设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法技术

一种设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法，该设计光掩模的布局的方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。

The method of designing the layout of photomask and the method of manufacturing photomask

A method for designing and manufacturing a photomask layout includes: obtaining the design layout of the mask pattern; performing optical proximity correction on the design layout to obtain design data; obtaining the position error data of the pattern during exposure to the design data; and correcting the position of the pattern based on the position error data. The data are used to correct the design data, and the corrected position data are provided to the exposure device to expose the substrate with an exposure beam according to the corrected design data.

【技术实现步骤摘要】
设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法相关申请的交叉引用2017年10月12日在韩国知识产权局提交的标题为“MethodofDesigningLayoutofPhotomaskandMethodofManufacturingPhotomask”的韩国专利申请第10-2017-0132241号其整体通过引用被并入本文。
实施例涉及一种设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法。
技术介绍
近来，随着半导体器件的设计规则已变得更小，光掩模可能需要更高程度的精度。
技术实现思路
可以通过提供一种设计光掩模的布局的方法来实现实施例，该方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。可以通过提供一种制造光掩模的方法来实现实施例，该方法包括：获得要在衬底上形成的掩模图案的设计数据；获得当衬底根据设计数据被曝光于曝光光束时出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以补偿位置误差；以及根据经校正的、图案的位置数据来曝光衬底。可以通过提供一种制造光掩模的方法来实现实施例，该方法包括：获得光掩模的设计图案数据；获得在实际曝光期间出现的图案的位置误差数据；定义将设计图案的掩模区域划分成预定尺寸的网格；通过补偿位置误差数据在网格上重新排列设计图案的位置；并根据设计图案的位置数据来曝光衬底。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，其中：图1示出了根据示例实施例的制造光掩模的装置的视图。图2示出了图1中的装置的框图。图3A示出了掩模图案的理想配准图的视图。图3B示出了掩模图案的实际配准图的视图。图4示出了根据示例实施例的制造光掩模的方法的流程图。图5和图6示出根据示例实施例的划分设计掩模图案的掩模区域的网格的视图。图7示出了设计掩模图案的校正位置数据的平台(stage)的视图。图8示出了分别由设计掩模图案和经校正的掩模图案形成的掩模图案的配准图的视图。具体实施方式图1示出了根据示例实施例的制造光掩模的装置的视图。图2示出了图1中的装置的框图。图3A示出了掩模图案的理想配准图的视图。图3B示出了掩模图案的实际配准图的视图。参照图1至图3B，光掩模制造装置可以包括曝光设备100和被配置为控制曝光设备100的控制器200。曝光设备100可以基于在控制器200中提供的设计数据来根据控制信号用曝光光束来曝光衬底10。在实施方式中，曝光设备100可以使用至少一个曝光光束B在衬底10上生成图案。曝光设备100可以是用于在其上沉积有感光材料的衬底上写入的微光刻写入设备。曝光设备100可以用于制造用于晶片的光刻工艺的光掩模或中间掩模(reticle)。例如，曝光光束B可以包括激光光束、电子光束等(例如，曝光设备100可以是激光光束发射器、电子光束发射器等)。曝光设备100可以包括将曝光光束B引向曝光平台上的衬底10并执行扫描操作的扫描设备。曝光设备100可以包括用于扫描操作的偏转器。偏转器可以将曝光光束偏转到衬底上以形成图案。曝光平台可以支撑和移动衬底。曝光平台可以通过致动器沿X方向或Y方向移动。衬底10可以包括例如依次堆叠在另一个上的空白掩模衬底12、遮光层14和感光层16。空白掩模衬底12可以是例如透明衬底、反射衬底或吸收衬底。例如，空白掩模衬底12可以包括玻璃或石英。遮光层14可以包括金属层，例如铬层。衬底10可以用作用于晶片的光刻工艺的光掩模或中间掩模。曝光设备100可以根据设计数据用曝光光束B曝光在衬底10上的感光层16以形成光刻胶(photoresist)图案。当根据设计数据将衬底10曝光于曝光光束时，由于曝光设备本身的性质或散射现象等，光刻胶图案可能具有相对于设计数据的位置误差(例如，配准误差)。如图3A所示，当配准误差为零时，可以获得掩模图案的理想配准图50。在这种情况下，可以将光掩模图案(例如，感光图案)形成为在与设计数据的掩模图案相同的位置中具有相同的形状。然而，由于在光掩模制造工艺中出现的图案的位置误差，光掩模图案可能在局部区域或整个区域中具有配准误差。如图3B所示，实际配准图52可能具有不规则配准误差。衬底10上的光掩模图案可能在X方向或Y方向上具有(+)或(-)移位量的配准误差。配准误差可以是由于曝光设备本身的性质(例如，曝光平台的性质、偏转器的性质等)而出现的位置误差或者由于图案密度差异的充电效应而出现的位置误差。在实施方式中，控制器200可以使用位置误差数据来校正输入的设计数据，并且可以输出用于控制根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底10的曝光设备100的控制信号。如图2所示，控制器200可以包括数据接收器210、数据校正器220和输出230。数据接收器210可以从例如CAD系统接收设计图案数据。例如，设计图案数据可以是要在光掩模中形成的图案的设计数据，并且可以由图案的轮廓的坐标值表示设计图案数据。可以由多边形(三角形、矩形等)的组合来提供设计图案数据。在设计图案数据中，具有多边形形状的多个子图案可以形成一个图案。设计图案数据可以包括关于子图案的尺寸和位置的信息。数据接收器210可以接收图案的位置误差数据。例如，数据接收器210可以从配准工具300接收位置误差数据。配准工具300可以测量由实际曝光形成的图案的位置误差以提供位置误差数据。图案的位置误差数据可以包括多个位置误差元素。在实施方式中，位置误差数据可以包括例如由于曝光设备或由曝光设备引起的位置误差元素和/或由图案密度引起的位置误差元素。例如，由曝光设备引起的位置误差元素可以包括由曝光平台、偏转器、扫描设备等引起的位置误差元素。例如，由曝光设备引起的位置误差元素可以是由于曝光设备本身的性质(诸如曝光平台的性质、偏转器的性质等)出现的位置误差。由图案密度引起的位置误差元素可以是当随着曝光于电子光束的区域增加，由于散射现象而导致的电子光束极大失真时出现的充电效应误差。在实施方式中，数据接收器210可以接收关于多个位置误差元素以及可以由用户确定的误差元素的权重的信息。在实施方式中，数据接收器210可以根据预定配方(recipe)确定多个位置误差元素和误差元素的权重。数据校正器220可以基于位置误差数据来校正图案的位置数据。例如，网格可以被定义为将掩模图案的掩模区域划分成期望尺寸，并且可以通过反映或考虑位置误差数据在网格上重新排列图案的位置。在实施方式中，网格可以具有几纳米到几十纳米的尺寸。图案的位置可以在错误元素的权重的影响下重新排列。在实施方式中，掩模区域的第一区域和第二区域可以被划分成具有第一尺寸的第一网格区域和具有与第一尺寸不同的第二尺寸的第二网络区域。可以在具有不同分辨率的第一网格区域和第二网格区域上重新排列图案的位置。输出230可以输出经校正的设计数据并且根据经校正的设计数据输出用于控制曝光设备100的控制信号。曝光设备100可以根据控制信号用曝光光束来曝光衬底10。经校正的设计数据可以是用于制造光掩模的设计工艺的最终结果。经校正的设计数据可以被称为掩模带出(Mask本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设计光掩模的布局的方法，所述方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。

【技术特征摘要】
2017.10.12 KR 10-2017-01322411.一种设计光掩模的布局的方法，所述方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。2.如权利要求1所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括：根据设计数据来曝光衬底上的感光层以形成感光图案；以及从感光图案检测配准误差。3.如权利要求1所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括：确定在光掩模的曝光期间出现的多个位置误差元素；以及检测所确定的位置误差元素的位置误差。4.如权利要求3所述的方法，其中：获得图案的位置误差数据进一步包括生成所确定的位置误差元素的权重，并且校正设计数据包括在位置误差元素的权重的影响下校正图案的位置数据。5.如权利要求1所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据包括获得由所述曝光设备引起的位置误差元素和由图案密度引起的位置误差元素。6.如权利要求5所述的方法，其中，由所述曝光设备引起的位置误差元素包括由曝光平台引起的位置误差元素或由偏转器引起的位置误差元素。7.如权利要求5所述的方法，其中获得所述图案的位置误差数据进一步包括获得当将所述光掩模转移到晶片时出现的位置误差数据。8.如权利要求1所述的方法，其中基于所述位置误差数据来校正所述图案的位置数据包括：定义将掩模图案的掩模区域划分成期望尺寸的网格；以及通过反映所述位置误差数据在网格上重新排列图案的位置。9.如权利要求8所述的方法，其中定义所述网格包括：将掩模区域的第一区域划分成第一网格区域；以及将掩模区域的第二区域划分成第二网格区域。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一网格区域具有第一尺寸的网格，并且所述第二网格区域具有与所述第一尺寸不同的第二尺寸的网格。11.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：获得要在衬底上形成的掩模图案的设计数据；获得当衬底根据设计数据被曝光于曝光光束时出现的图案的位置误差数据；基于所述位置误差数据来校正所述图案的位置数据以补偿所述位置误差；以及根据经校正的、图案的位置数据来曝光衬底。12.如权利要求11所述的方法，其中所述曝光光束包括激光光束或电子光束。13.如权利要求11所述的方法，其中获得设计数据包括对所述掩模图案执行光学邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑镛席，朴成训，金钟洙，裵硕钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR