【技术实现步骤摘要】
一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法
本专利技术涉及芯片加工
，尤其是一种去除芯片加工过程中附着于其表面的硼硅玻璃的方法。
技术介绍
芯片加工过程中，需要进行硼磷扩散，形成PN结。在进行扩散工序时，将含有硼元素的纸源（三氧化二硼）覆盖在晶片表面，三氧化二硼与硅反应，形成单质硼（B2O3+Si→SiO2+B），高温下分子运动使得一部分硼单质扩散进入硅层，形成P面；但此过程中，三氧化二硼会与反应生成的二氧化硅结合，在芯片表面形成硼硅玻璃(B2O3)ａ·(SiO2)ｂ，如图1所示。这层硼硅玻璃对扩散起到析出晶格杂质的好处，但是会影响后续工序，所以必须去除。现有技术中，扩散后去除芯片表面硼硅玻璃的方法为喷砂法，将石英砂高速喷射到晶片表面，以去除扩散后的硼硅玻璃。石英砂高速撞击硅片，在硅片表面造成机械损伤，几乎是无限的空位源，再经过高温加工，这些空位吸收杂质，给二极管带来严重的内伤。吹砂后的晶片产生了很多深能级复合中心，基区少子寿命大大降低。解决此问题主要有以下三种途径：1.通过减小吹砂力度的方法来减小硅片损伤;2.通过对硅片进行氧化处理，然后使用HF溶液将硅片表层的硼硅玻璃腐蚀掉，但是其制程周期长，成本高，而且会造成扩散表面浓度损失；3.化学腐蚀法，使用硝酸和氢氟酸的混合酸去除硅片表层的硼硅玻璃，但同样存在磷面腐蚀过多，导致磷面浓度损失的问题。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种工艺简单、控制方便的去除芯片表面硼硅玻璃的方法，此方法产能高、对芯片无损伤。一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法，使用双极电解法去除芯片表面硼硅玻璃，电解液采用ZnSO4溶液，直流源阳...
【技术保护点】
1.一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法，其特征在于，使用双极电解法去除芯片表面硼硅玻璃，电解液采用ZnSO4溶液，直流源阳极连接两根铝丝，直流源阴极连接一根铜棒，芯片P面朝上放置于电解液中，P面接触两根铝丝底部。
【技术特征摘要】
1.一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法，其特征在于，使用双极电解法去除芯片表面硼硅玻璃，电解液采用ZnSO4溶液，直流源阳极连接两根铝丝，直流源阴极连接一根铜棒，芯片P面朝上放置于电解液中，P面接触两根铝丝底部。2.根据权利要求1所述的去除芯片表面硼硅玻璃的方法，其特征在于，电解反应结束后，将芯片取出浸入HF溶液浸泡10-15分钟后，用清水冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹孙根，王志忠，张俊超，芮正果，
申请(专利权)人：安徽钜芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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