用于提高半导体制造产率的方法技术

本公开的实施例提供了用于提高半导体制造产率的系统和方法。本公开的实施例提供了一种产率提高系统。该系统包括训练工具，该训练工具被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收而生成训练数据。该系统还包括点确定工具，该点确定工具被配置为基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提高半导体制造产率的方法相关申请的交叉参考本申请要求于2016年8月15日递交的美国申请62/375,257和于2017年8月9日递交的美国申请62/543,242的优先权，它们通过引用整体并入本文。
本公开一般地涉及半导体制造领域，更具体地涉及用于提高半导体制造产率的系统和方法。
技术介绍
在集成电路(IC)的制造工艺中，检查未完成或完成的电路组件以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷。利用光学显微镜的检查系统可以提供高吞吐量，但是一般具有低至数百纳米的分辨率；并且分辨率受到光的波长的限制。随着IC组件的物理尺寸继续减小低至亚100甚至10纳米，需要比利用光学显微镜的检查系统更高分辨率的检查系统。诸如扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)之类的具有低至纳米以下分辨率的带电粒子(例如，电子)束显微镜用作检查具有亚100纳米的特征尺寸的IC组件的实用工具。利用SEM，可以将单个主电子束的电子或多个主电子束的电子聚焦到所检查的晶片的探测点。原始电子与晶片的相互作用会产生一个或多个次级电子束。次级电子束可以包括由原始电子与晶片的相互作用产生的俄歇电子、次级电子、或背散射电子。一个或多个次级电子束的强度可以基于晶片的内部和/或外部结构的特性改变。但是，高分辨率的带电粒子束显微镜的吞吐量相比较低分辨率的光学显微镜显著降低。不同的半导体制造工艺，例如，光阻涂覆、曝光、显影、蚀刻、和光阻去除(清洗)可以是成批工艺。成批工艺会导致成批的多个衬底(本文也称为晶片)的图案化不均匀。另外，如果在完成整个图案化工艺之后进行经过图案化的衬底的缺陷检查，有缺陷的晶片可能会被废弃或者可能会被转换为降级产品。这会导致半导体制造产率显著下降。
技术实现思路
本公开实施例提供了用于提高半导体制造产率的系统和方法。在一些实施例中，提供了一种产率提高系统。该系统包括训练工具，该训练工具被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收而生成训练数据。该系统还包括点确定工具，该点确定工具被配置为基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。在一些实施例中，提供了一种产率提高方法。该方法包括：接收第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果；以及基于接收到的经验证的结果生成训练数据。该方法还包括：基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。在一些实施例中，提供了一种非瞬态计算机可读存储介质。该介质存储有可由包括一个或多个处理器的计算设备执行的指令，所述指令使得计算设备执行产率提高方法。该方法包括：接收第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果；以及基于接收到的经验证的结果生成训练数据。该方法还包括：基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。所公开的实施例的附加目的和优点将部分在下面的描述中阐述，并且部分从本说明书变得显而易见，或者可以通过实施实施例习得。所公开的实施例的目的和优点可以由权利要求中给出的元件和组合达到和实现。将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述只是示例性和说明性的，而不用于限制所公开的实施例(如请求保护)。附图说明图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性电子束检查系统的示意图。图2是示出根据本公开的一些实施例的可以为图1的示例性电子束检查系统的一部分的示例性电子束工具的示意图。图3是示出半导体处理系统的示意图。图4是示出半导体处理方法的流程图。图5是示出根据本公开实施例的示例性产率提高系统的示意图。图6A和6B是示出根据本公开实施例的衬底上的检查区域的示意图。图7是示出根据本公开实施例的示例性产率提高方法的流程图。具体实施方式现在将详细参考示例性实施例，附图示出了这些实施例的示例。下面的描述涉及附图，其中，除非有相反的表示，否则不同附图中的相同参考标号表示相同或类似的元件。示例性实施例的以下描述中给出的实施方式不代表根据本专利技术的所有实施方式。相反，它们只是根据所附权利要求中陈述的本专利技术的各个方面的装置和方法的示例。本公开涉及用于提高半导体制造产率的系统和方法。可以从曝光到显影地处理测试晶片或第一晶片，并且可以记录扫描器的曝光方案，例如，高密度焦点图(HDFM)。本公开实施例提供了点确定工具，该点确定工具可以被配置为基于晶片的热点信息和曝光方案，确定测试晶片或第一晶片的待检查的一个或多个区域。基于第一晶片或测试晶片的检查结果，可以优化用于随后处理的晶片的曝光方案。本公开实施例还提供了训练工具，该训练工具可以被配置为基于检查结果生成训练数据。训练数据可以被提供给点确定工具，以基于晶片的热点信息、曝光方案、和训练数据确定随后处理的晶片的待检查的一个或多个区域。所公开的系统和方法实现曝光方案的动态更新，并实现区域被监视。曝光方案的更新可以减少随后处理的晶片中的缺陷，从而提高半导体制造产率。监视的更新可以包括监视更少热点从而提高吞吐量。监视的更新还可以包括监视的改变以改善缺陷的检测。改善的缺陷检测可以帮助进一步提高半导体制造产率。现在参考图1，图1示出了根据本公开实施例的示例性电子束检查(EBI)系统100。如图1所示，EBI系统100包括主腔室101、进料/锁定腔室102、电子束工具104、以及设备前端模块(EFEM)106。电子束工具104位于主腔室101内。EFEM106包括第一进料端口106a和第二进料端口106b。EFEM106可以包括一个或多个附加的进料端口。第一进料端口106a和第二进料端口106b可以接收包含待检查的样本或晶片(例如，半导体晶片或其他材料制成的晶片)的晶片前开式传送盒(FOUP)(下文中，晶片和样本统称为“晶片”)。EFEM106中的一个或多个机器人手臂(未示出)可以将晶片传输到进料/锁定腔室102。进料/锁定腔室102连接到进料/锁定真空泵系统(未示出)，该进料/锁定真空泵系统去除进料/锁定腔室102中的气体分子，以达到大气压力以下的第一压力。在达到第一压力后，一个或多个机器人手臂(未示出)可以将晶片从进料/锁定腔室102传输到主腔室101。主腔室101连接到主腔室真空泵系统(未示出)，该主腔室真空泵系统去除主腔室101中的气体分子，以达到第一压力以下的第二压力。在达到第二压力后，电子束工具104对晶片进行检查。现在参考图2，图2示出了根据本公开的一些实施例的电子束工具104的示例性组件。如图2所示，电子束工具104包括电动台200和由电动台200支撑的、夹持待检查的晶片203的晶片夹具202。电子束工具104还包括物镜组件204、电子探测器206、物镜孔径208、聚光透镜210、束限制孔径212、枪体孔径214、阳极216、以及阴极218。在一些实施例中，物镜组件204可以包括经过修改的摆动减速浸入物镜(SORIL)，该经过修改的SORIL包括极片204a、控制电极204b、偏转器204c、以及激励线圈204d。电子束工具104可以附加地包括表征晶片上的材料的能量色散X射线谱仪(EDS)探测器(未示出)。通过在阳极216和阴极218之间施加电压，从阴极218发射主电子束220。主电子束22本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产率提高系统，包括：训练工具，被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收生成训练数据；以及点确定工具，被配置为基于所述训练数据、第二衬底的弱点信息以及用于所述第二衬底的扫描器的曝光方案，确定所述第二衬底上待检查的一个或多个区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.15 US 62/375,257;2017.08.09 US 62/543,2421.一种产率提高系统，包括：训练工具，被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收生成训练数据；以及点确定工具，被配置为基于所述训练数据、第二衬底的弱点信息以及用于所述第二衬底的扫描器的曝光方案，确定所述第二衬底上待检查的一个或多个区域。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述训练工具被配置为使用深度神经网络分析所述一个或多个经验证的结果，以用于生成所述训练数据。3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述训练工具进一步被配置为基于所述曝光方案生成所述训练数据，和/或其中所述曝光方案包括高密度焦点图。4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述一个或多个经验证的结果由验证单元基于所述第一衬底的一个或多个监视结果与一个或多个设计参数的比较生成，和/或其中所述一个或多个监视结果由监视工具基于空间图案确定、图案尺寸测量和图案偏移测量中的至少一个生成，和/或其中所述曝光方案基于所述一个或多个监视结果确定。5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一衬底和所述第二衬底由扫描器、显影工具、蚀刻工具以及灰化工具处理。6.一种方法，包括：接收第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果；基于接收到的经验证的结果生成训练数据；以及基于所述训练数据、第二衬底的弱点信息以及用于所述第二衬底的扫描器的曝光方案，确定所述第二衬底上待检查的一个或多个区域。7.根据权利要求6所述的方法，其中，生成所述训练数据包括：使用深度神经网络分析所述一个或多个经验证的结果。8.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：方伟，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL