一种MoS2/ZIF-67核壳材料及其制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了一种MoS<subgt;2</subgt;/ZIF‑67核壳材料，MoS<subgt;2</subgt;/ZIF‑67核壳材料呈立方体状，MoS<subgt;2</subgt;纳米片在ZIF‑67的表面均匀分布并将ZIF‑67包覆形成壳核结构，MoS<subgt;2</subgt;纳米片呈1T相和2H相。本发明专利技术还公开了上述MoS<subgt;2</subgt;/ZIF‑67核壳材料的制备方法和其在电催化、表面增强拉曼光谱检测中的应用。本发明专利技术还公开了一种电极，在电极表面附着有薄膜，薄膜中含有上述MoS<subgt;2</subgt;/ZIF‑67核壳材料。本发明专利技术还公开了一种电催化制氢的方法和一种增强SERS检测灵敏度的方法。本发明专利技术所述MoS<subgt;2</subgt;/ZIF‑67核壳材料具有较大的比表面积和反应的活性位点，具有优异的电催化和SERS性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及催化剂，尤其涉及一种mos2/zif-67核壳材料及其制备方法、应用。

技术介绍

1、良好的生态环境是人类健康生存和发展的基础。虽然准备清洁能源以缓解全球能源危机很重要，但关注人类健康也至关重要。异质结构材料的集成是现代材料研究的支柱，它使半导体材料在催化、储能和传感方面的应用成为可能。不同材料之间的界面可以产生新的功能，这在实际应用中也是至关重要的。然而，如何设计出低成本、高稳定性、便捷性的高效多功能异质结构材料仍然是一个很大的挑战。

2、mos2因其储量丰富、电催化性能优异、化学稳定性高而受到广泛关注。然而，因为mos2活性位点往往只存在于边缘，其催化析氢活性和表面增强拉曼光谱(sers)性质有限。与半导体性质的2h-mos2不同，1t相mos2表现出金属性质，电子导电性比2h-mos2高出约105倍。然而，1t-mos2的热不稳定性质使得它难以直接合成，并且在自然条件下不稳定，这极大地限制了它的应用。

技术实现思路

1、基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种mos2/本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MoS2/ZIF-67核壳材料，其特征在于，MoS2/ZIF-67核壳材料呈立方体状，MoS2纳米片在ZIF-67的表面均匀分布并将ZIF-67包覆形成壳核结构，MoS2纳米片呈1T相和2H相。

2.根据权利要求1所述MoS2/ZIF-67核壳材料，其特征在于，MoS2纳米片的厚度为10-20nm；优选地，MoS2/ZIF-67核壳材料立方体的边长为3.5-4.5μm。

3.一种如权利要求1或2所述MoS2/ZIF-67核壳材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将含有钼源、硫源水溶液与ZIF-67混匀，进行水热反应，得到MoS2/ZIF-67核壳材料。...

【技术特征摘要】

1.一种mos2/zif-67核壳材料，其特征在于，mos2/zif-67核壳材料呈立方体状，mos2纳米片在zif-67的表面均匀分布并将zif-67包覆形成壳核结构，mos2纳米片呈1t相和2h相。

2.根据权利要求1所述mos2/zif-67核壳材料，其特征在于，mos2纳米片的厚度为10-20nm；优选地，mos2/zif-67核壳材料立方体的边长为3.5-4.5μm。

3.一种如权利要求1或2所述mos2/zif-67核壳材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将含有钼源、硫源水溶液与zif-67混匀，进行水热反应，得到mos2/zif-67核壳材料。

4.根据权利要求3所述mos2/zif-67核壳材料的制备方法，其特征在于，水热反应的温度为220-240℃，时间为18-20h；优选地，钼源为钼酸盐、钼酸盐水合物或磷钼酸中的至少一种；优选地，硫源为硫脲、硫代乙酰胺、硫代乙酸钠中的至少一种；优选地，钼源中的钼元素、硫源中的硫元素的摩尔比为1:32-36；优选地，钼源与zif-67的比值为1mmol:0.18-0.31g；优选地，水热反应后，固液分离，洗涤，干燥得到mos2/zif-67核壳材料；优选地，干燥温度为50-60℃。

5.根据权利要求3或4所述mos2/zif-67核壳材料的制备方法，其特征在于，在zif-67的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：高铭，王众，李佳，张禹晨，申赫，
申请(专利权)人：吉林师范大学，
类型：发明
国别省市：