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用于死区时间校准的方法以及USB-PD AC-DC电源和转换器技术

技术编号:40362609 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-09 14:50
本发明专利技术公开了一种用于死区时间校准的方法以及USB‑PD AC‑DC电源和转换器,其中用于死区时间校准的方法包括通过次级侧受控通用串行总线功率传输(USB‑PD)交流至直流(AC‑DC)转换器控制低侧场效应晶体管(FET)的操作。响应于控制低侧FET的操作,该方法还包括触发过零检测电路。该方法还包括测量在控制低侧FET的操作与触发过零检测电路之间的第一时间段。该方法还包括测量在控制高侧FET的操作与触发过零检测电路之间的第二时间段。该方法还包括基于第一时间段和第二时间段调整第三时间段,其中,第三时间段对应于控制高侧FET和低侧FET的操作之间的死区时间。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容总体上涉及功率适配器或转换器,并且更具体地涉及具有有源箝位反激式(acf)电路的初级侧适配器或转换器。


技术介绍

1、各种电子设备(例如,诸如智能电话、平板、笔记本计算机、膝上型计算机、集线器、充电器、适配器等)被配置成根据在通用串行总线(usb)功率传输(usb-pd)规范的各种修订版本中定义的usb功率传输协议通过usb连接器传递功率。例如,功率适配器可以包括交流至直流(ac-dc)转换器,该交流至直流转换器包括一个或更多个功率开关(ps)场效应晶体管(fet),例如初级侧高侧fet和初级侧低侧fet。


技术实现思路

1、根据本专利技术的一方面,提供了一种用于死区时间校准的方法,包括:在次级侧受控通用串行总线功率传输(usb-pd)交流至直流(ac-dc)转换器中,控制低侧场效应晶体管fet的操作;响应于控制低侧fet的操作,触发过零检测电路;测量在控制低侧fet的操作与触发过零检测电路之间的第一时间段;测量在控制高侧fet的操作与触发过零检测电路之间的第二时间段;以及基于第一时间段和第二时间段调整第三时间段,其中,第三时间段对应于控制高侧fet和低侧fet的操作之间的死区时间。

2、根据本专利技术的一方面,提供了一种通用串行总线功率传输(usb-pd)交流至直流(ac-dc)电源,包括:反激式变压器;有源箝位反激式acf电路;耦接在反激式变压器与acf电路之间的高侧场效应晶体管fet;耦接至反激式变压器的低侧fet;脉冲变压器;初级侧控制器,初级侧控制器被耦接以接收来自脉冲变压器的信号并控制高侧fet和低侧fet的操作;以及次级侧控制器,其中,次级侧控制器用于:触发过零检测电路;测量在控制低侧fet的操作与触发过零检测电路之间的第一时间段;测量在控制高侧fet的操作与触发过零检测电路之间的第二时间段;以及基于第一时间段和第二时间段调整第三时间段,其中,第三时间段对应于控制高侧fet和低侧fet的操作之间的死区时间。

3、根据本专利技术的一方面,提供了一种通用串行总线功率传输(usb-pd)反激式转换器系统包括:反激式变压器;有源箝位反激式acf电路;耦接在反激式变压器与acf电路之间的高侧场效应晶体管fet;耦接至反激式变压器的低侧fet;脉冲变压器;初级侧控制器,初级侧控制器被耦接以接收来自脉冲变压器的信号并控制高侧fet和低侧fet的操作;以及次级侧控制器,其中,次级侧控制器用于:触发过零检测电路;测量在控制低侧fet的操作与触发过零检测电路之间的第一时间段;测量在控制高侧fet的操作与触发过零检测电路之间的第二时间段;以及基于第一时间段和第二时间段调整第三时间段,其中,第三时间段对应于控制高侧fet和低侧fet的操作之间的死区时间。

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【技术保护点】

1.一种用于死区时间校准的方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三时间段对应于零电压切换的最佳定时。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述USB-PD AC-DC转换器最初控制所述低侧FET的操作。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,触发所述过零检测电路包括确定所述低侧FET或所述高侧FET的相应电压达到零。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,控制所述低侧FET的操作包括关断所述低侧FET的控制相位。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,控制所述高侧FET的操作包括关断所述高侧FET的控制相位。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三时间段由初级侧控制器接收,用于控制所述高侧FET或所述低侧FET的操作。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,由所述USB-PD AC-DC转换器的次级侧控制器执行触发所述过零检测电路。

9.一种通用串行总线功率传输USB-PD交流至直流AC-DC电源,包括:

10.根据权利要求9所述的USB-PD AC-DC电源,其中,所述USB-PD AC-DC转换器最初控制所述低侧FET的操作。

11.根据权利要求9所述的USB-PD AC-DC电源,其中,为了触发所述过零检测电路,所述次级侧控制器还用于:

12.根据权利要求9所述的USB-PD AC-DC电源,其中,为了控制所述低侧FET的操作,所述初级侧控制器还用于:

13.根据权利要求9所述的USB-PD AC-DC电源,其中,为了控制所述高侧FET的操作,所述初级侧控制器还用于:

14.根据权利要求9所述的USB-PD AC-DC电源,其中,所述初级侧控制器还用于:

15.根据权利要求9所述的USB-PD AC-DC电源,其中,所述次级侧控制器还用于:

16.一种通用串行总线功率传输USB-PD反激式转换器系统包括:

17.根据权利要求16所述的USB-PD反激式转换器系统,其中,为了触发所述过零检测电路,所述次级侧控制器还用于:

18.根据权利要求16所述的USB-PD反激式转换器系统,其中,为了控制所述低侧FET的操作,所述初级侧控制器还用于:

19.根据权利要求16所述的USB-PD反激式转换器系统,其中,为了控制所述高侧FET的操作,所述初级侧控制器还用于:

20.根据权利要求16所述的USB-PD反激式转换器系统,其中,所述初级侧控制器还用于:

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【技术特征摘要】

1.一种用于死区时间校准的方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三时间段对应于零电压切换的最佳定时。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述usb-pd ac-dc转换器最初控制所述低侧fet的操作。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,触发所述过零检测电路包括确定所述低侧fet或所述高侧fet的相应电压达到零。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,控制所述低侧fet的操作包括关断所述低侧fet的控制相位。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,控制所述高侧fet的操作包括关断所述高侧fet的控制相位。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三时间段由初级侧控制器接收,用于控制所述高侧fet或所述低侧fet的操作。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,由所述usb-pd ac-dc转换器的次级侧控制器执行触发所述过零检测电路。

9.一种通用串行总线功率传输usb-pd交流至直流ac-dc电源,包括:

10.根据权利要求9所述的usb-pd ac-dc电源,其中,所述usb-pd ac-dc转换器最初控制所述低侧fet的操作。

11.根据权利要求9所述的usb...

【专利技术属性】
技术研发人员:乔伊·乔斯陈顺辉哈里翁·拉伊阿伦·哈梅斯拉
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司
类型:发明
国别省市:

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