阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本公开至少一个实施例涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。阵列基板包括：像素区，包括第一发光材料层；打孔区；隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
本公开涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的快速发展，显示器在越来越多的领域得到广泛应用。目前，手机等移动终端的摄像头大多设置在屏幕的非显示区，例如屏幕的边框，这使得边框的尺寸较大。相关技术中，为了减小边框的尺寸，将摄像头设置在显示区，例如，通过对显示区进行挖孔，在孔的对应位置处设置摄像头。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，提供了一种阵列基板，包括：像素区，包括第一发光材料层；打孔区；隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，所述隔断结构被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。在一些实施例中，所述阵列基板还包括衬底结构，所述第一发光材料层和所述隔断结构位于衬底结构上，所述隔断结构的至少一个侧面与所述隔断结构的靠近所述衬底结构的底面的夹角小于或等于90度。在一些实施例中，所述第一凹槽在垂直所述衬底结构的方向的截面为四边形，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角小于或等于90度。在一些实施例中，所述隔断区包括：第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处断开。在一些实施例中，所述隔断区还包括：位于所述第二发光材料层和所述隔断结构之间的阳极材料层。在一些实施例中，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角在30°至70°的范围。在一些实施例中，所述四边形为梯形。在一些实施例中，所述隔断区还包括：阳极材料层，至少部分覆盖所述隔断结构。在一些实施例中，所述隔断区还包括：金属叠层，围绕所述打孔区设置，位于所述隔断结构与所述打孔区之间。在一些实施例中，所述像素区还包括：薄膜晶体管结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间，所述薄膜晶体管结构包括栅极、源极和漏极；其中，所述金属叠层包括与所述薄膜晶体管结构的栅极、源极的材料分别相同的第一金属层、第二金属层。在一些实施例中，所述像素区还包括：电容器结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间、且位于所述隔断结构与所述薄膜晶体管结构之间，所述电容器结构包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极材料相同；其中，所述金属叠层包括与所述电容器结构的第二电极的材料相同的第三金属层。在一些实施例中，所述隔断结构还包括：至少一个第二凹槽，所述第二凹槽在垂直所述衬底结构的方向的深度小于所述第一凹槽的深度，所述第二凹槽在所述衬底结构上的正投影面积小于所述第一凹槽在所述衬底结构上的正投影面积。在一些实施例中，所述打孔区具有孔，所述孔贯穿所述衬底结构。根据本公开的另一些实施例，提供了一种显示面板，包括前述任一实施例所述的阵列基板。根据本公开的又一些实施例，提供了一种显示装置，包括前述任一实施例所述的显示面板。根据本公开的再一些实施例，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底结构一侧形成隔断结构，所述隔断结构位于围绕打孔区的隔断区，并且所述隔断结构具有至少一个第一凹槽；在所述衬底结构一侧形成第一发光材料层，所述第一发光材料层位于像素区，并且通过所述第一凹槽与所述打孔区隔开。在一些实施例中，通过蒸镀工艺形成发光材料层，所述发光材料层位于像素区的部分作为所述第一发光材料层，所述发光材料层位于隔断区的部分作为第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并且不形成在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处。在一些实施例中，所述第二发光材料层不形成在所述第一凹槽的侧壁处。在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述隔断结构之前，形成阳极材料层。在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述隔断结构之后、且在形成所述发光材料层之前，形成阳极材料层，所述阳极材料层至少部分覆盖所述隔断结构。在一些实施例中，所述制造方法还包括：去除覆盖在所述隔断结构上的所述第二发光材料层。在一些实施例中，所述制造方法还包括：形成金属叠层，所述金属叠层位于所述隔断区中、在所述隔断结构与所述打孔区之间，并且包括第一金属层和第二金属层。在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述发光材料层之前形成薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构位于所述像素区，并且包括栅极、源极和漏极；其中，所述金属叠层的第一金属层、第二金属层分别与所述薄膜晶体管的栅极、源极通过同一构图工艺形成。在一些实施例中，所述制造方法还包括：形成电容器结构，所述电容器结构位于所述像素区、在所述薄膜晶体管结构与所述隔断区之间，并且包括第一电极层和第二电极层，其中，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极通过同一构图工艺形成；其中，所述金属叠层还包括第三金属层，所述第三金属层与所述电容器结构的第二电极通过同一构图工艺形成。在一些实施例中，所述制造方法还包括：对所述打孔区进行刻蚀，以形成孔。通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：图1是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的俯视图；图2A是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的截面图；图2B是示出根据本公开另一个实施例的阵列基板的截面图；图2C是示出根据本公开又一个实施例的阵列基板的截面图；图3A是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图；图3B是示出根据本公开另一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图；图4是示出根据本公开一个实施例的TFT结构的制造方法的流程图；图5A-5F分别示出根据本公开一些实施例的阵列基板的不同制造阶段的截面图；图6A-6C分别示出根据本公开另一些实施例的阵列基板的不同制造阶段的截面图。应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：/n像素区，包括第一发光材料层；/n打孔区；/n隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，所述隔断结构被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，包括：
像素区，包括第一发光材料层；
打孔区；
隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，所述隔断结构被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：衬底结构；
其中，所述第一发光材料层和所述隔断结构位于衬底结构上，所述隔断结构的至少一个侧面与所述隔断结构的靠近所述衬底结构的底面的夹角小于或等于90度。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一凹槽在垂直所述衬底结构的方向的截面为四边形，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角小于或等于90度。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述隔断区包括：
第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处断开。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述隔断区还包括：
位于所述第二发光材料层和所述隔断结构之间的阳极材料层。


6.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其中，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角在30度至70度的范围。


7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述四边形为梯形。


8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述隔断区还包括：
阳极材料层，至少部分覆盖所述隔断结构。


9.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述隔断区还包括：
金属叠层，围绕所述打孔区设置，位于所述隔断结构与所述打孔区之间。


10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述像素区还包括：
薄膜晶体管结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间，所述薄膜晶体管结构包括栅极、源极和漏极；
其中，所述金属叠层包括与所述薄膜晶体管结构的栅极、源极的材料分别相同的第一金属层、第二金属层。


11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述像素区还包括：
电容器结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间、且位于所述隔断结构与所述薄膜晶体管结构之间，所述电容器结构包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极材料相同；
其中，所述金属叠层包括与所述电容器结构的第二电极的材料相同的第三金属层。


12.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述隔断结构还包括：
至少一个第二凹槽，所述第二凹槽在垂直所述衬底结构的方向的深度小于所述第一凹槽的深度，所述第二凹槽在所述衬底结构上的正投影面积小于所述第一凹槽在所述衬底结构上的正投影面积。

【专利技术属性】
技术研发人员：秦成杰，谢春燕，王涛，张嵩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11