着脱装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种着脱装置，其利用静电吸盘方式，且即便为厚度薄的工件，工件着脱的响应性也优异。一种着脱装置，能够进行工件的吸附与脱离，其特征在于，所述着脱装置包括：可加工陶瓷层；密接活化层，设置于所述可加工陶瓷层上；电极层，设置于所述密接活化层上；以及介电质层，设置于所述电极层上，所述电极层由所述密接活化层与所述介电质层被覆，且所述介电质层的体积电阻率为109Ω

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】着脱装置


[0001]本专利技术涉及一种能够进行工件的吸附与脱离(有时将这些统称为着脱)的着脱装置，详细而言，涉及一种在工件的着脱时的响应性优异、特别是对厚度薄的工件的处理而言优选的着脱装置。

技术介绍

[0002]作为使工件着脱的着脱装置，已知有利用真空抽吸的真空吸盘、利用静电吸附力的静电吸盘等，它们根据使用环境及工件的种类而区分使用。
[0003]即，真空吸盘方式不仅吸附保持力优异，而且工件着脱的响应性(responsivity)也优异，因此利用真空吸盘方式的工件的着脱装置通常受到广泛利用。然而，于在真空环境中对工件进行处理那样的情况下，原本便无法通过真空抽吸来保持工件。另外，若如引线框架或掩模那样在工件自身中具有孔或间隙，则也无法进行真空抽吸。此外，在如膜或箔那样为厚度薄的工件的情况下，有工件在抽吸部位挠曲、抽吸痕迹残留于工件等之虞，因此真空吸盘方式并不适合。
[0004]另一方面，在无法应用真空吸盘方式的真空环境下或者为开孔的工件那样的情况下，适合应用静电吸盘方式。例如，已知有一种在基底构件上包括埋设有一对电极的绝缘材料，且利用静电吸附力吸附保持半导体芯片或绝缘膜的着脱装置(参照专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利特开2006
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156550号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]在制造如智能手机、穿戴式终端等那样经薄型化、高性能化的电子设备时，不仅是如引线框架那样的搭载零件及其材料，也包括如金属掩模那样的与制造相关的构件在内，这些的轻薄短小化正在日益发展。因此，就此种观点而言，也可谓利用静电吸盘方式进行的工件搬送的需求在增加。
[0010]然而，在利用静电吸盘方式的着脱装置中，在吸附工件后进行脱离时的残留电荷成为问题。特别是在如引线框架或金属箔那样的厚度薄的工件中，即便因微量的残留电荷有时也难以进行工件的脱离(拆卸)。此种残留电荷的问题在利用等离子体蚀刻装置对硅晶片进行吸附、脱离的情况下也同样存在，例如，在将直流电压关闭(OFF)后，进行对吸附电极施加相反的电压、或者使等离子体放电等的静电消除工艺，但在如上所述的用于工件搬送装置的着脱装置中，难以进行等离子体放电，另外，考虑到工件搬送的处理速度等，在每次搬送工件时应用静电消除工艺的情况本身有时并不现实。
[0011]因此，本专利技术人等人对以往的课题即残留电荷的问题进行了努力研究，结果发现，通过使用包括可加工陶瓷(machinable ceramics)层、密接活化层、电极层、以及体积电阻
率具有规定的值的介电质层的着脱装置，可进一步减少将向电极层施加的电压关闭后的残留电荷，即便为厚度薄的工件，也可顺利地进行工件的脱离(拆卸)，从而完成了本专利技术。
[0012]因此，本专利技术的目的在于提供一种利用静电吸盘方式的着脱装置，其适用于无法进行真空抽吸的厚度薄的工件或开孔的工件的情况等，且工件着脱的响应性优异。
[0013]解决问题的技术手段
[0014]即，本专利技术是一种着脱装置，能够进行工件的吸附与脱离，其特征在于，所述着脱装置包括：可加工陶瓷层；密接活化层，设置于所述可加工陶瓷层上；电极层，设置于所述密接活化层上；以及介电质层，设置于所述电极层上，所述电极层由所述密接活化层与所述介电质层被覆，且所述介电质层的体积电阻率为109Ω
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cm～10
12
Ω
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cm。
[0015]在本专利技术中，作为能够进行工件的吸附与脱离的着脱装置，使用包括体积电阻率为109Ω
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cm～10
12
Ω
