一种阵列基板、液晶显示面板制造技术

本申请提供一种阵列基板、液晶显示面板，该阵列基板包括在阵列基板上呈阵列分布的子像素，每个子像素包括主区和次区，对应每一列子像素分别设置一条数据线；像素电极，包括对应主区的主像素电极，和对应次区的次像素电极；以及补偿电极，与像素电极同层制备，并位于像素电极与数据线的交汇处；其中，补偿电极用于形成补偿电场，阵列基板在补偿电场范围内的部分所对应的液晶分子不发生偏转。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、液晶显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板。
技术介绍
随着LCD显示效果光学标准提升，为了改善视角，像素结构由4畴转向8畴，为了提升穿透率，像素结构设计采用POS结构。但是在实际点灯时发现黑底白框串扰现象严重，尤其是在主区像素电极和次区像素电极在与数据线的交接区域发现点状漏光，从而影响LCD显示面板的显示效果。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板、液晶显示面板，能够避免主区像素电极和次区像素电极在与数据线的交接区域发生点状漏光，从而提高液晶显示面板的显示效果。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提供一种阵列基板，包括在所述阵列基板上呈阵列分布的子像素，每个所述子像素包括主区和次区，对应每一列所述子像素分别设置一条数据线；像素电极，包括对应所述主区的主像素电极，和对应所述次区的次像素电极；以及补偿电极，与所述像素电极同层制备，并位于所述像素电极与所述数据线的交汇处；其中，所述补偿电极用于形成补偿电场，所述阵列基板在补偿电场范围内的部分所对应的液晶分子不发生偏转。在本申请的阵列基板中，所述补偿电极的宽度大于等于所述数据线的宽度，所述数据线对应所述补偿电极的部分在所述阵列基板上的正投影位于所述补偿电极在所述阵列基板上的正投影的范围内。在本申请的阵列基板中，所述补偿电极分别位于所述主像素电极远离所述次像素电极一侧，以及所述次像素电极远离所述主像素电极的一侧。在本申请的阵列基板中，所述补偿电极与所述像素电极是通过同种材料经同一道光罩制程一体成型。在本申请的阵列基板中，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线对应位于所述主区和所述次区之间。在本申请的阵列基板中，所述主区和所述次区各自对应四个畴的液晶分子。在本申请的阵列基板中，相邻两行所述子像素的所述补偿电极之间存在间隙。在本申请的阵列基板中，所述补偿电极的边界线为直线、曲线、折线中的一者或一者以上。本申请还提供一种液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板与彩膜基板，以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括呈阵列分布的子像素，每个所述子像素包括主区和次区；所述阵列基板上对应每一列所述子像素分别设置一条数据线；像素电极，对应所述子像素阵列设置于所述阵列基板上，包括对应所述主区的主像素电极，和对应所述次区的次像素电极；补偿电极，与所述像素电极同层制备，并位于所述像素电极与所述数据线的交汇处；其中，所述补偿电极用于形成补偿电场，所述液晶显示面板在对应所述补偿电场范围内的液晶分子不发生偏转。在本申请的液晶显示面板中，所述补偿电极分别位于所述主像素电极远离所述次像素电极一侧，以及所述次像素电极远离所述主像素电极的一侧；并且，所述数据线对应所述补偿电极的部分在所述阵列基板上的正投影位于所述补偿电极在所述阵列基板上的正投影的范围内。本申请的有益效果为：相较于现有的液晶显示面板，本申请提供的阵列基板、液晶显示面板，像素结构采用8畴结构，可以改善视角，通过在主像素电极及次像素电极与数据线的交接区域增设补偿电极，用于形成补偿电场，从而使得液晶显示面板在对应补偿电场范围内的液晶分子不发生偏转，即避免在主像素电极及次像素电极与数据线的交接区域发生漏光的现象，进而提高液晶显示面板的显示效果。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的子像素的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本申请针对现有的液晶显示面板，存在主像素电极以及次像素电极与数据线的交接区域发生点状漏光，从而影响液晶显示面板显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，为本申请实施例提供的子像素的结构示意图。