制造像素化结构的方法技术

可以提供一种制造像素化结构的方法。所述方法可以包括：提供包括多个像素化微装置的施体衬底；将来自所述施体衬底的选择性的一组所述像素化微装置接合到系统衬底；以及在将所述施体衬底与所述系统衬底分离之后，图案化所述像素化微装置的底部导电层。所述图案化可以通过使所述层完全隔离或在图案之间留下一些薄层来进行。

【技术实现步骤摘要】
制造像素化结构的方法相关申请的交叉引用本申请是于2017年11月22日提交的美国申请序列号15/820,683的部分继续申请并且要求其优先权，所述美国申请要求于2016年11月25日提交的美国临时专利申请序列号62/426,353、于2017年3月20日提交的美国临时专利申请序列号62/473,671、于2017年4月7日提交的美国临时专利申请序列号62/482,899和于2017年6月5日提交的美国临时专利申请序列号62/525,185以及于2017年10月30日提交的加拿大专利申请第2,984,214号的优先权和权益，这些申请中的每一个通过引用整体并入本文。本申请还要求于2019年4月09提交的美国临时专利申请序列号62/831,403(7PL06)的优先权，所述美国临时专利申请通过引用整体并入本文。
本公开涉及光电子固态阵列装置，并且更具体地涉及用于提高固态阵列装置的光输出轮廓。
技术介绍
本专利技术的目的是通过提供微装置阵列显示装置来克服现有技术的缺点，其中可以通过可靠的方法将微装置阵列接合到背板。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，一种用于制造像素化结构的方法包括：提供施体衬底；在所述施体衬底上沉积第一导电层；在所述第一导电层上沉积完全或部分连续的发光功能层；在所述功能层上沉积第二导电层；图案化所述第二导电层以形成像素化结构；提供用于每个像素化结构的接合触点；将所述接合触点固定到系统衬底；以及去除所述施体衬底。在一个实施例中，通过连续像素化使所述微装置变成阵列。在另一个实施例中，通过填充所述微装置之间的空位将所述装置分离并转移到中间衬底。在另一个实施例中，在转移到所述中间衬底之后对所述微装置进行后处理。根据一个实施例，可以提供一种制造像素化结构的方法。所述方法可以包括：提供包括多个像素化微装置的施体衬底；将来自所述施体衬底的选择性的一组所述像素化微装置接合到系统衬底；以及将所述施体衬底与所述系统衬底分离，然后图案化所述像素化微装置的底部平面层。根据一个实施例，可以提供具有多个微装置的施体衬底，所述微装置具有接合焊盘和填充所述微装置之间的空间的填料层。根据另一个实施例，可以从侧向功能装置去除所述施体衬底。根据一个实施例，可以在分离所述施体衬底(或所述微装置衬底)之后图案化所述底部层中的一或多个底部层。根据一些实施例，所述图案化可以通过使所述层完全隔离或在图案之间留下一些薄层来进行。根据其它实施例，可能需要特定欧姆接触以获得与经过图案化的底部导电层的适当连接。根据一个实施例，所述欧姆接触可以是不透明材料或透明材料之一。附图说明将参照表示本专利技术的优选实施例的附图更详细地描述本专利技术，在附图中：图1A展示了根据本专利技术的实施例的处于施体衬底上的侧向功能结构的横截面视图；图1B展示了根据本专利技术的实施例的具有沉积在其上的电流分布层的图1A的侧向结构的横截面视图；图1C展示了根据本专利技术的实施例的在图案化顶部介电导电层和沉积第二介电层之后的图1B的侧向结构的横截面视图；图1D展示了根据本专利技术的实施例的在图案化第二介电层之后的侧向结构的横截面视图；图1E展示了根据本专利技术的实施例的在沉积和图案化焊盘之后的侧向结构的横截面视图；图1F展示了根据本专利技术的实施例的在通过接合区域接合到系统衬底从而形成集成结构之后的侧向结构的横截面视图；图1G展示了根据本专利技术的实施例的在去除施体衬底和图案化底部电极之后的集成结构的横截面视图；图1H展示了根据本专利技术的实施例的在去除施体衬底和图案化底部电极之后的集成结构的横截面视图；图1I示出了根据本专利技术的实施例的具有带有欧姆接触的经过图案化的底部电极的集成结构的横截面视图；图1J-1示出了根据本专利技术的实施例的欧姆接触处于经过图案化的底部电极的隔离图案内部的集成结构的横截面视图；图1J-2示出了根据本专利技术的实施例的欧姆接触处于经过图案化的底部电极的隔离图案的边缘处的集成结构的横截面视图；图1K示出了根据本专利技术的实施例的用共同电极覆盖经过图案化的底部电极的集成结构的横截面视图；图2A展示了具有焊盘层的施体衬底上的侧向功能结构的另一个实施例的横截面视图；图2B展示了根据本专利技术的实施例的在图案化焊盘层和接触层和电流分布层之后的图2A的侧向结构的横截面视图；图2C展示了根据本专利技术的实施例的在填充经过图案化的焊盘之间的距离之后的图2A的侧向结构的横截面视图；图2D展示了根据本专利技术的实施例的通过经过图案化的焊盘对齐和接合到系统衬底的图2A的侧向结构的横截面视图；图2E展示了根据本专利技术的实施例的去除了装置衬底的图2A的侧向结构的横截面视图；图3A展示了根据本专利技术的实施例的装置(施体)衬底上的台面结构的横截面视图；图3B展示了根据本专利技术的实施例的填充图3A的台面结构之间的空白空间的步骤的横截面视图；图3C展示了根据本专利技术的实施例的将图3B的装置(台面结构)转移到临时衬底的步骤的横截面视图；图3D展示了根据本专利技术的实施例的将图3C的装置对齐和接合到系统衬底的步骤的横截面视图；图3E展示了根据本专利技术的实施例的将装置转移到系统衬底的步骤的横截面视图；图3F展示了根据本专利技术的实施例的热转移步骤的热曲线；图4A展示了根据本专利技术的实施例的具有槽和转移到其上的装置的临时衬底的横截面视图；图4B展示了根据本专利技术的实施例的在从装置空间与槽之间清理填料之后的图4A的临时衬底的横截面视图；图4C展示了根据本专利技术的实施例的通过破坏所释放表面将装置转移到系统衬底的步骤的横截面视图；图5A展示了根据本专利技术的实施例的具有不同锚固件的微装置的横截面视图；图5B展示了根据本专利技术的实施例的在对填充层进行后处理之后的微装置的横截面视图；图5C展示了根据本专利技术的实施例的图5B的微装置的俯视图；图5D展示了根据本专利技术的实施例的用于将微装置转移到另一衬底的转移步骤的横截面视图；图5E展示了根据本专利技术的实施例的转移到衬底的微装置的横截面视图；图6A展示了根据本专利技术的实施例的装置(施体)衬底上的台面结构的横截面视图；图6B展示了填充图6A的台面结构之间的空白空间的步骤的横截面视图；图6C展示了根据本专利技术的实施例的将图6B的装置(台面结构)转移到临时衬底的步骤的横截面视图；图6D展示了根据本专利技术的实施例的去除图6C的底部导电层的部分的步骤的横截面视图；图6E展示了根据本专利技术的实施例的在填充层中具有锚固件的微装置的横截面视图；图6F展示了根据本专利技术的实施例的在填充层中具有锚固件的微装置的横截面视图；图6G展示了根据本专利技术的实施例的在填充层中具有锚固件的微装置的横截面视图；图6H展示了在本专利技术的另一个实施例中的预备步骤的横截面视图；图6I展示了根据本专利技术的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造像素化结构的方法，其包括：/n提供包括多个像素化微装置的施体衬底；/n将来自所述施体衬底的选择性的一组所述像素化微装置接合到系统衬底；以及/n在将所述施体衬底与所述系统衬底分离之后，图案化所述像素化微装置的至少一个底部平面层。/n

