【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】支持有源线缆和DFP/UFP/DRP应用的USB-C的电源架构优先权本申请是于2018年9月24日提交的美国专利申请第16/139,974号的国际申请,该美国专利申请要求于2018年5月21日提交的美国临时申请第62/674,326号和于2018年8月22日提交的美国临时申请第62/721,347号的优先权和权益,上述所有申请通过引用整体并入本文。
本公开内容涉及控制向电子设备进行通用串行总线(USB)电力传输的集成电路(IC)。
技术介绍
各种电子设备(例如,智能电话、平板电脑、笔记本计算机、膝上型计算机、充电器、适配器、电源组等)被配置成根据在USB电力传输(USB-PD)规范的各种版本和各种修订版本中定义的USB电力传输协议,通过USB连接器传递电力。例如,在一些应用中,电子设备可以被配置为电力消耗者以通过USB连接器接收电力(例如,用于电池充电),而在其他应用中,电子设备可以被配置为电力提供者以通过USB连接器向连接至该电子设备的其他设备提供电力。USB-PD规范定义了至少三种不同的电压源:VBUS(例如,3V至22.5V,用于为各种USB功能供电)、VCONN(例如,3.0V至5.5V,用于为USBC型芯片供电)以及本地电池供电(例如,2.0V至5.5V,用于为内部片上电路系统供电)。因此,电子设备制造商通常使用不同类型的IC控制器,这些IC控制器取决于其USB使能的电子设备的不同设计和/或应用从不同的电源供电。附图说明图1示出了根据示例实施方式的具有ETSB-PD子 ...
【技术保护点】
1.一种用于通用串行总线(USB)C型设备的集成电路(IC)控制器,所述IC控制器包括:/n电力轨,其耦接至所述IC控制器的内部电路;以及/n耦接至所述电力轨的VDDD端子、VCONN端子和VBUS端子,其中:/nVCONN开关耦接在所述VCONN端子与所述电力轨之间;并且/nVBUS调整器耦接在所述VBUS端子与所述电力轨之间;/n其中,所述电力轨被配置成从所述VCONN端子和所述VBUS端子中的任何一个端子向所述IC控制器的内部电路提供操作电力。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20180521 US 62/674,326;20180822 US 62/721,347;20181.一种用于通用串行总线(USB)C型设备的集成电路(IC)控制器,所述IC控制器包括:
电力轨,其耦接至所述IC控制器的内部电路;以及
耦接至所述电力轨的VDDD端子、VCONN端子和VBUS端子,其中:
VCONN开关耦接在所述VCONN端子与所述电力轨之间;并且
VBUS调整器耦接在所述VBUS端子与所述电力轨之间;
其中,所述电力轨被配置成从所述VCONN端子和所述VBUS端子中的任何一个端子向所述IC控制器的内部电路提供操作电力。
2.根据权利要求1所述的IC控制器,其中,所述VCONN端子能够操作以承受至少20V的输入电压。
3.根据权利要求1所述的IC控制器,其中,所述VBUS端子被配置用于在3.0V与24.5V之间的输入电压。
4.根据权利要求1所述的IC控制器,其中,所述VCONN开关包括:
漏极扩展n型场效应晶体管(DENFET),其耦接在所述VCONN端子与所述电力轨之间;以及
泵开关,其耦接至所述DENFET的栅极。
5.根据权利要求4所述的IC控制器,所述VCONN开关还包括:
电阻器,其耦接在所述VCONN端子与所述DENFET的栅极之间;以及
二极管钳位装置,其耦接在所述DENFET的栅极与地之间。
6.根据权利要求4所述的IC控制器,还包括ESD电路,其耦接在所述VCONN端子与所述DENFET的栅极之间。
7.根据权利要求1所述的IC控制器,其中,所述VBETS调整器包括:
一个或更多个共源共栅p型场效应晶体管(PFET),所述一个或更多个共源共栅p型场效应晶体管耦接在所述VBETS端子与所述电力轨之间,其中,所述一个或更多个共源共栅PFET被配置成将来自所述VBETS端子的电压降低至小于5V;以及
一个或更多个漏极扩展n型场效应晶体管(DENFET),所述一个或更多个漏极扩展n型场效应晶体管耦接在所述VBETS端子与所述VBETS调整器的一个或更多个低电压电路之间,其中,所述一个或更多个DENFET被配置成向所述低电压电路提供高电压保护。
8.根据权利要求7所述的IC控制器,其中,所述一个或更多个PFET是5V晶体管,并且所述一个或更多个DENFET是20V晶体管。
9.一种通用串行总线(USB)设备,包括:
USBC型连接器,其包括VBUS线和VCONN线;以及
集成电路(IC)控制器,其包括:
VDDD端子;
VCONN端子,其耦接至所述USBC型连接器的VCONN线;
技术研发人员:尼古拉斯·亚历山大·博德尼亚鲁克,阿努普·纳亚克,帕万·库马尔·库奇普迪,
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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