发光装置制造方法及图纸

一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。

【技术实现步骤摘要】
发光装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0175435的优先权的利益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本公开涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
已知半导体发光装置是下一代光源，其优点有诸如寿命长、功耗低、响应速度快、环境友好等，并且作为诸如照明装置、显示装置等的各种产品的期望光源而受到关注。根据现有技术的显示装置通常包括液晶显示器(LCD)显示面板和背光。然而，近来研发了其中将单个LED装置按照现状用作单个像素的显示装置，因此不单独需要背光。与根据现有技术的LCD相比，显示装置不仅可以是紧凑的，还可提供具有优秀光学效率的高亮度显示。此外，由于可以自由地改变显示屏的宽高比并且在大面积内实现显示，所以可提供各种类型的大显示器。
技术实现思路
示例性实施例是提供一种具有经过改善的光提取效率的半导体发光装置。示例性实施例是提供一种具有经过改善的色纯度和色坐标均匀度的半导体发光装置。示例性实施例是提供一种具有高分辨率显示的半导体发光装置。在一些示例性实施例中，本公开涉及半导体发光装置，该半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件、布置在第一半导体堆叠件下方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和布置在第一半导体堆叠件上方的第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件、布置在第二半导体堆叠件下方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和布置在第二半导体堆叠件上方的第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件、布置在第三半导体堆叠件下方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和布置在第三半导体堆叠件上方的第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第二粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。在一些示例性实施例中，本公开涉及半导体发光装置，该半导体发光装置包括：衬底；第一下分散式布拉格反射器(DBR)层，其布置在衬底上；第一半导体堆叠件，其布置在第一下分散式布拉格反射器(DBR)层上，并且被构造为发射具有第一波长的第一光；第一上分散式布拉格反射器(DBR)层，其布置在第一半导体堆叠件上；第一粘合层，其布置在第一上分散式布拉格反射器(DBR)层上；第二下分散式布拉格反射器(DBR)层，其布置在第一粘合层上；第二半导体堆叠件，其布置在第二下分散式布拉格反射器(DBR)层上，并且被构造为发射具有比第一波长更短的第二波长的第二光；第二上分散式布拉格反射器(DBR)层，其布置在第二半导体堆叠件上；第二粘合层，其布置在第二上分散式布拉格反射器(DBR)层上；第三下分散式布拉格反射器(DBR)层，其布置在第二粘合层上；第三半导体堆叠件，其布置在第三下分散式布拉格反射器(DBR)层上，并且被构造为发射具有比第二波长更短的第三波长的第三光；以及第三上分散式布拉格反射器(DBR)层，其布置在第三半导体堆叠件上。在一些示例性实施例中，本公开涉及半导体发光装置，该半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件、布置在第一半导体堆叠件下方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和布置在第一半导体堆叠件上方的第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件、布置在第二半导体堆叠件下方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和布置在第二半导体堆叠件上方的第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件、布置在第三半导体堆叠件下方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和布置在第三半导体堆叠件上方的第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第二粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间，其中，第一下分散式布拉格反射器(DBR)层相对于由第一半导体堆叠件发射的红光的反射率高于第一上分散式布拉格反射器(DBR)层的反射率，第二下分散式布拉格反射器(DBR)层相对于由第二半导体堆叠件发射的绿光的反射率高于第二上分散式布拉格反射器(DBR)层的反射率，并且第三下分散式布拉格反射器(DBR)层相对于由第三半导体堆叠件发射的蓝光的反射率高于第三上分散式布拉格反射器(DBR)层的反射率。附图说明将从以下结合附图的详细说明中更加清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和其它优点，其中：图1是示意性地示出根据示例实施例的半导体发光装置的结构的剖视图；图2至图5是示出制造图1的半导体发光装置的方法的剖视图；图6是示意性地示出根据示例实施例的半导体发光装置的结构的剖视图；图7至图10是示出制造图6的半导体发光装置的方法的剖视图；图11是示意性地示出根据示例实施例的半导体发光装置的结构的剖视图；图12和图13是示出制造图11的半导体发光装置的方法的剖视图；图14是示意性地示出根据示例实施例的显示面板的透视图；以及图15是地示出根据示例实施例的虚拟现实装置的透视图。具体实施方式下文中，将参照附图详细描述本公开的示例实施例。图1是示意性地示出根据示例实施例的半导体发光装置的结构的剖视图。参照图1，根据示例实施例的半导体发光装置10可包括竖直堆叠的第一发光部分L1、第二发光部分L2和第三发光部分L3。在第一发光部分L1与第二发光部分L2之间布置第一粘合层12，而在第二发光部分L2与第三发光部分L3之间布置第二粘合层14。第一发光部分L1可包括导电衬底101、第一半导体堆叠件125、在竖直方向上布置在第一半导体堆叠件125上方的第一上分散式布拉格反射器(DBR)层140和在竖直方向上布置在第一半导体堆叠件125下方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层110、第一电极131、以及第二电极136。第一下分散式布拉格反射器(DBR)层110可形成在导电衬底101的上表面上。第一电极131可布置在导电衬底101的下表面上。例如，导电衬底101可为n型掺杂的GaAs衬底。可在第一上分散式布拉格反射器(DBR)层140上形成p型半导体层142。第二电极136可布置在P型半导体层142的上表面上。第一半导体堆叠件125可形成在第一下分散式布拉格反射器(DBR)层110上。第一上分散式布拉格反射器(DBR)层140可形成在第一半导体堆叠件125上。第一半导体堆叠件125可用作相对于第一下分散式布拉格反射器(DBR)层110和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层140的第一谐振腔C1。例如，第一半导体堆叠件125可在相对两侧上被第一下分散式布拉格反射器(DBR)110和第一上分散式布拉格反射器(DBR)140所限制，并且可在第一下分散式布拉格反射器(DBR)110与第一上分散式布拉格反射器(DBR)140之间提供间隔。由第一半导体堆叠件125发射的第一光可被第一下分散式布拉格反射器(DBR)110和第一上分散式布拉格反射器(DBR)140的内表面(即，邻近于并面对第一半导体堆叠件125的表面)反射。第一谐振腔C1在竖直方向上的厚度可对应于将由第一发光部分L1发射的第一光的期望波长。例如，厚度可等于将由第一发光部分L1发射的第一光的期望波长的半波长(λ/2)或半波长(λ/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光装置，包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件、布置在所述第一半导体堆叠件下方的第一下分散式布拉格反射器层和布置在所述第一半导体堆叠件上方的第一上分散式布拉格反射器层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件、布置在所述第二半导体堆叠件下方的第二下分散式布拉格反射器层和布置在所述第二半导体堆叠件上方的第二上分散式布拉格反射器层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件、布置在所述第三半导体堆叠件下方的第三下分散式布拉格反射器层和布置在所述第三半导体堆叠件上方的第三上分散式布拉格反射器层；第一粘合层，其布置在所述第一发光部分与所述第二发光部分之间；以及第二粘合层，其布置在所述第二发光部分与所述第三发光部分之间。

