进气装置及化学气相沉积设备制造方法及图纸

本揭示提供一种进气装置及化学气相沉积设备，包括送气装置、与送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置，其中，气体缓存装置还包括节流板与扩散板，节流板上设置有若干气孔，所述节流板与送气装置相靠近的区域上的气孔的孔径小，节流板与送气装置越远离的区域上的气孔的孔径越大，气体通过节流板上不同孔径大小的气孔后，气体变得均匀，在后续沉积成膜时，提高了成膜质量。

Intake device and chemical vapor deposition equipment

The present disclosure provides an air intake device and a chemical vapor deposition device, including a gas feeding device, a baffle connected with the gas feeding device and a gas buffer device. The gas buffer device also includes a throttle plate and a diffusion plate. A number of air holes are arranged on the throttle plate. The aperture of the air holes in the area close to the gas feeding device is small, and the farther away the throttle plate and the gas feeding device are. The larger the pore size in the region, the more uniform the gas will be when it passes through the different pore sizes on the throttle plate, and the film quality will be improved by subsequent deposition.

【技术实现步骤摘要】
进气装置及化学气相沉积设备
本揭示涉及CVD进气系统，尤其涉及一种进气装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)，是指反应物质在气态的条件下，在装置衬底的表面发生反应形成薄膜的过程。CVD设备是生产发光二极管(LightEmittingDiode，LED)的关键设备。在CVD设备工作时，通过调整工艺气体以及工艺温度，进而在LED的衬底上沉积各种薄膜，因此，在沉积过程中，反应腔内的条件对成膜质量有重要的影响。现有CVD设备中，大都使用的挡板(BafflePlate，BP)和扩散板(Diffuser)对传输气体进行分布控制，当气体经进气管进入，通过BP向Diffuser扩散进而进入反应腔室内，但是由于CVD设备的混合气体进气管道与扩散板之间的位置的关系，反应气体在经过扩散板进入反应室时，从中心往四周扩散，这种扩散形式不能实现完全分布均匀，腔体中心的气流大，而腔体边缘处的气流小，在薄膜的沉积过程中，这种气体扩散的不均匀性造成薄膜沉积不均匀，影响薄膜质量。综上所述，CVD设备中在通入气流，当气流通过挡板及扩散板时，腔内各部位的分布及流速不均匀，这种扩散不均匀的气流在反应成膜时，薄膜的沉积不均匀，使得薄膜良率下降。
技术实现思路
本揭示提供一种进气装置及化学气相沉积设备，以解决CVD气相沉积设备中，气流在经过挡板及扩散板时，气体扩散不均匀、进气流量均匀度不一致，进而成膜质量差等问题。为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种进气装置，包括：送气装置、与送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置；其中，所述气体缓存装置与所述挡板相连接，其中，所述气体缓存装置还包括节流板与扩散板，所述节流板上还设置有多个气孔，所述节流板与所述送气装置越靠近的区域上的所述气孔的孔径越小，所述节流板与所述送气装置越远离的区域上的所述气孔的所述孔径越大；所述扩散板设置在所述气体缓存装置的底部。根据本揭示一实施例，所述节流板为圆形节流板，所述节流板上的所述气孔的所述孔径由所述节流板的中心向所述节流板的圆周方向逐渐增大。根据本揭示一实施例，所述节流板为可拆卸的拼接式节流板。根据本揭示一实施例，所述扩散板上各区域的多个扩散孔的孔径大小相同。根据本揭示一实施例，所述扩散板为圆形板。根据本揭示一实施例，所述送气装置的送气口与所述节流板的中心区域相对。根据本揭示一实施例，所述，所述扩散板上还设置有多个扩散孔，所述节流板与所述扩散板之间形成气体缓冲区。根据本揭示一实施例，所述挡板与所述节流板之间的距离不大于所述节流板与所述扩散板之间的距离。根据本揭示一实施例，所述挡板的表面积不小于所述节流板的表面积。根据本揭示的第二方面，还提供了一种化学气相沉积设备，所述进气设备包括本揭示提供的所述进气装置。综上所述，本揭示实施例的有益效果为：本揭示提供一种新的进气装置，通过对CVD设备内的节流板及扩散板进行重新设计，在所述节流板上设置不同孔径大小的气孔，靠近进气口的地方气孔孔径较小，远离进气口的地方气孔的孔径较大，当通入气流，气流经过本揭示提供的节流板，由于进气口周边的气流流量和流速大，较小的气孔孔径就会使得气流的流速降低，进而保证缓冲区的气体的流量和流速的一致性。这样，在进行薄膜沉积时，薄膜的一致性就较好，质量较高。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本揭示实施例的进气装置示意图；图2为本揭示实施例中节流板的结构示意图；图3为本揭示实施例的化学气相沉积设备结构示意图。具体实施方式下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。在本揭示的实施例中，如图1所示，图1为本揭示实施例中的进气装置结构示意图。所述进气装置包括送气装置100、气体缓存装置104，与所述送气装置100相连接的挡板101、设置在挡板101下方并与所述挡板101相连接的节流板102，以及设置在所述气体缓存装置104底部的扩散板103。挡板101与气体缓存装置104可连接在一起，形成一个整体。传统的CVD设备中，气体在通过节流板后，各个区域的气体流量及流速大小都不一致，这对后续的薄膜沉积产生很大的影响。在本揭示实施例中，对节流板102进行重新设计，通过在节流板102上设计若干大小不同的气孔，其中，越靠近送气装置100送气口区域的气孔的孔径设计的越小，越远离送气装置100送气口区域的气孔的孔径设计的越大。由于在送气口处，气流的密度及流量很大，当这些大流量的气体通过较小孔径的气孔时，流速能被有效的降低，而远离送气口的区域，气流的流量及流速相对小，当这些流速小的区域的气流通过较大孔径的气孔时，大的气孔对其流速并不会产生太大的影响。这样，气体通过节流板102的不同区域分别进入缓冲区后，缓冲区内各部分的气流就被调节成一致的，进而，这些一致性的气体再通过扩散板103后，进行气相沉积，所制得的薄膜的一致性就得到提高。扩散板103上也设置有若干的扩散孔，相比较节流板102上的气孔，扩散板103上的孔径大小一致。扩散板103可为圆形板，挡板103的表面积不小于节流板102的表面积。并且，在本揭示的进气装置中，所述挡板101与所述节流板102之间的距离不大于节流板102与扩散板103之间的距离，这样，缓冲区内才能存储更多的气体。具体的，如图2所示，图2为本揭示实施例中节流板的结构示意图。节流板203可为可拆卸式的圆形节流板，各个可拆卸模块分别为：气孔孔径很小的中心区域200、气孔孔径较大的中间区域201、中间区域202以及其他区域。在进行节流板203孔径大小的设计时，根据节流孔板孔径的计算公式：上式中：d0为节流孔板的孔径，单位为mm；G为气体质量流量，单位为Kg/h；φ为流量系数；P1为孔板前压力，单位为Kpa；ρ1为孔板前气体的密度，单位为Kg/m3。从上述的孔板孔径的计算公式可知，孔径与气体的流量成正相关，因此，孔径越大，气体的流量也越大，当送气装置送气时，与送气口越靠近的地方，节流板上受到的气流就会越大，同时，气流的流量也就会越大，例如中心区域200的位置；而与送气装置的送气口越远离的地方，节流板203上受到的气流就会越小，气流的流量及流速也较小，例如中间区域202以及节流板203的边缘区域。根据这一特性，在设计节流板203时，将中心区域200的孔径设计的更小，沿着中心区域200向圆周方向上，气孔的孔径逐渐增大。送气装置的送气口设置在中心区域200的正上方时，这样，当送气口的气流经过节流板203时，中心区域200上密集的气孔就会对流速快的气流进行阻挡，降低其流速以及流量，而中间区域202及边缘区域上稀疏的气孔对气体的阻挡较小，此处通过的气流的流速及流量基本不会减小。气体在通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进气装置，其特征在于，包括：送气装置、与所述送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置；其中，所述气体缓存装置与所述挡板相连接；其中，所述气体缓存装置还包括节流板与扩散板，所述节流板上还设置有多个气孔，所述节流板与所述送气装置越靠近的区域上的所述气孔的孔径越小，所述节流板与所述送气装置越远离的区域上的所述气孔的所述孔径越大；其中，所述扩散板设置在所述气体缓存装置的底部。

【技术特征摘要】
1.一种进气装置，其特征在于，包括：送气装置、与所述送气装置相连接的挡板以及气体缓存装置；其中，所述气体缓存装置与所述挡板相连接；其中，所述气体缓存装置还包括节流板与扩散板，所述节流板上还设置有多个气孔，所述节流板与所述送气装置越靠近的区域上的所述气孔的孔径越小，所述节流板与所述送气装置越远离的区域上的所述气孔的所述孔径越大；其中，所述扩散板设置在所述气体缓存装置的底部。2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述节流板为圆形节流板，所述节流板上的所述气孔的所述孔径由所述节流板的中心向所述节流板的圆周方向逐渐增大。3.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述节流板为可拆卸的拼接式节流板。4.根据权利要求1所述的进气装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍强，翟伟辰，蒋冬冬，李荻，李昕然，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44