金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明专利技术提供的金属氧化物阵列基板的制造方法包括在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，从而避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示设备
，尤其涉及一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，下层基板为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板。现有技术中，为了减少光刻次数，降低功耗，TFT阵列基板的金属氧化物TFT一般采用背沟道刻蚀结构，具体的，制备金属氧化物TFT时，先在金属氧化物半导体图形上沉积金属层，并刻蚀形成金属电极和沟道，其中金属电极包括金属源极和金属漏极，然后在其上继续沉积形成保护层，保护层可以起到绝缘和保护的作用。然而，在沉积保护层时，金属电极容易被氧化，同时会有水或氢渗透进入沟道，影响了TFT的性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能。第一方面，本专利技术提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，并通过光刻工艺在保护层上形成接触过孔，以使漏极露出，在阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。第二方面，本专利技术提供了一种阵列基板，采用上述金属氧化物阵列基板的制造方法制造而成。第三方面，本专利技术提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板本专利技术提供的金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，利用氧化铝层对金属电极和半导体图形起到隔离和保护作用，在保护层的沉积过程中，避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法的流程图；图2为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第一状态的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中在栅金属层上沉积缓冲层的流程图；图4为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态的结构示意图；图5为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第三状态的结构示意图；图6为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第四状态的结构示意图；图7为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中在氧化铝层上沉积保护层的流程图；图8为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第五状态的结构示意图；图9为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第六状态的结构示意图；图10为本专利技术实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第七状态的结构示意图。附图标记说明：10-衬底基板；20-栅极；30-缓冲层；40-半导体图形；50-源极；51-漏极；沟道-53；60-氧化铝层；70-保护层；701-有机绝缘层；702-无机绝缘层；80-透明导电层；接触过孔-90。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。首先，本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本专利技术的技术原理，并非旨在限制本专利技术的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其作出调整，以便适应具体的应用场合。其次，需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，还需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个构件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，下层基板为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板。现有技术中，为了减少光刻次数，降低功耗，TFT阵列基板的金属氧化物TFT一般采用背沟道刻蚀结构，具体的，制备金属氧化物TFT时，先在金属氧化物半导体图形上沉积金属层，并刻蚀形成金属电极和沟道，其中金属电极包括金属源极和金属漏极，然后在其上继续沉积形成保护层，保护层可以起到绝缘和保护的作用。然而，在沉积保护层时，金属电极容易被氧化，同时会有水或氢渗透进入沟道，影响了TFT的性能。具体的，在涂覆有机保护层时，涂覆过程中会有水经过沟道渗透进入TFT，造成水渗透到半导体层的表面，而在沉积无机保护层时，在沉积的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；/n在所述栅金属层上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在所述栅极上方形成半导体图形；/n在所述半导体图形上形成源极和漏极；/n在所述缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，所述氧化铝层覆盖所述半导体图形；/n在所述氧化铝层上沉积保护层，并通过光刻工艺在所述保护层上形成接触过孔，以使所述漏极露出；/n在所述阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；
在所述栅金属层上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在所述栅极上方形成半导体图形；
在所述半导体图形上形成源极和漏极；
在所述缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，所述氧化铝层覆盖所述半导体图形；
在所述氧化铝层上沉积保护层，并通过光刻工艺在所述保护层上形成接触过孔，以使所述漏极露出；
在所述阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。


2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为


3.根据权利要求2所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为


4.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层覆盖所述源极、所述漏极以及所述半导体图形。


5.根据权利要求1-4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51