本申请提供一种阵列基板(未标示)，包括在所述阵列基板上呈阵列分布的子像素1，每个所述子像素1包括主区10和次区11，对应每一列所述子像素1分别设置一条数据线2；像素电极3，包括对应所述主区10的主像素电极30，和对应所述次区11的次像素电极31；以及补偿电极4，与所述像素电极3同层制备，并位于所述像素电极3与所述数据线2的交汇处；其中，所述补偿电极4用于形成补偿电场，液晶显示面板在对应所述补偿电场范围内的液晶分子不发生偏转，从而避免在所述主像素电极30及所述次像素电极31与所述数据线2的交接区域发生漏光的现象，进而提高液晶显示面板的显示效果。所述补偿电极4的宽度大于等于所述数据线2的宽度，所述数据线2对应所述补偿电极4的部分在所述阵列基板上的正投影位于所述补偿电极4在所述阵列基板上的正投影的范围内。所述补偿电极4的长度小于相邻两所述子像素1之间的间隔长度，即相邻两行所述子像素1的所述补偿电极4之间存在间隙，使得相邻两所述像素电极3相互绝缘。在一种实施例中，所述补偿电极4的边界线为直线、曲线、折线中的一者或一者以上。如图中所述补偿电极4的边界线为直线，形成矩形的所述补偿电极4。当然，在其他实施例中，所述补偿电极4的形状可以为三角形、梯形或者不规则形状等。在一种实施例中，所述补偿电极4分别位于所述主像素电极30远离所述次像素电极31的一侧，以及所述次像素电极31远离所述主像素电极30的一侧。在一种实施例中，所述补偿电极4与所述像素电极3是通过同种材料经同一道光罩制程一体成型。例如，所述补偿电极4与所述像素电极3是由铟锡氧化物半导体材料形成。在所述阵列基板中，对应每一行所述子像素1分别设置一条扫描线(未标示)，所述扫描线对应位于所述主区10和所述次区11之间。其中，所述子像素1为八畴结构，所述主区10和所述次区11各自对应四个畴的液晶分子。在所述主区10与所述次区11之间的部分为黑色矩阵遮挡部5，所述扫描线对应位于所述黑色矩阵遮挡部5的相应位置。所述阵列基板在对应所述黑色矩阵遮挡部5的位置还包括主区薄膜晶体管和次区薄膜晶体管，以及主区存储电容和次区存储电容。其中，所述主区存储电容和所述次区存储电容跨过所述扫描线相互导通。所述主区薄膜晶体管的栅极连接所述扫描线，其源极/漏极连接所述数据线2，所述源极/漏极连接所述主区存储电容或所述主像素电极30。所述次区薄膜晶体管的栅极连接所述扫描线，其源极/漏极连接所述数据线2，所述源极/漏极连接所述次区存储电容或所述次像素电极31。由于相邻两行所述子像素1之间的所述主区10和所述次区11之间会有逸散电场产生，因此会导致相应位置的液晶分子发生一定的偏转，从而产生点状漏光。本申请在所述主像素电极30及所述次像素电极31与所述数据线2的交接区域增设所述补偿电极4，从而针对所述逸散电场形成相应的补偿电场，使得液晶显示面板在对应所述补偿电场范围本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括在所述阵列基板上呈阵列分布的子像素，每个所述子像素包括主区和次区，对应每一列所述子像素分别设置一条数据线；像素电极，包括对应所述主区的主像素电极，和对应所述次区的次像素电极；以及补偿电极，与所述像素电极同层制备，并位于所述像素电极与所述数据线的交汇处；其中，所述补偿电极用于形成补偿电场，所述阵列基板在补偿电场范围内的部分所对应的液晶分子不发生偏转。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括在所述阵列基板上呈阵列分布的子像素，每个所述子像素包括主区和次区，对应每一列所述子像素分别设置一条数据线；像素电极，包括对应所述主区的主像素电极，和对应所述次区的次像素电极；以及补偿电极，与所述像素电极同层制备，并位于所述像素电极与所述数据线的交汇处；其中，所述补偿电极用于形成补偿电场，所述阵列基板在补偿电场范围内的部分所对应的液晶分子不发生偏转。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极的宽度大于等于所述数据线的宽度，所述数据线对应所述补偿电极的部分在所述阵列基板上的正投影位于所述补偿电极在所述阵列基板上的正投影的范围内。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极分别位于所述主像素电极远离所述次像素电极一侧，以及所述次像素电极远离所述主像素电极的一侧。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电极与所述像素电极是通过同种材料经同一道光罩制程一体成型。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，对应每一行所述子像素分别设置一条扫描线，所述扫描线对应位于所述主区和所述次区之间。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵迎春，王勐，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44