固态摄像器件和固态摄像装置制造方法及图纸

该固态摄像器件设置有：半导体基板，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有针对各像素区域设置的光电转换单元；杂质扩散区域，其针对各所述像素区域设置在所述半导体基板的所述第一表面附近；以及接触电极，其从所述第一表面嵌入在所述半导体基板中，并与针对彼此相邻的各所述像素区域设置的所述杂质扩散区域接触，并位于所述杂质扩散区域上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像器件和固态摄像装置
本公开涉及包括半导体基板的固态摄像器件以及包括该固态摄像器件的固态摄像装置。
技术介绍
近年来，已经开发了背面照射型的固态摄像器件(例如，参见专利文献1)。固态摄像器件在半导体基板的表面上具有多层布线层。在背面照射型中，光从半导体基板的背面进入半导体基板。半导体基板例如在每个像素区域中设有光电转换器和电荷累积部。在电荷累积部中，累积由光电转换器产生的信号电荷。电荷累积部包括其中扩散有n型杂质的杂质扩散区域。引用列表专利文献专利文献1：日本未审查专利申请公开第2016-39315号
技术实现思路
在这种固态摄像器件中，期望在多个像素之间共享杂质扩散区域。因此，期望提供一种固态摄像器件和固态摄像装置，该固态摄像器件和固态摄像装置使得能够在多个像素区域之间共享杂质扩散区域。根据本公开的实施例的固态摄像器件包括：半导体基板，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括针对每个像素区域设置的光电转换器；杂质扩散区域，其针对每个所述像素区域设置在所述半导体基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态摄像器件，其包括：/n半导体基板，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括针对每个像素区域设置的光电转换器；/n杂质扩散区域，其针对每个所述像素区域设置在所述半导体基板的所述第一表面附近；以及/n接触电极，其从所述第一表面嵌入在所述半导体基板中，并且设置在各自针对彼此相邻的所述像素区域中的每一者设置的所述杂质扩散区域上方，且与所述杂质扩散区域接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180516 JP 2018-0942261.一种固态摄像器件，其包括：
半导体基板，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括针对每个像素区域设置的光电转换器；
杂质扩散区域，其针对每个所述像素区域设置在所述半导体基板的所述第一表面附近；以及
接触电极，其从所述第一表面嵌入在所述半导体基板中，并且设置在各自针对彼此相邻的所述像素区域中的每一者设置的所述杂质扩散区域上方，且与所述杂质扩散区域接触。


2.根据权利要求1所述的固态摄像器件，还包括像素分离槽，所述像素分离槽设置在彼此相邻的所述像素区域之间，并且从所述第一表面至所述第二表面贯穿所述半导体基板。


3.根据权利要求2所述的固态摄像器件，其中，所述接触电极布置在与所述像素分离槽重叠的位置处。


4.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述接触电极的侧面的至少一部分和所述接触电极的底面与所述杂质扩散区域接触。


5.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述接触电极包括嵌入在所述半导体基板中的嵌入部和设置在所述半导体基板外部的露出部。


6.根据权利要求5所述的固态摄像器件，其中，所述露出部的宽度等于所述嵌入部的宽度。


7.根据权利要求5所述的固态摄像器件，其中，所述露出部设置为宽度比所述嵌入部的宽度宽。


8.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述接触电极设置在各自针对两个所述像素区域中的每一者设置的所述杂质扩散区域上方，并与所述杂质扩散区域接触。
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【专利技术属性】
技术研发人员：福井大伸，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP