具有备用列重映射储存器的存储器件制造技术

本发明专利技术提供一种具有备用列重映射储存器的存储器件。所述存储器件包括数据储存区和备用列重映射储存器。所述数据储存区包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个具有多个主列和多个备用列。所述备用列重映射储存器包括储存使用所述多个备用列来修复的主列的地址信息的多个储存单元。所述备用列重映射储存器中包括的所述多个储存单元中的至少一个被提供以储存在所述多个子阵列中的一个中修复的主列的地址信息，以及在所述多个子阵列中的另一个中修复的主列的地址信息。

Memory devices with standby column remapping memory

The invention provides a memory device with a standby column remapping memory. The memory device includes a data storage area and a standby column remapping memory. The data storage area comprises a plurality of sub-arrays, each of which has a plurality of primary columns and a plurality of standby columns. The spare column remapping memory includes a plurality of storage units that store address information of the main column repaired with the plurality of spare columns. At least one of the plurality of storage units included in the spare column remapping memory is provided to store address information of the main column repaired in one of the plurality of sub-arrays and the address information of the main column repaired in another of the plurality of sub-arrays.

【技术实现步骤摘要】
具有备用列重映射储存器的存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2017年9月27日提交的申请号为10-2017-0125511和10-2017-0125512的韩国申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体而言涉及存储器件，更具体地，涉及具有备用列重映射储存器(sparecolumnremapstorage)的存储器件。
技术介绍
随着存储器件变得更加高度集成以增加数据储存容量，包括存储器件的电子系统的可靠性倾向于依赖存储器件的可靠性。存储器件可以被设计成利用冗余电路、使用内置自修复(built-in-self-repair，BISR)方案来修复故障存储单元以增加存储器件的制造良率以及保证存储器件的可靠性。根据BISR方案，可以由用于修复故障存储单元的备用列来替换包括故障存储单元的核心列。然而，在这种情况下，在修复故障存储单元方面可能存在限制。即，如果备用列的数量小于包括故障存储单元的核心列的数量，则可能难以修复全部的故障存储单元。
技术实现思路
根据一个实施例，一种存储器件包括数据储存区和备用列重映射储存器。数据储存区包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个具有多个主列和多个备用列。所述备用列重映射储存器包括储存使用所述多个备用列来修复的主列的地址信息的多个储存单元。所述备用列重映射储存器中包括的所述多个储存单元中的至少一个被提供以储存在所述多个子阵列中的一个中修复的主列的地址信息，以及在所述多个子阵列中的另一个中修复的主列的地址信息。根据另一实施例，一种存储器件包括多个存储体和备用列重映射储存器。所述多个存储体中的每个包括多个子阵列，并且所述多个子阵列中的每个具有多个主列和多个备用列。所述备用列重映射储存器包括储存使用所述多个备用列来修复的主列的地址信息的多个储存单元。所述备用列重映射储存器中包括的所述多个储存单元中的至少一个被配置成储存在所述多个子阵列中的一个中修复的主列的地址信息，以及在所述多个子阵列中的另一个中修复的主列的地址信息。根据另一实施例，一种存储器件包括多个存储体。所述多个存储体中的每个包括备用列重映射储存器和多个子阵列。所述多个存储体中的每个所包括的备用列重映射储存器包括多个储存单元。所述多个子阵列中的每个包括多个主列和多个备用列。设置在所述多个存储体中的每个中的备用列重映射储存器所包括的所述多个储存单元中的至少一个被配置成：储存在所述多个子阵列中的一个中修复的主列的地址信息，以及在所述多个子阵列中的另一个中修复的主列的地址信息。根据另一实施例，一种存储器件包括数据储存区和备用列重映射储存器。数据储存区包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个具有多个主列和多个备用列。所述备用列重映射储存器包括多个储存单元，所述多个储存单元将所述多个子阵列中的一个中的被修复主列的列地址信息、以及所述多个子阵列中的另一个中的被修复主列的地址信息，储存在所述备用列重映射储存器所包括的所述多个储存单元中的至少一个中。根据另一实施例，提供了一种重映射存储器件的列地址的方法。所述存储器件包括数据储存区和备用列重映射储存器。所述数据储存区包括多个子阵列，并且所述多个子阵列中的每个包括多个主列和多个备用列。所述备用列重映射储存器包括多个储存单元。该方法包括将所述多个子阵列中的一个中的被修复主列的地址信息、以及所述多个子阵列中的另一个中的被修复主列的地址信息，储存在所述备用列重映射储存器所包括的所述多个储存单元中的至少一个中。根据另一实施例，提供了一种重映射包括数据储存区和备用列重映射储存器的存储器件的地址的方法。所述数据储存区包括多个子阵列，并且所述多个子阵列中的每个包括多个主列和多个备用列。所述备用列重映射储存器包括多个储存单元。该方法包括将所述多个主列之中的以列为单位来修复的一个主列的列地址信息、以及所述多个主列之中的以行组为单位来修复的另一个主列的列地址信息储存在所述多个储存单元中的至少一个中。附图说明基于附图和以下具体描述，本公开的各个实施例将变得更加明显，在附图中：图1是图示根据本公开的一个实施例的存储器件的框图；图2是图示图1中所示的存储器件中的构成用于储存数据的存储器的第一子阵列和第二子阵列的示意图；图3是图示修复图2中所示的第一子阵列和第二子阵列的一般方法以及使用备用列重映射储存器来重映射第一子阵列和第二子阵列中的被修复列的列地址的一般方法的示意图；图4是图示根据本公开的一个实施例的在存储器件的修复过程中利用备用列重映射储存器来重映射列地址的方法的流程图；图5至图11是详细图示根据本公开的一个实施例的在存储器件的修复过程中利用备用列重映射储存器来重映射列地址的方法的示意图；图12是图示第一备用列区和第二备用列区连同备用列重映射储存器的示意图，在所述备用列重映射储存器中根据参照图5至图11而描述的实施例来重映射列地址；图13是图示根据本公开的另一实施例的存储器件的框图；图14是图示根据本公开的又另一实施例的存储器件的框图；图15是图示修复图2中所示的第一子阵列和第二子阵列的另一个一般方法以及使用备用列重映射储存器来重映射第一子阵列和第二子阵列中的被修复列的列地址的另一个一般方法；图16是图示根据本公开的另一实施例的在存储器件的修复过程中利用备用列重映射储存器来重映射列地址的方法的流程图；图17至图22是详细图示根据本公开的另一实施例的在存储器件的修复过程中利用备用列重映射储存器来重映射列地址的方法的示意图；图23是图示第一备用列区和第二备用列区连同备用列重映射储存器的示意图，所述第一备用列区和第二备用列区根据参照图17至图22而描述的实施例以列为单位和以行组为单位来修复；图24至图30是详细图示根据本公开的另一实施例的在存储器件的修复过程中利用备用列重映射储存器来重映射列地址的方法的示意图；以及图31是图示第一备用列区和第二备用列区连同备用列重映射储存器的示意图，所述第一备用列区和第二备用列区根据参照图24至图30而描述的实施例以列为单位和以行组为单位来修复。具体实施方式在下面对实施例的描述中，将理解的是，术语“第一”和“第二”意在标识元件，而非用来仅限定该元件自身或者意指特定顺序。此外，当一个元件被称作位于另一元件“上”、“之上”、“以上”、“之下”或“下面”时，其意在说明相对位置关系，而非用来限制该元件直接接触另一元件或者在其间存在至少一个中间元件的特定情况。相应地，本文中使用的诸如“上”、“之上”、“以上”、“之下”、“以下”或“下面”等的术语仅用于描述特定实施例的目的，而非意图限制本公开的范围。此外，当一个元件被称作“连接”或“耦接”到另一元件时，该元件可以电气地或机械地直接连接或耦接到另一元件，或者可以通过替换其间的其他元件来形成连接关系或耦接关系。各种实施例针对具有备用列重映射储存器的存储器件。图1是图示根据本公开的一个实施例的存储器件100的框图。参见图1，存储器件100可以被配置成包括数据储存区200(对应于用于储存数据的存储器)和备用列重映射储存器(sparecolumnremapstorage，SCRS)300。数据储存区200可以对应于实际储存数据的区域。SCRS300可以对应于用于储存在对数据储存区200中的故障存储单元进行修复时被重映射的列地址的信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：数据储存区，其包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个包括多个主列和多个备用列；以及备用列重映射储存器，其包括多个储存单元，所述多个储存单元储存使用所述多个备用列来修复的主列的地址信息，其中，所述备用列重映射储存器所包括的所述多个储存单元中的至少一个储存单元储存在所述多个子阵列中的一个子阵列中修复的主列的地址信息，以及储存在所述多个子阵列中的另一子阵列中修复的主列的地址信息。

