显示器件及其制作方法技术

本申请提出了一种显示器件及其制作方法。所述显示器件包括基板和发光单元。所述发光单元包括出光方向不同的第一发光单元和第二发光单元。所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容。所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出。所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。本申请通过将显示器件中的薄膜晶体管设置在顶发光单元所在区域内，从而避免了薄膜晶体管对底发光单元发出光线的遮挡，提高了显示器件的开口率。

【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制作方法
本申请涉及显示
，特别涉及一种显示器件及其制作方法。
技术介绍
OLED显示器件与LCD器件相比，最大的优势就是可制备大尺寸、超薄、柔性、透明及双面显示的器件。随着电子产品的形式渐趋多样化，双面显示功能成为新一代显示器件的主要特征，特别是一些公共场所的显示器件。现有显示器件的双面发光设计会使显示器件的单侧发光面积减少、解析度下降。因此，目前亟需一种显示器件以解决上述问题。
技术实现思路
本申请提供一种显示器件及其制作方法，以解决现有显示器件的双面发光设计导致单侧发光面积减少，解析度下降的问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：根据本专利技术的一个方面，提供了一种显示器件，包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反；其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。根据本申请一种实施例，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管及至少一个所述存储电容电连接。根据本申请一种实施例，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一发光单元与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二发光单元与所述第二薄膜晶体管电连接。根据本申请一种实施例，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极金属以及与所述有源层电连接的源漏极金属层。根据本申请一种实施例，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极；其中，所述第一发光材料层设置于所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层表面。根据本申请一种实施例，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层采用非透明材料制备，所述第一阴极采用透明材料制备。根据本申请一种实施例，所述第二发光单元包括第二发光材料和第二阴极；其中，所述第二发光材料设置在所述第二薄膜晶体管的有源层表面。根据本申请一种实施例，所述第二薄膜晶体管的有源层采用透明氧化物半导体制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。根据本申请的另一个实施例，还提供了一种显示器件的制作方法，包括：提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域；在所述基板上形成位于所述第一区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括有缘层、栅极绝缘层、栅极金属以及源漏极金属；在所述第一薄膜晶体管的源漏极金属表面形成第一发光单元，在所述第二薄膜晶体管的有源层表面形成第二发光单元，所述第一发光单元位于所述第一区域，所述第二发光单元位于所述第二区域；其中，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出。根据本申请一种实施例，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极，所述第二发光单元包括第二发光材料层和第二阴极；其中，所述第一阴极采用透明材料制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。有益效果：本申请通过将显示器件中的薄膜晶体管设置在顶发光单元所在区域内，从而避免了薄膜晶体管对底发光单元发出光线的遮挡，提高了显示器件的开口率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一实施例提供的一种显示器件的结构示意图；图2为本申请一实施例提供的一种显示器件的膜层结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本申请提供一种显示器件及其制作方法，以解决现有显示器件的双面发光设计导致单侧发光面积减少，解析度下降的问题。请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的一种显示器件的结构示意图。请参阅图2，图2为本申请一实施例提供的一种显示器件的膜层结构示意图。本申请提供了一种显示器件100，包括基板21以及位于所述基板21上方的发光单元20，所述发光单元20包括第一发光单元11和第二发光单元12，所述第一发光单元11的出光方向与所述第二发光单元12的出光方向相反。在一种实施例中，所述基板21可以为玻璃基板。在一种实施例中，所述显示器件100还包括设置在所述玻璃基板21上的缓冲层，所述缓冲层的制备材料可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一者，所述缓冲层的厚度为1000埃米至5000埃米。其中，所述显示器件100还包括位于所述基板21上方的薄膜晶体管15(包括第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152)和存储电容16。在一种实施例中，所述薄膜晶体管15包括有源层17、栅绝缘层18、栅极金属19以及源漏极金属层22。由于栅极金属19和源漏极金属层22一般采用非透明材料制备。在显示器件100中，薄膜晶体管15和存储电容16通常位于发光单元的下方。当发光单元20为底发光单元时，薄膜晶体管15和存储电容16会将从底发光单元发出的部分光线遮光，从而降低显示器件100的开口率，影响显示器件100的解析度。但是当发光单元20为顶发光单元时，从顶发光单元发出的光不用经过薄膜晶体管15，从而不会对显示器件100的发光产生干扰。在一种实施例中，所述有源层17的制备材料包括透明氧化物半导体，所述透明氧化物半导体包括但不限于氧化铟锌。所述有源层17的厚度可以为100埃米至1000埃米。在一种实施例中，所述有源层17包括中部的沟道以及两端的源漏极接触区。在一种实施例中，所述栅绝缘层18的制备材料可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一者。所述缓冲层的厚度为1000埃米至3000埃米。在一种实施例中，所述栅极金属19的制备材料可以包括钼、铝、铜、钛中的至少一者。所述栅极金属19的厚度可以为2000埃米至8000埃米。在一种实施例中，所述栅极金属19上设置有层间介质层，所述层间介质层上设置有源漏极金属层22。所述层间介质层的制备材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一者。所述层间介质层机可以为单层结构也可以为双层结构。在一种实施例中，所述第一发光单元11的光线从远离所述基板21的一侧射出，所述第二发光单元12的光线从所述基板21射出，所述薄膜晶体管15和所述存储电容16位于所述第一发光单元11在所述基板21的正投影范围内。本申请通过将薄膜晶体管15设置在所述第一发光单元11在所述基板21的正投影范围内，进而避免薄膜晶体管15对所述第二发光单元12射出光的遮挡，提高了显示器件100的开口率。在一种实施例中，为了完成发光单元20的驱动，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管15及至少一个所述存储电容16电连接。在一种实施例中，所述第一发光单元11为顶发光单元，所述第二发光单元12为底发光单元。在一种实施例中，所述第一发光单元11与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器件，其特征在于，包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反；其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反；其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管及至少一个所述存储电容电连接。3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一发光单元与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二发光单元与所述第二薄膜晶体管电连接。4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极金属以及与所述有源层电连接的源漏极金属层。5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极；其中，所述第一发光材料层设置于所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层表面。6.根据权利要求5所述的显示器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层采用非透明材料制备，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆松，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44