【技术实现步骤摘要】
一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置
本专利技术涉及半导体领域,具体涉及一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置。
技术介绍
最终出货硅片的MCL(金属污染水平)通过最终洗净的氢氟酸药液槽来控制;氢氟酸去除金属的基本原理:用氢氟酸清洗去除表面的自然氧化膜,因此附着在自然氧化膜上的金属再次溶解到清洗液中,同时氢氟酸清洗可抑制自然氧化膜的形成,故可容易去除表面的金属。氢氟酸药液槽原有技术是将药液槽内的液体通过循环泵进入颗粒过滤器去除液体中的颗粒后再次进入药液槽内使用,其中安装的颗粒过滤芯仅对颗粒有拦截效果,对于金属并没有过滤效果,尤其是现在的硅片表面上金属铝的含量是重点监控对象。目前氢氟酸药液槽仅安装有专门针对去除颗粒的过滤器,并没有专门针对清洗液中去除金属的过滤器,所以一部分金属会附着在硅片表面,使得清洗过的硅片重新被污染。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术提供一种提高硅片最终清洗金属程度的装置,以解决现有氢氟酸药液槽不能去除金属的问题。针对现有技术存在的问题,本专利技术提供一种提高硅片最终清洗金属程度的方法,以解决现有氢氟酸药液槽不能去除金属的问题。本专利技术的技术方案是:一种提高硅片最终清洗金属程度的方法,包括:步骤一,在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟;步骤二,将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中;步骤三,先安装颗粒过滤芯,然后在氢氟酸药液槽加满纯水,循环至少三次,每次循环20分钟;步骤四,再安装金属过滤芯,然后在氢氟酸药液槽加满纯水,循环至少三次,每次循环20分钟;步骤五,洗净机正常添加药液后 ...
【技术保护点】
1.一种提高硅片最终清洗金属程度的方法,其特征在于,包括:步骤一,在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟;步骤二,将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中;步骤三,先安装颗粒过滤芯,然后在氢氟酸药液槽加满纯水,循环至少三次,每次循环20分钟;步骤四,再安装金属过滤芯,然后在氢氟酸药液槽加满纯水,循环至少三次,每次循环20分钟;步骤五,洗净机正常添加药液后,清洗模拟片3小时后重新更换药液,再清洗模拟片,使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况。
【技术特征摘要】
1.一种提高硅片最终清洗金属程度的方法,其特征在于,包括:步骤一,在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟;步骤二,将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中;步骤三,先安装颗粒过滤芯,然后在氢氟酸药液槽加满纯水,循环至少三次,每次循环20分钟;步骤四,再安装金属过滤芯,然后在氢氟酸药液槽加满纯水,循环至少三次,每次循环20分钟;步骤五,洗净机正常添加药液后,清洗模拟片3小时后重新更换药液,再清洗模拟片,使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况。2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵剑锋,贺贤汉,洪漪,衫原一男,
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司,杭州中芯晶圆半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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