【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅储存媒体控制器,特别是涉及一种以可变长度资料框架为基础的硅储存媒体控制器。具体的说,本专利技术是有关于一种硅储存媒体、硅储存媒体控制器及其控制方法、资料框架为格式的储存媒体(SILICON STORAGE MEDIA AND CONTROLLER THEREOF,CONTROLLING METHODTHEREOF,AND DATA FRAME BASED STORAGE MEDIA)。
技术介绍
目前采用硅芯片制成的记忆体作为硅储存媒体已日渐普及,大部份均是通过一控制器连接系统端介面,将资讯写入记忆体,或自记忆体读取并传输至系统端。其中硅储存媒体因具备耗电低、可靠度高、容量大、存取速度快等特点,而广泛的应用于各种可携式数字电子装置,例如数字相机、数字随身听、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)等产品,使用量迅速成长。硅储存媒体亦因而衍生出多种不同的型态,目前主要有Compact Flash Card(CF)、Memory Stick Card(MS)、Secure DigitalCard(SD)、Smart Media Card(SM)等多种形式。此外,在个人计算机的应用领域,可轻易通过通用序列汇流排(Universal Serial Bus,USB)介面安装使用的USB随身碟亦在近年演变成备受欢迎的新兴产品。上述多种采用硅芯片制成的记忆体作为硅储存媒体的可携式储存装置,其储存容量均受限于所采用内建的记忆体量。其内部控制器仅具备连接系统端介面,接受系统所下达的指令,并且据以存取记忆体的内容。因 ...
【技术保护点】
一种硅储存媒体,适用于与一系统之间资料的读取与写入,其特征在于其包括:一记忆体,包括多数个记忆区块,每一该些记忆区块包括以一资料框架为单位的储存资料,该资料框架包括一前置描述元、复数个磁区资料以及一错误检查码,其中该前置描述元位于该 资料框架的最前端;以及一控制单元,其包括:一关联对照表缓冲区;以及一定址对照模块,其中当该控制单元更新该资料框架时,亦更新该关联对照表缓冲区,并将一对照关系记录于该前置描述元,该定址对照模块记录一原始资料的位 址,依据该系统下达的一读写存取指令位址搜寻该关联对照表缓冲区,取得对应的该记忆区块,并自对应的该记忆区块中读取所包含的该资料框架。
【技术特征摘要】
1.一种硅储存媒体,适用于与一系统之间资料的读取与写入,其特征在于其包括一记忆体,包括多数个记忆区块,每一该些记忆区块包括以一资料框架为单位的储存资料,该资料框架包括一前置描述元、复数个磁区资料以及一错误检查码,其中该前置描述元位于该资料框架的最前端;以及一控制单元,其包括一关联对照表缓冲区;以及一定址对照模块,其中当该控制单元更新该资料框架时,亦更新该关联对照表缓冲区,并将一对照关系记录于该前置描述元,该定址对照模块记录一原始资料的位址,依据该系统下达的一读写存取指令位址搜寻该关联对照表缓冲区,取得对应的该记忆区块,并自对应的该记忆区块中读取所包含的该资料框架。2.根据权利要求1所述的硅储存媒体,其特征在于其中所述的控制单元更包括一系统端介面,是该系统与该控制单元之间资料交换管道;一第一系统端资料缓冲区,用来暂存资料;一微处理器,是用来执行读取、写入与抹写的相关作业;一第一资料端资料缓冲区,用来暂存资料;以及一记忆体介面,是该些记忆体与该控制单元之间的资料交换管道。3.根据权利要求1所述的硅储存媒体,其特征在于其中所述的控制单元更包括一资料压缩/解压缩模块。4.根据权利要求3所述的硅储存媒体,其特征在于其中所述的控制单元更包括一第二系统端资料缓冲区及一第二记忆体资料缓冲区,作为该资料压缩/解压缩模块分别与该系统端介面及该记忆体介面之间的资料暂存。5.一种硅储存媒体控制器,适用于依照一系统下的一存取指令控制与至少一记忆体之间的资料存取,其特征在于该硅储存媒体控制器包括一系统端介面,是该系统与该硅储存媒体控制器之间资料交换管道;一第一系统端资料缓冲区,用来暂存资料;一微处理器,是用来执行读取、写入与抹写的相关作业;一关联对照表缓冲区,以记录一关联对照表作为资料存取参考;一定址对照模块,以作为该系统端下达的该存取指令的依据,取得对应的该记忆体的一记忆区块位址,并读取该资料框架进行资料传回系统或更新作业;一第一资料端资料缓冲区,用来暂存资料;以及一记忆体介面,是该些记忆体与该硅储存媒体控制器之间的资料交换管道。6.根据权利要求5所述的硅储存媒体控制器,其特征在于其更包括一资料压缩/解压缩模块。7.根据权利要求6所述的硅储存媒体控制器,其特征在于其更包括一第二系统端资料缓冲区及一第二记忆体资料缓冲区,作为该资料压缩/解压缩模块分别与该系统端介面及该记忆体介面之间的资料暂存。8.一种硅储存媒体控制方法,包括一控制单元与至少一用以记录资料框架的记忆体,其特征在于该硅储存媒体控制方法包括以下步骤根据读取该资料框架时所取得的一前置描述元,建立一关联对照表;根据该关联对照表,决定该资料框架所对应的一原始资料的容量与储存位置,其中,该前置描述元位于该资料框架的最前端,且该资料框架的资料储存量是依据该储存媒体的基本抹写单位而定。9.根据权利要求8所述的硅储存媒体控制方法,其特征在于其中所述的前置描述元包括一记忆区块状态;一对应原始资料的资料框架的记忆体起始位址;以及一原始资料长度。10.根据权利要求9所述的硅储存媒体控制方法,其特征在于其中所述的关联对照表是由复数个对照记录元所组成,而每一该些对照记录元储存的资讯包括一记忆区块状态;一对应原始资料的资料框架的记忆体起始位址;一原始资料长度;前一资料框架的对照记录元位址;以及下一资料框架的对照记录元位址。11.根据权利要求10所述的硅储存媒体控制方法,其特征在于其中当该原始资料是经压缩而以该资料框架格式储存于该抹写单位中,则该前置描述元与该对照记录元储存的资讯更包括一压缩演算法指标;以及一参数表指标,其中,压缩该原始资料时所用的演算法种类是根据该压缩演算法指标而得,且压缩该原始资料时所用的参数是由该参数表指标而得。12.根据权利要求8所述的硅储存媒体控制方法,其特征在于其中所述的关联对照表的建立更包括建立一未使用区块串列连结表;建立一使用区块串列连结表;以及视存取状况更新该未使用区块串列连结表与该使用区块串列连结表。13.根据权利要求12所述的硅储存媒体控制方法,其特征在于其中所述的建立该未使用区块串列连结表的步骤包括a、循序搜寻该些记忆区块;b、当找到一个未使用的记忆区块,且当该未使用区块串列连结表为空时,则设定此未使用的记忆区块为该未使用区块串列连结表的一起始区...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢祥安,
申请(专利权)人:万国电脑股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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