System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 唤醒接收器制造技术_技高网

唤醒接收器制造技术

技术编号:40557481 阅读:11 留言:0更新日期:2024-03-05 19:18
本发明专利技术提供了一种唤醒接收器。提供了一个或更多个装置、系统和/或方法。在本文所呈现的技术的示例中,唤醒接收器包括电力管理单元,该电力管理单元被配置成接收根据输入信号生成的供电电压并生成电流参考。包络检测器被配置成生成与输入信号中的转变对应的信号。信号处理单元被配置成响应于在来自包络检测器的信号中检测到唤醒模式而生成中断信号。包络检测器包括由电流参考补偿阈值的第一二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种唤醒接收器、一种系统和一种方法。


技术介绍

1、诸如物联网(iot)装置的低功率联网装置需要能量效率。电池操作的低功率iot装置的巨大网络被其电池使用限制。诸如家庭自动化的应用领域需要在随机稀疏事件模式下操作的iot装置,这由于收发器的空闲监听时间而导致高功耗。


技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
来以简化形式介绍一系列构思,所述一系列构思将在下面的具体实施方式中进一步被描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键因素或必要特征,也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

2、在本文所呈现的技术的示例中,唤醒接收器包括电力管理单元,该电力管理单元被配置成接收根据输入信号生成的供电电压并生成电流参考。包络检测器被配置成生成与输入信号中的转变对应的信号。信号处理单元被配置成响应于在来自包络检测器的信号中检测到唤醒模式而生成中断信号。包络检测器包括由电流参考补偿阈值的第一二极管。

3、在本文所呈现的技术的示例中,系统包括:射频到直流(rf-dc)转换器,其被配置成基于rf输入信号生成供电电压;电力管理单元,其被配置成接收供电电压并生成电流参考;以及包络检测器,其被配置成生成与rf输入信号中的转变对应的信号,其中,包络检测器包括由电流参考补偿阈值的第一二极管,rf-dc转换器包括由电流参考补偿阈值的第二二极管。

4、在本文所呈现的技术的示例中,系统包括:用于接收射频(rf)输入信号的装置、用于从rf输入信号收集能量以生成供电电压的装置、用于基于供电电压生成电流参考的装置、用于使用第一二极管生成与rf输入信号中的转变对应的信号的装置、以及用于使用电流参考补偿第一二极管的阈值的装置。

5、在本文所呈现的技术的示例中,方法包括:接收射频(rf)输入信号;从rf输入信号收集能量以生成供电电压;基于供电电压生成电流参考;使用第一二极管生成与rf输入信号中的转变对应的信号;以及使用电流参考补偿第一二极管的阈值。

6、为了实现前述目的和相关目的,以下描述和附图阐述了某些说明性方面和实现方式。这些说明性方面和实现方式仅指示可以采用一个或更多个方面的各种方式中的一些方式。当结合附图考虑时,根据以下具体实施方式,本公开内容的其他方面、优点和新颖特征将变得明显。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种唤醒接收器,包括:

2.根据权利要求1所述的唤醒接收器,包括:

3.根据权利要求1所述的唤醒接收器,其中,所述第一二极管包括:

4.根据权利要求3所述的唤醒接收器,其中,所述整流晶体管包括:

5.根据权利要求3所述的唤醒接收器,其中,所述补偿晶体管包括:

6.根据权利要求4所述的唤醒接收器,其中,所述第二晶体管与所述第一晶体管串联连接。

7.根据权利要求3所述的唤醒接收器,其中,所述整流晶体管和所述补偿晶体管包括p型晶体管。

8.根据权利要求1所述的唤醒接收器,其中,所述包络检测器包括:

9.根据权利要求8所述的唤醒接收器,其中,所述包络检测器包括:

10.一种系统,包括:

11.根据权利要求10所述的系统,包括:

12.根据权利要求10所述的系统,包括:

13.根据权利要求10所述的系统,其中,所述第一二极管包括:

14.根据权利要求13所述的系统,其中:

15.根据权利要求10所述的系统,其中,所述包络检测器包括:

16.根据权利要求10所述的系统,其中:

17.一种方法,包括:

18.根据权利要求17所述的方法,其中,从所述RF输入信号收集能量包括:

19.根据权利要求17所述的方法,包括:

20.根据权利要求17所述的方法,其中,生成与所述RF输入信号中的转变对应的信号包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种唤醒接收器,包括:

2.根据权利要求1所述的唤醒接收器,包括:

3.根据权利要求1所述的唤醒接收器,其中,所述第一二极管包括:

4.根据权利要求3所述的唤醒接收器,其中,所述整流晶体管包括:

5.根据权利要求3所述的唤醒接收器,其中,所述补偿晶体管包括:

6.根据权利要求4所述的唤醒接收器,其中,所述第二晶体管与所述第一晶体管串联连接。

7.根据权利要求3所述的唤醒接收器,其中,所述整流晶体管和所述补偿晶体管包括p型晶体管。

8.根据权利要求1所述的唤醒接收器,其中,所述包络检测器包括:

9.根据权利要求8所述的唤醒接收器,其中,所述包络检测器包括:

...

【专利技术属性】
技术研发人员:达尔尚·巴斯卡尔·谢蒂克里斯托夫·斯特凡杰拉尔德·霍尔韦格
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1