一种阵列基板及其制造方法和显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。所述阵列基板的制作方法包括在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤；其中，所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体形成在同一层。本申请在实现窄边框的同时，可以降低显示区中电路的功耗，另外本申请将氧化物半导体和非晶硅半导体做到一层后，同时对两个半导体结晶处理，这样既不影响非晶硅转变为多晶硅的制程，又能增加阵列基板的稳定性。

An Array Substrate and Its Manufacturing Method and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法和显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。
技术介绍
显示装置无论是液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)，还是有机电致发光显示装置(OrganicLight-EmittingDisplay，简称OLED)都设置有主动开关(ThinFilmTransistor，简称TFT)，主动开关的性能极大地影响着显示装置的性能。在显示装置中，主动开关可以设置在显示区域(即AA区)，用于对像素的显示进行控制，也可以设置在非显示区域例如栅极驱动电路(GateOnArray，简称GOA)区域作为驱动电路的一部分。主动开关可以通过有源层的材料分为非晶硅主动开关、低温多晶硅(LTPS)主动开关和氧化物半导体主动开关。非晶硅主动开关虽然被广泛应用于显示领域，但是其体积较大不易实现窄边框，且其功耗也较大。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制造方法和显示面板，以达到兼顾减小边框和降低功耗的效果。本申请公开了一种阵列基板的制造方法，包括在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤；其中，所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体形成在同一层。可选的，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在显示区形成第一半导体层图案；在非显示形成第二半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未掺杂的多晶硅半导体；对未掺杂的所述多晶硅半导体进行重掺杂和轻掺杂，形成本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；在结晶氧化物半导体和多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一栅极、第二栅极；以及同步形成第一主动开关和第二主动开关的第二绝缘层，同步形成第一主动开关的第一源极、第一漏极，以及第二主动开关的第二源极、第二漏极；同步形成第一主动开关和第二主动开关的第三绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的透明电极层。可选的，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在非显示形成第二半导体层图案；在显示区形成第一半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未被掺杂的多晶硅半导体；对未掺杂的所述多晶硅半导体进行重掺杂和轻掺杂，形成本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；在结晶氧化物半导体和多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一栅极、第二栅极；以及同步形成第一主动开关和第二主动开关的第二绝缘层，同步形成第一主动开关的第一源极、第一漏极，以及第二主动开关的第二源极、第二漏极；同步形成第一主动开关和第二主动开关的第三绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的透明电极层。可选的，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在显示区形成第一半导体层图案；在非显示形成第二半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未被掺杂的多晶硅半导体；在所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一栅极、第二栅极；对未掺杂的所述多晶硅半导体进行重掺杂和轻掺杂，形成本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；以及同步形成第一主动开关和第二主动开关的第二绝缘层，同步形成第一主动开关的第一源极、第一漏极，以及第二主动开关的第二源极、第二漏极；同步形成第一主动开关和第二主动开关的第三绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的透明电极层。可选的，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在非显示形成第二半导体层图案；在显示区形成第一半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未被掺杂的多晶硅半导体；在所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一栅极、第二栅极；对未掺杂的所述多晶硅半导体进行重掺杂和轻掺杂，形成本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；以及同步形成第一主动开关和第二主动开关的第二绝缘层，同步形成第一主动开关的第一源极、第一漏极，以及第二主动开关的第二源极、第二漏极；同步形成第一主动开关和第二主动开关的第三绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的透明电极层。可选的，对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未掺杂的多晶硅半导体的步骤中，所述结晶处理为镭射工艺。本申请还公开了一种阵列基板，划分为显示区和非显示区，包括：第一主动开关，形成在所述显示区，所述第一主动开关包括结晶氧化物半导体；第二主动开关，形成在所述非显示区，所述第二主动开关包括多晶硅半导体；其中，所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体设置在同一层。可选的，所述结晶氧化物半导体为C轴氧化铟镓锌。可选的，所述第一主动开关包括第一过孔、第二过孔、第一源极和第一漏极，所述第二主动开关包括第三过孔、第四过孔、第二源极和第二漏极；所述第一源极通过所述第一过孔与所述结晶氧化物半导体一端连接，所述第一漏极通过所述第二过孔与所述结晶氧化物半导体另一端连接；所述第二源极通过所述第三过孔与所述多晶硅半导体一端连接，所述第二漏极通过所述第四过孔与所述多晶硅半导体另一端连接；所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极设置在同一层。本申请还公开了一种显示面板，包括彩膜基板、如上所述的阵列基板，以及设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。本申请在实现窄边框的同时，可以降低显示区中电路的功耗，另外本申请将氧化物半导体和非晶硅半导体做到一层后，同时对两个半导体结晶处理，这样既不影响非晶硅转变为多晶硅的制程，又能增加阵列基板的稳定性，这是因为结晶态的氧化物半导体为层状的结晶结构，无晶界，材料本身的氧缺陷非常少。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本申请的一实施例的一种阵列基板制造方法的示意图；图2是本申请的另一实施例的一种阵列基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤；其中，所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体形成在同一层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤；其中，所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体形成在同一层。2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在显示区形成第一半导体层图案；在非显示形成第二半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未掺杂的多晶硅半导体；对未掺杂的所述多晶硅半导体进行重掺杂和轻掺杂，形成本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；在结晶氧化物半导体和多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一栅极、第二栅极；以及同步形成第一主动开关和第二主动开关的第二绝缘层，同步形成第一主动开关的第一源极、第一漏极，以及第二主动开关的第二源极、第二漏极；同步形成第一主动开关和第二主动开关的第三绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的透明电极层。3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在非显示形成第二半导体层图案；在显示区形成第一半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未被掺杂的多晶硅半导体；对未掺杂的所述多晶硅半导体进行重掺杂和轻掺杂，形成本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；在结晶氧化物半导体和多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一栅极、第二栅极；以及同步形成第一主动开关和第二主动开关的第二绝缘层，同步形成第一主动开关的第一源极、第一漏极，以及第二主动开关的第二源极、第二漏极；同步形成第一主动开关和第二主动开关的第三绝缘层，同步形成第一主动开关和第二主动开关的透明电极层。4.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤中，包括步骤：在显示区形成第一半导体层图案；在非显示形成第二半导体层图案；对所述第一半导体层图案和所述第二半导体层图案进行结晶处理，使所述第一半导体层图案变成结晶氧化物半导体，使所述第二半导体层图案变成未被掺杂的多晶硅半导体；在所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体上同步形成第一主动开关和第二主动开关的第一绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，雍万飞，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，滁州惠科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44