【技术特征摘要】
20190409 US 62/831,403;20190815 US 16/542,0101.一种制造像素化结构的方法，其包括：
提供包括多个像素化微装置的施体衬底；
将来自所述施体衬底的选择性的一组所述像素化微装置接合到系统衬底；以及
在将所述施体衬底与所述系统衬底分离之后，图案化所述像素化微装置的至少一个底部平面层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个底部平面层包括以下之一：底部导电层或底部掺杂层。


3.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述至少一个底部平面层包括薄化所述至少一个底部平面层。


4.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述至少一个底部平面层包括形成所述至少一个底部平面层的隔离图案。


5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：
提供到所述底部平面层的所述隔离图案的欧姆接触，其中所述欧姆接触是透明材料或是不透明的。


6.根据权利要求5所述的方法，其中如果所述欧姆接触是不透明的，则图案化所述欧姆接触以提供光通路。


7.根据权利要求5所述的方法，其中提供到所述底部平面层的所述隔离图案的欧姆接触包括在所述底部平面层的所述隔离图案内部提供所述欧姆接触。


8.根据权利要求5所述的方法，其中提供到所述底部平面层的所述隔离图案的欧姆接触包括在所述底部平面层的所述隔离图案的边缘处提供所述欧姆接触。


9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述底部平面层的所述隔离图案之间沉积经过图案化的介电层。


10.根据权利要求9所述的方法，其中所述经过图案化的介电层在沉积所述欧姆接触之前或之后沉积。


11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在经过图案化的底部平面层上方提...

【专利技术属性】
技术研发人员：格拉姆雷扎·查济，埃桑诺拉·法蒂，
申请(专利权)人：维耶尔公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA