The invention discloses a micro-control substrate and its fabrication method and a microfluidic chip, which relates to the field of gene sequencing technology, in order to simplify the structure of the micro-control substrate and improve the yield of the micro-control substrate. The micro-control substrate comprises an electrode substrate and a dielectric unit formed on the surface of the electrode substrate. The molecular structure of the dielectric material contained in the dielectric unit has hydrophobic groups, and the dielectric unit comprises a substrate layer and a plurality of columnar structures arranged on the substrate layer. The fabrication method of the micro-control substrate is used to fabricate the micro-control substrate. The invention provides a microcontrol substrate, a manufacturing method thereof and a microfluidic chip for gene sequencing.
【技术实现步骤摘要】
一种微控基板及其制作方法和微流控芯片
本专利技术涉及基因测序
,尤其涉及一种微控基板及其制作方法、基板和微流控芯片。
技术介绍
基因测序是一种对目标DNA进行碱基的序列测定,并进行各种相关分析的重要手段,其可使得而研究人员从分子生物学水平上对生物进行研究。在基因测序过程中经常使用到数字微流控芯片(DigitalMicrofluidicBiochip,缩写为DMFB)对基因进行研究分析。现有数字微流控芯片可利用微控基板对测试液体进行控制,以实现对测试液体的检测。然而,如图1所示,现有微控基板100包括层叠设置的电极层112、介电层120’和疏水层140,电极层112、介电层120’和疏水层130沿着靠近测试液体的方向排布;介电层120’可防止在微控基板100通电过程中被击穿,以使得微控基板100控制测试液体。制作微控基板100时,在衬底基板111的表面逐次形成电极层112、介电层120’和疏水层130,而如果在电极层112的表面形成介电层120’后,介电层130’远离电极层112的表面附着有硬度较高的异物,硬度较高的异物会刺穿介电层120’,导致介电层120’所具有的介电作用失效,使得微控基板100的生产良率比较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微控基板及其制作方法和微流控芯片,以在简化微控基板的结构,提高微控基板的生产良率。为了实现上述目的,本专利技术提供一种微控基板,包括电极基板以及形成在电极基板表面的介电单元,所述介电单元所含有的介电材料的分子结构具有疏水基团,所述介电单元包括基体层以及设在所述基体层上的多个柱状结构。与现有技术相比,本 ...
【技术保护点】
1.一种微控基板,其特征在于,包括电极基板以及形成在电极基板表面的介电单元,所述介电单元所含有的介电材料的分子结构具有疏水基团,所述介电单元包括基体层以及设在所述基体层上的多个柱状结构。
【技术特征摘要】
1.一种微控基板,其特征在于,包括电极基板以及形成在电极基板表面的介电单元,所述介电单元所含有的介电材料的分子结构具有疏水基团,所述介电单元包括基体层以及设在所述基体层上的多个柱状结构。2.根据权利要求1所述的微控基板,其特征在于,所述介电单元还包括设在每个柱状结构柱面的多个粗糙化结构,多个粗糙化结构从所述柱状结构远离基体层的一端向所述柱状结构靠近基体层的一端延伸,每个所述粗糙化结构沿着所述柱状结构的轴向方向的长度小于对应柱状结构的轴向长度。3.根据权利要求2所述的微控基板,其特征在于,每个所述粗糙化结构沿着所述柱状结构的轴向方向的长度是所述柱状结构的轴向长度的0.06倍~0.1倍;和/或,每个所述粗糙化结构沿着所述柱状结构的径向方向的长度是所述柱状结构的轴向长度的0.25倍~0.5倍。4.根据权利要求2所述的微控基板,其特征在于,沿着所述柱状结构的周向方向,多个所述粗糙化结构形成在所述柱状结构的柱面,每个柱状结构远离基体层的端面在基体层的正投影为圆形投影,所述圆形投影中每微米弧长具有16个~32个的粗糙化结构在基体层的正投影。5.根据权利要求2所述的微控基板,其特征在于,至少一个所述粗糙化结构为沿着所述柱状结构的周向设在柱状结构柱面的凸起;和/或,至少一个所述粗糙化结构为沿着所述柱状结构的周向开设在所述柱状结构柱面上的凹坑。6.根据权利要求1所述的微控基板,其特征在于,每个所述柱状结构在基体层所在面的正投影为微米级的正投影;和/或,多个所述柱状结构均匀的分布在所述基体层的表面;和/或,每平米所述基体层的表面形成1×1012~3×1012个的柱状结构;和/或,每个所述柱状结构的径向长度大于相邻两个柱状结构的轴间距;和/或,每个所述柱状结构的径向长度小于每个柱状结构的轴向长度;和/或,每个所述柱状结构靠近基体层的端面面积大于对应柱状结构远离基体层的端面面积。7.根据权利要求1所述的微控基板,其特征在于,所述介电单元的厚度V为驱动电压,ε0为相对介电常数,ε为介电单元所含有的介电材料的介电常数,...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐闪闪,陈召,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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