【技术特征摘要】
2017.12.19 KR 10-2017-01754351.一种半导体发光装置，包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件、布置在所述第一半导体堆叠件下方的第一下分散式布拉格反射器层和布置在所述第一半导体堆叠件上方的第一上分散式布拉格反射器层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件、布置在所述第二半导体堆叠件下方的第二下分散式布拉格反射器层和布置在所述第二半导体堆叠件上方的第二上分散式布拉格反射器层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件、布置在所述第三半导体堆叠件下方的第三下分散式布拉格反射器层和布置在所述第三半导体堆叠件上方的第三上分散式布拉格反射器层；第一粘合层，其布置在所述第一发光部分与所述第二发光部分之间；以及第二粘合层，其布置在所述第二发光部分与所述第三发光部分之间。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一发光部分布置在所述第二发光部分下方，所述第三发光部分布置在所述第二发光部分上方，其中，所述第一半导体堆叠件被构造为发射红光，所述第二半导体堆叠件被构造为发射绿光，所述第三半导体堆叠件被构造为发射蓝光。3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述第一下分散式布拉格反射器层相对于由所述第一半导体堆叠件发射的红光的反射率高于所述第一上分散式布拉格反射器层的反射率，其中，所述第二下分散式布拉格反射器层相对于由所述第二半导体堆叠件发射的绿光的反射率高于所述第二上分散式布拉格反射器层的反射率，并且其中，所述第三下分散式布拉格反射器层相对于由所述第三半导体堆叠件发射的蓝光的反射率高于所述第三上分散式布拉格反射器层的反射率。4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一下分散式布拉格反射器层、所述第一上分散式布拉格反射器层、所述第二下分散式布拉格反射器层和所述第三上分散式布拉格反射器层中的每一个具有其中具有不同的折射率的两个类型的半导体层堆叠的结构，并且其中，所述第二上分散式布拉格反射器层和所述第三下分散式布拉格反射器层中的每一个具有其中具有不同的折射率的两个类型的绝缘层堆叠的结构。5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述第一发光部分还包括：导电衬底，其布置在所述第一下分散式布拉格反射器层的下方；第一电极，其布置在所述导电衬底的下表面上；以及第二电极，其布置在所述第一上分散式布拉格反射器层上。6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其中，所述第二半导体堆叠件包括第一n型半导体层、有源层、和第一p型半导体层，并且其中，所述第二发光部分包括穿过所述第一p型半导体层和所述有源层并且连接至所述第一n型半导体层的第三电极、布置在所述第一p型半导体层的上表面的第一区域中的第四电极、和布置在所述第一p型半导体层的上表面的第二区域中的第一透明电极。7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述第三半导体堆叠件包括第二n型半导体层、有源层、和第二p型半导体层，并且其中，所述第三发光部分包括穿过所述第二p型半导体层和所述有源层并且连接至所述第二n型半导体层的第五电极、布置在所述第二p型半导体层的上表面的第一区域中的第六电极、和布置在所述第二p型半导体层的上表面的第二域区中的第二透明电极。8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述第二电极、所述第四电极、和所述第六电极在竖直方向上彼此堆叠，所述第一透明电极和所述第二透明电极在竖直方向上彼此堆叠，所述第三电极和所述第五电极在竖直方向上彼此堆叠。9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，所述第三电极和所述第五电极彼此相对，所述第四电极和所述第六电极彼此相对，所述第一透明电极和所述第二透明电极彼此相对。10.根据权利要求9所述的半导体发光装置，还包括：布置在所述第三发光部分上的透光衬底。11.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中当在平面图中观察时，所述第一透明电极的面积大于所述第四电极的面积，并且当在平面图中观察时，所述第二透明电极的面积大于所述第六电极的面积。12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一粘合层和所述第二粘合层包括二氧化硅或者具有低介电常数的绝缘材料。13.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述第一半导体堆叠件包括第一n型半导体层、有源层、和第一p型半导体层，并且其中，所述第一发光部分包括穿过所述第一p型半导体层和所述有源层并且连接至所述第一n型半导体层的第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东建，金容一，李振燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR