优选为300μm至2000μm、特别是优选为500μm至1500μm的厚度。8.根据前述权利要求1
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2中的任一项所述的功率半导体模块,其特征在于,所述DC电压连接装置(3)具有布置在所述壳体元件(2)外的通孔(10),所述通孔在相对于所述第一扁平
引线连接元件(7)的所述连接部段(7a)的被布置在所述壳体元件(2)外的那一部分(7a')的法线方向(N)上延伸穿过所述DC电压连接装置(3)。9.根据权利要求8所述的功率半导体模块,其特征在于,所述DC电压连接装置(3)布置在散热器(11)上或底板上,并且通过延伸穿过所述通孔(10)的螺钉(12)与所述散热器(11)连接或与所述底板连接。10.用于生产根据权利要求1至9中任一项所述的功率半导体模块的方法,其中,所述第二扁平引线连接元件(9)的所述连接部段(9a)布置在所述塑料元件(4)上,使得所述塑料元件(4)的一部段(4a)布置在所述第一扁平引线连接元件(7)与所述第二扁平引线连接元件(9)的所述连接部段(9a)之间,所述方法包括以下方法步骤:a)提供基板(5)、功率半导体组件(6)、壳体元件(2)和第二扁平引线连接元件(9),所述基板(5)具有非导电绝缘层(5a)和金属层(5b),所述金属层(5b)布置在所述绝缘层(5a)上并被结构化,以形成导体迹线(5b'),所述功率半导体组件(6)布置在所述金属层(5b)上并被导电连接到所述金属层(5b),b)提供扁平引线连接装置(8),所述扁平引线连接装置(8)具有第一扁平引线连接元件(7),所述第一扁平引线连接元件(7)被所述扁平引线连接装置(8)的塑料元件(...
【专利技术属性】
技术研发人员:曼纽尔,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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