电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种应用于底发射型OLED的电致发光器件，包括从上至下依次设置的玻璃基板、缓冲层、透明阴极、发光层和金属阳极，其特征在于，在透明阴极背离发光层的一面形成有磁性导电层。本发明专利技术还提供一种应用于顶发射型OLED的电致发光器件，包括从上至下依次设置的金属阴极、发光层和透明阳极，其特征在于，在金属阴极背离发光层的一面形成有磁性导电层。本发明专利技术通过磁性导电层产生的磁场效应能够使三线态激子聚集在一起发生碰撞，从而提高EL器件的发光亮度。

Electroluminescent Devices

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件
本专利技术涉及电致发光器件
，更为具体地，涉及一种电致发光器件。
技术介绍
电致发光(electroluminescent)，又可称电场发光，简称EL，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。据激子复合发光理论，电子(e)和空穴(h)分别从器件负极和正极注入，到达发光区的界面附近时，由于受库仑力的作用，电子和空穴相互靠近并束缚在一起，形成了电子(e)-空穴对(h)，这种电子-空穴对可以转化成两种激子：一是形成可发射光子的单线态激子S*(↑↓-↓↑)，这一过程的原因是电荷转移态CTs(chargetransferexcitons:自旋为0),单线态激子S*(↑↓-↓↑)电子和空穴的自旋矢量和为零；另一种则是CTT(自旋为1)通过电荷转移态形成三线态激子(T+:↑↑),(T0:↑↓+↓↑)和(T-:↓↓)]，这种三度简并的三线态激子在外加磁场作用下分裂为3个分立的能态，但是单线态不受磁场影响，并且由于三线态T到单线态S的跃迁(T1→S1+hv)是“禁阻”的，所以三线态激子本身是不能跃迁发射荧光的。因此，如何利用三线态激子增加EL器件的发光亮度成为难题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种电致发光器件，以解决三线态激子无法增加EL器件发光亮度的问题。本专利技术提供一种应用于底发射型OLED的电致发光器件，包括：从上至下依次设置的第一玻璃基板、缓冲层、透明阴极、发光层、金属阳极和第二玻璃基板，其特征在于，在透明阴极与缓冲层之间形成有磁性导电层。此外，优先的结构是，磁性导电层为铁钴合金材料制成的磁性薄膜。本专利技术还提供一种应用于顶发射型OLED的电致发光器件，包括：从上至下依次设置的第一玻璃基板、金属阴极、发光层、透明阳极和第二玻璃基板，其特征在于，在金属阴极与第一玻璃基板之间形成有磁性导电层。另外，优先的结构是，磁性导电层为铁钴合金及氟化铝材料制成的纳米颗粒薄膜。利用上述本专利技术的电致发光器件，能够取得以下技术效果：1、对于顶发射，通过在金属阴极上形成的磁性导电层产生的磁场效应能够使三线态激子聚集在一起发生碰撞，从而提高EL器件的发光亮度；2、对于底发射，通过在透明阴极上形成的磁性导电层产生的磁场效应能够使三线态激子聚集在一起发生碰撞，从而提高EL器件的发光亮度。附图说明通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本专利技术的更全面理解，本专利技术的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：图1为根据本专利技术实施例一的电致发光器件的结构图；图2为根据本专利技术实施例二的电致发光器件的结构图。其中的附图标记包括：金属阴极1、发光层2、透明阳极3、第一玻璃基板4、第二玻璃基板5、磁性导电层6、透明阴极1`、发光层2`、金属阳极3`、第一玻璃基板4`、第二玻璃基板5`、磁性导电层6`、缓冲层7`。具体实施方式在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。本专利技术提供的电致发光器件应用于OLED产品，OLED产品按发光方式分为两种发光结构，分别为顶发射和底发射，本专利技术针对顶发射和底发射两种发光结构分别作出了改进。下面以两个实施例对本专利技术提供的电致发光器件作出详细的说明，实施例一为顶发射结构，实施例二为底发射结构。实施例一图1示出了根据本专利技术实施例一的电致发光器件的结构。如图1所示，本专利技术实施例一提供的电致发光器件，包括：第一玻璃基板4、金属阴极1、发光层2、透明阳极3和第二玻璃基板5，在金属阴极1与第一玻璃基板4之间形成有磁性导电层6，磁性导电层6为铁钴合金材料制成的磁性薄膜，通过蒸镀、旋涂、或者溅射等方式形成在金属阴极1的表面，用于通过增强磁场效应使三线态激子聚集在一起，增加三线态激子间的相互碰撞，产生附加的激发单线态激子经过弛豫发光以达到增强发光的目的，提高EL器件的发光亮度。金属阴极1、发光层2、透明阳极3、第一玻璃基板4、第二玻璃基板5均为现有结构，故在本专利技术中不再赘述。实施例二图2示出了根据本专利技术实施例二的电致发光器件的结构。如图2所示，本专利技术实施例二提供的电致发光器件，包括：从上至下依次设置的第一玻璃基板4`、缓冲层7`、透明阴极1`、发光层2`、金属阳极3`和第二玻璃基板5`，在透明阴极1`与缓冲层7`之间形成有磁性导电层6`，磁性导电层6`为铁钴合金及氟化铝材料制成的透明的纳米颗粒薄膜，该纳米颗粒薄膜通过蒸镀、旋涂、或者溅射等方式形成在透明阴极1`的表面，用于通过增强磁场效应使三线态激子聚集在一起，增加三线态激子间的相互碰撞，产生附加的激发单线态激子经过弛豫发光以达到增强发光的目的，提高EL器件的发光亮度。透明阴极1`、发光层2`、金属阳极3`、第一玻璃基板4`、第二玻璃基板5`、缓冲层7均为现有结构，故在本专利技术中不再赘述。以上，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件，应用于底发射型OLED，包括：从上至下依次设置的第一玻璃基板、缓冲层、透明阴极、发光层、金属阳极和第二玻璃基板，其特征在于，在所述透明阴极与所述缓冲层之间形成有磁性导电层。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，应用于底发射型OLED，包括：从上至下依次设置的第一玻璃基板、缓冲层、透明阴极、发光层、金属阳极和第二玻璃基板，其特征在于，在所述透明阴极与所述缓冲层之间形成有磁性导电层。2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述磁性导电层为铁钴合金材料制成的磁性薄膜。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：王立忠，王冠然，丛林，孟昭晖，
申请(专利权)人：吉林师范大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22