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cm的介电质层的着脱装置。通过介电质层具有此种体积电阻率(体积固有电阻率)，可制成利用了所谓约翰逊
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拉贝克力(Johnson
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Rahbek force)的着脱装置。即，通过在具有体积电阻率比较低的介电质层的着脱装置中对电极层施加低电压，可在形成工件吸附面的介电质层与工件的表面蓄积电荷来吸附工件。另外，当将向电极层施加的电压关闭时，介电质层作为用于使施加至电极层的电压逸散的电阻体发挥作用，由此可达成迅速的电荷中和，因此与利用在工件与电极层之间产生的库仑力(coulomb force)的情况相比，电荷容易消失，故可提高工件的吸附与脱离的响应性。
[0016]关于所述介电质层，优选为可由陶瓷喷涂膜形成。即，关于形成介电质层的陶瓷喷涂膜，只要体积电阻率为所述范围，则并无特别限制，但考虑到在形成工件吸附面的介电质层与工件之间介隔存在有异物的情况下的陷入等，则为了使耐磨耗性良好，具体而言可为氧化铝系的陶瓷喷涂膜，更详细而言，在使体积电阻率为规定的范围的基础上，可为包含氧化钛的氧化铝系的陶瓷喷涂膜。另外，由陶瓷喷涂膜形成时的介电质层的维氏硬度(Vickers hardness)可为750～1000。
[0017]另外，关于本专利技术的着脱装置的电极层，只要是作为所谓的内部电极而形成的电极层即可，关于其材料及形成手段并无特别限制。例如，除了可由利用导电性陶瓷的喷涂膜或金属喷涂膜形成电极层以外，也可列举使用导电性糊的网版印刷等。其中，若考虑密接性等，则优选可为由利用导电性陶瓷的喷涂膜或金属喷涂膜形成的电极层。此时，考虑到由电极层制作时的热引起的应力，可为与介电质层、可加工陶瓷层、视需要追加的密接活化层的线膨胀系数接近的材料，因此优选为可使用钨、钼、钛或这些的各合金。
[0018]关于所述电极层，可包括单极型电极，也可为被施加极性互不相同的电压的双极型电极。在单极型电极的情况下，只要对各个电极施加极性不同的电压，便可进行工件的着脱。其中，优选为电极层可为被施加极性互不相同的电压的双极型电极。关于这些电极的形状并无特别限制，例如，在双极型电极的情况下，可在呈梳齿形的一对电极中，使被施加正电压的正施加电极的梳齿与被施加负电压的负施加电极的梳齿以交替排列的方式配置而构成双极型电极，也可将呈矩形或半圆形的一对电极空开规定的间隔排列，并将其中一者作为正施加电极、将另一者作为负施加电极而构成双极型电极。在单极型电极的情况下，只要使得通过两个以上的电极而能够尽可能地囊括工件的形状范围即可，并无特别限制。
[0019]另外，在本专利技术的着脱装置中，可使电极层具有被划分成阵列状的多个划分区域。即，可使作为内部电极的电极层与各划分区域对应地分别包括单极型电极、或者与各划分
区域对应地分别包括双极型电极，且可相对于各划分区域的单极型电极或双极型电极独立地设置自外部供给电力的供电用端子。由此，在对工件进行吸附的工件吸附面，可根据工件的尺寸及形状来选择运行的电极(单极型电极或双极型电极)，可消除浪费而效率良好地吸附工件，并且不会产生多余的电荷，因此，可更顺利地进行工件的脱离。
[0020]另外，在本专利技术中，也可设置接地以使电极层中带电的电荷逸散，从而当使工件脱离时接地以进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种着脱装置，能够进行工件的吸附与脱离，其特征在于，所述着脱装置包括：可加工陶瓷层；密接活化层，设置于所述可加工陶瓷层上；电极层，设置于所述密接活化层上；以及介电质层，设置于所述电极层上，所述电极层由所述密接活化层与所述介电质层被覆，且所述介电质层的体积电阻率为109Ω
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cm～10
12
Ω
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cm。2.根据权利要求1所述的着脱装置，其特征在于，所述工件的厚度为0.001mm～1.5mm。3.根据权利要求1或2所述的着脱装置，其特征在于，所述工件为导体、半导体或绝缘体中的任一者。4.根据权利要求1或2所述的着脱装置，其特征在于，所述工件...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾沢胜，
申请(专利权)人：创意科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：