绝缘体上硅结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。本发明专利技术还公开了一种绝缘体上硅结构制作方法。本发明专利技术能消除由于凸点缺陷造成的硅残留对器件性能及均一性的影响。

【技术实现步骤摘要】
绝缘体上硅结构及其制作方法
本专利技术半导体领域领域，特别是涉及一种绝缘体上硅结构。本专利技术还涉及一种绝缘体上硅结构制作方法。
技术介绍
绝缘体上硅(SOI全称为Silicon-On-Insulator)，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入至少一层埋氧化层。主要是指硅晶体管结构在绝缘体之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升时脉，并减少电流漏电成为省电的IC，在工艺上还可以省略部分光掩模以节省成本，因此不论在工艺上或是电路上都有其优势。现有22nmSOI在AAPadOX采用ISSG(InSituSteamGeneration)+ALD(Atomlayerdeposition)OX替代HTO，这样的优势在于硅损失会比较少，有源区氧化层厚度更容易控制。但是在采用(ISSG+ALD)氧化工艺的时候，在有源区回刻(AApullback)时发现凸点缺陷(bumpdefect)，在有源区刻蚀(AAETCH)之后会有Si残留，影响器件性能。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术要解决的技术问题是提供一种能避免由于有源区回刻凸点缺陷造成有源区刻蚀之后存在硅残留的绝缘体上硅结构。本专利技术要解决的另一技术问题是提供一种能避免由于有源区回刻凸点缺陷造成有源区刻蚀之后存在硅残留的绝缘体上硅制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅结构，氧化处理层在ISSG氧化层上由02反应形成。可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅结构，其能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。本专利技术提供一种绝缘体上硅(SOI)制作方法，包括以下步骤：S1，在绝缘衬底上形成的ISSG氧化层；S2，在ISSG氧化层上形成氧化处理层，所述氧化处理层用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应；S3，在氧化处理层上形成ALD氧化层。可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅制作方法，氧化处理层在ISSG氧化层上由02反应形成。可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅制作方法，其能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。本专利技术的原理如下：在有源区回刻时发现凸点缺陷，在有源区刻蚀之后会有Si残留，主要怀疑是在形成ISSG氧化层后之后其表面含有残留的H,或者N。然后在ALDdep的时候未反应完全，或者吸附成核变成bump。为了解决现有凸点缺陷的问题，在形成ISSG氧化层后面加氧化处理，用来完全氧化表面残留的非氧化原子，进而消除凸点缺陷避免硅残留造成对器件性能及均一性的影响。附图说明本专利技术附图旨在示出根据本专利技术的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本专利技术附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本专利技术附图不应当被解释为限定或限制由根据本专利技术的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是现有绝缘体上硅结构示意图。图2是本专利技术绝缘体上硅结构示意图。图3是本专利技术绝缘体上硅结构制作流程示意图。附图标记说明SUB是绝缘衬底ISSG是ISSG氧化层Treatment是氧化处理层ALDOX是ALD氧化层。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本专利技术的其他优点与技术效果。本专利技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离专利技术总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本专利技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。第一实施例，如图2所示，本专利技术提供一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。第二实施例，继续参考图2所示，本专利技术提供一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其有由02与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应形成。其中，该绝缘体上硅结构能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。第三实施例，如图3所示，本专利技术提供一种绝缘体上硅(SOI)制作方法，包括以下步骤：S1，在绝缘衬底上形成的ISSG氧化层；S2，在ISSG氧化层上形成氧化处理层，所述氧化处理层用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应；S3，在氧化处理层上形成ALD氧化层。第四实施例，本专利技术提供一种绝缘体上硅(SOI)制作方法，包括以下步骤：S1，在绝缘衬底上形成的ISSG氧化层；S2，在ISSG氧化层上形成氧化处理层，所述氧化处理层由02与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应形成；S3，在氧化处理层上形成ALD氧化层。其中，该绝缘体上硅结构制作方法能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。以上通过具体实施方式和实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘体上硅(SOI)结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，其特征在于，还包括：/n氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。/n

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅(SOI)结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，其特征在于，还包括：
氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。


2.如权利要求1所述的绝缘体上硅(SOI)结构，其特征在于：氧化处理层，在ISSG氧化层上由02反应形成。


3.如权利要求1所述的绝缘体上硅(SOI)结构，其特征在于：其能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。


4.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洁鹏，贡祎琪，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31