【技术特征摘要】
2017.09.27 KR 10-2017-0125512;2017.09.27 KR 10-2011.一种存储器件，包括：数据储存区，其包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个包括多个主列和多个备用列；以及备用列重映射储存器，其包括多个储存单元，所述多个储存单元储存使用所述多个备用列来修复的主列的地址信息，其中，所述备用列重映射储存器所包括的所述多个储存单元中的至少一个储存单元储存在所述多个子阵列中的一个子阵列中修复的主列的地址信息，以及储存在所述多个子阵列中的另一子阵列中修复的主列的地址信息。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个子阵列中的每个包括主单位单元和备用单位单元；其中，所述主单位单元分别位于多个行与所述多个主列的交叉点处；以及其中，所述备用单位单元分别位于所述多个行与所述多个主列的交叉点处。3.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述多个子阵列中的每个所包括的主列的数量为“N”，其中，N表示自然数；以及其中，所述多个子阵列中的每个所包括的备用列的数量为M，其中，M表示自然数。4.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个储存单元中的每个包括多个虚拟地址储存元件。5.如权利要求4所述的存储器件，其中，所述多个储存单元中的每个所包括的虚拟地址储存元件的数量等于所述多个子阵列中的每个所包括的备用列的数量。6.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个子阵列包括第一子阵列和第二子阵列；以及其中，所述第一子阵列和所述第二子阵列中的每个包括第一行组和第二行组。7.如权利要求6所述的存储器件，其中，所述多个储存单元包括第一储存单元和第二储存单元；以及其中，所述第一储存单元储存所述第一子阵列和所述第二子阵列中的包括属于所述第一行组的故障单位单元的主列的列地址信息。8.如权利要求7所述的存储器件，其中，所述第二储存单元储存所述第一子阵列和所述第二子阵列中的包括属于所述第二行组的故障单位单元的主列的列地址信息。9.如权利要求8所述的存储器件，其中，所述第一储存单元和所述第二储存单元中的每个包括第一虚拟地址储存元件和第二虚拟地址储存元件；其中，所述第一储存单元的第一虚拟地址储存元件和第二虚拟地址储存元件被提供以储存包括属于所述第一行组的故障单位单元的主列的列地址信息；以及其中，所述第二储存单元的第一虚拟地址储存元件和第二虚拟地址储存元件被提供以储存包括属于所述第二行组的故障单位单元的主列的列地址信息。10.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一子阵列和所述第二子阵列中的每个所包括的所述多个备用列包括第一备用列和第二备用列；其中，所述第一储存单元的第一虚拟地址储存元件和所述第二储存单元的第一虚拟地址储存元件被提供以储存使用所述第一子阵列和所述第二子阵列中的所述第一备用列来修复的主列的列地址信息；以及其中，所述第一储存单元的第二虚拟地址储存元件和所述第二储存单元的第二虚拟地址储存元件被提供以储存使用所述第一子阵列和所述第二子阵列中的所述第二备用列来修复的主列的列地址信息。11.如权利要求8所述的存储器件，其中，所述第一子阵列和所述第二子阵列中的属于所述第一行组的故障单位单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李好均，朴一，朱英杓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR