【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于微型LED的显示面板
技术介绍
本文所述的实施方案涉及发光结构。更具体地,实施方案涉及基于微型发光二极管(LED)的显示面板。
技术介绍
用于便携式电子设备、计算机和电视的现有技术显示器通常利用具有薄膜晶体管(TFT)的玻璃衬底来控制基于液晶而穿过像素的背光传输。最近,已经引入了发射显示器,诸如基于有机发光二极管(OLED)的那些。更最近,已经提出将基于发射无机半导体的微LED集成到显示器中。更具体地,已经提出利用静电转移头的阵列将单独微型LED从承载衬底转移到显示器衬底。
技术实现思路
实施方案描述了发光结构和形成发光结构的方法。在一个实施方案中,形成发光结构的方法包括:在一个或多个对应临时衬底上形成一种或多种的多个LED试样块,将一种或多种的多个LED试样块转移到承载衬底,将一种或多种的多个LED试样块图案化成LED台面结构,以及将LED台面结构转移到显示器衬底。在一些实施方案中,在转移到显示器衬底之前,也可以围绕LED台面结构形成阱结构。另外,混合粘结可以用于粘结到显示器衬底。根据实施方案的处理序列可以用于形成单色显示器和全彩色显示器。在一个实施方案中,发光结构包括粘结到衬底(诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底)的电极焊盘的LED。LED可以包括基于无机半导体的p-n二极管和粘结到电极焊盘的金属底部触点。绝缘填充层可以另外横向围绕LED和金属底部触点定位。在一个实施方案中,通过金属-金属粘结将金属底部触点的平面底表面粘结到电极焊盘的平面顶表面,并且通过 ...
【技术保护点】
1.一种发光结构,包括:/n发光二极管(LED),所述发光二极管粘结到衬底的电极焊盘,其中所述LED包括基于无机半导体的p-n二极管和粘结到所述电极焊盘的金属底部触点;/n绝缘填充层,所述绝缘填充层横向围绕所述LED和所述金属底部触点。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180124 US 62/621,3671.一种发光结构,包括:
发光二极管(LED),所述发光二极管粘结到衬底的电极焊盘,其中所述LED包括基于无机半导体的p-n二极管和粘结到所述电极焊盘的金属底部触点;
绝缘填充层,所述绝缘填充层横向围绕所述LED和所述金属底部触点。
2.根据权利要求1所述的发光结构,其中通过金属-金属粘结将所述金属底部触点的平面底表面粘结到所述电极焊盘的平面顶表面,并且通过氧化物-氧化物粘结将所述绝缘填充层的平面底表面粘结到所述衬底的平面顶表面。
3.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述LED安装在嵌入所述绝缘填充层内的阱结构内。
4.根据权利要求3所述的发光结构,其中所述阱结构是反射阱结构,包括横向围绕阱材料的反射金属层,其中所述阱材料横向围绕所述阱结构内的所述LED。
5.根据权利要求4所述的发光结构,其中所述反射金属层是连续层,所述连续层在所述LED周围和下方并且在所述阱材料中位于所述LED正下方的开口内跨越。
6.根据权利要求5所述的发光结构,其中:
通过金属-金属粘结将所述金属底部触点的平面底表面粘结到所述电极焊盘的平面顶表面;
通过氧化物-氧化物粘结将所述绝缘填充层的平面底表面粘结到所述衬底的平面顶表面;
并且所述衬底是CMOS衬底。
7.根据权利要求4所述的发光结构,其中所述p-n二极管具有小于5微米的最大宽度以及小于3微米的最大高度。
8.根据权利要求7所述的发光结构,其中所述反射阱结构包括反射侧壁,所述反射侧壁的特征在于所述侧壁相对于水平的角度为50-80度。
9.根据权利要求8所述的发光结构,还包括位于所述LED和所述反射阱结构上方的具有侧壁的微光学元件,其中所述微光学元件的所述侧壁的特征在于所述侧壁相对于水平的角度为70-85度。
10.根据权利要求8所述的发光结构,还包括位于所述LED和所述反射阱结构上方的具有围绕光学材料的反射侧壁的微光学元件,其中所述光学材料填充有颜色转换材料,并且所述微光学元件的所述反射侧壁的特征在于所述侧壁相对于水平的角度为45-60度。
11.根据权利要求7所述的发光结构,还包括:
微光学元件,所述微光学元件位于所述LED和所述反射阱结构上方;以及
滤光器,所述滤光器位于所述微光学元件上方,其中所述微光学元件包括填充有量子点的光学材料,并且所述滤光器封装填充有量子点的所述光学材料。
12.根据权利要求11所述的发光结构,其中所述滤光器包括用于反射从所述LED发射的光的回收部分,以及用于仅使从所述量子点发射的近似法向入射的光通过的准直部分,所述准直部分在所述回收部分上方。
13.一种发光结构,包括:
第一发光二极管(LED),所述第一发光二极管包括被设计成发射第一颜色发射的第一基于无机半导体的p-n二极管,以及粘结到第一电极焊盘的第一金属底部触点;以及
第二LED,所述第二LED包括被设计成发射与所述第一颜色发射不同的第二颜色发射的第二基于无机半导体的p-n二极管,以及粘结到第二电极焊盘的第二金属底部触点;
其中所述第一金属底部触点比所述第二金属底部触点更厚,并且所述第二基于无机半导体的p-n二极管比所述第一基于无机半导体的p-...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·S·斯佐夫,I·比塔,JJ·P·德罗莱特,J·T·伦纳德,J·S·斯特克尔,N·T·劳伦塞,辛晓滨,R·博斯,
申请(专利权)人:苹果公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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