The invention discloses a cleaning process of germanium single crystal double-sided polishing sheet for infrared lens. This process uses wax-free technology to polish germanium wafers on both sides. Diluted hydrofluoric acid solution is soaked to remove polishing fluid, diluted detergent is used to remove surface contamination by ultrasound, and diluted ammonia solution is used to remove surface particles by mega-acoustic cleaning to achieve clean-free surface. The invention adopts a combination of high purity detergent and HF solution, cooperates with ultrasonic cleaning, effectively removes the surface contamination of double-sided polished germanium sheet, meets the requirements of clean-free surface, and greatly improves the surface quality of infrared double-sided polished sheet. The invention has simple operation and easy realization, reduces the cleaning difficulty of double-sided polished germanium sheet, and is easy to realize batch production.
【技术实现步骤摘要】
一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺
本专利技术涉及半导体材料加工技术,特别是涉及一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺。
技术介绍
锗单晶具有良好的机械性能和导热性能,它的透射光谱范围为2-12μm,广泛应用于红外光学镜头以及保护红外光学镜头的红外光学窗口。60%以上的中低端红外光学镜头为锗单晶制造,50%以上的高端红外光学镜头为锗单晶制造。另外,锗在10.6μm处的吸收很小,是激光透镜、窗口和输出耦合镜的理想材料,还被用作各种红外滤波器的基底材料。目前国内红外光学需求的高端锗单晶抛光片为N型2-6英寸双面抛光片,厚度在300-600微米范围。通常厂家采用机械研磨的方法加工,加工面仍旧存在机械应力和亚微米损伤层,难以与国际水平相比。而采用CMP抛光工艺加工的锗片主要是用于太阳能电池用超薄锗衬底,加工工艺与双抛工艺不通用。另外,锗抛光片清洗不能采用常规的RCA清洗工艺,否则会造成表面氧化和严重腐蚀。在高端锗双面抛光片加工中,采用CPM的抛光方式,若想表面达到免清洗工艺要求,只能采用单片清洗工艺,通过采用热硫酸+冷硫酸浸泡的清洗方式去除有机沾污和手印,再通过低温1#液去除表面沾污和颗粒,清洗工艺繁琐、效率低、安全性差。因此,通过改进清洗工艺,采用与IC级硅抛光片生产相近的工艺流程和通用设备,使红外用锗单晶抛光片表面达到免清洗要求,具有十分重要的现实意义。
技术实现思路
鉴于现有技术状况,针对锗双面抛光片的清洗难题,本专利技术提供一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺。高质量的抛光片表面要求:无雾、无沾污、无手印、无腐蚀、无斑痕、无抛光液,表面0.3微米及 ...
【技术保护点】
1.一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺,其特征是:采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后,采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液,采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污,采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒,达到免清洗表面,其工艺步骤如下:(1)、将一面抛光好的锗片装入PFA花篮中,在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min,然后进行纯水冲洗;(2)、将锗片放入稀释的洗净剂中超声5min,超声温度控制在50‑60℃,然后进行纯水冲洗;(3)、将第二面抛光好的锗片在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min,然后进行纯水冲洗;(4)、将锗片依次放入两杯装有稀释的洗净剂溶液中,超声温度控制在50‑60℃,每杯超声5min,然后在第3杯装有纯水中超声2min,再进行纯水冲洗;(5)、将清洗后的锗片放入稀释的氨水溶液中兆声清洗10min,清洗温度为20‑25℃,喷淋冲洗后甩干、检验。
【技术特征摘要】
1.一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺,其特征是:采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后,采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液,采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污,采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒,达到免清洗表面,其工艺步骤如下:(1)、将一面抛光好的锗片装入PFA花篮中,在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min,然后进行纯水冲洗;(2)、将锗片放入稀释的洗净剂中超声5min,超声温度控制在50-60℃,然后进行纯水冲洗;(3)、将第二面抛光好的锗片在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min,然后进行纯水冲洗;(4)、将锗片依次放入两杯装有稀释的洗净剂溶液中,超声温度控制在50-60℃,每杯超声5min,然后在第3杯装有纯水中超声...
【专利技术属性】
技术研发人员:王云彪,武永超,吕菲,陈亚楠,张贺强,杨召杰,耿莉,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十六研究所,
类型:发明
国别省市:天津,12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。