双重过压保护电路及过压保护系统技术方案

本发明专利技术公开一种双重过压保护电路及过压保护系统，包括第一过压保护单元、第二过压保护单元及控制单元，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元分别与所述控制单元电连接，并且，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元电连接。本发明专利技术为双重过压保护电路及过压保护系统，能使芯片的VCC电压在重载时限制在合理的范围，在电路VCC电压升高到一定范围时，能切断电路，避免了芯片及其他元件被损坏。

Double Overvoltage Protection Circuit and Overvoltage Protection System

The invention discloses a dual overvoltage protection circuit and an overvoltage protection system, including a first overvoltage protection unit, a second overvoltage protection unit and a control unit. The first overvoltage protection unit and the second overvoltage protection unit are electrically connected with the control unit respectively, and the first overvoltage protection unit and the second overvoltage protection unit are electrically connected. The invention is a double over-voltage protection circuit and an over-voltage protection system, which can limit the VCC voltage of the chip to a reasonable range during heavy load, cut off the circuit when the VCC voltage of the circuit rises to a certain range, and avoid the damage of the chip and other components.

【技术实现步骤摘要】
双重过压保护电路及过压保护系统
本专利技术涉及过压保护电路领域，特别是涉及一种双重过压保护电路及过压保护系统。
技术介绍
液晶显示器简称LCD(LiquidCrystalDisplay)，采用一种介于固态和液态之间的物质，具有规则性分子排列的有机化合物，加热呈现透明状的液体状态，冷却后出现结晶颗粒的混浊固体状态的物质。用于液晶显示器的液晶分子结构排列类似细火柴棒，被称为Nematic液晶，采用此类液晶制造的液晶显示器也就称为LCD(LiquidCrystalDisplay)。而液晶电视是在两张玻璃之间的液晶内，加入电压，通过分子排列变化及曲折变化再现画面，屏幕通过电子群的冲撞，制造画面并通过外部光线的透视反射来形成画面。世界上第一台液晶显示设备在20世纪70年代初由日本夏普制造，被称之为TN-LCD(扭曲向列)液晶显示器。目前，普遍应用在液晶电视机中，为了节省成本，采用LLC低带机功耗的方案。为了待机功耗低，传统的方案的VCC在空载时电压低，但在重载时电压很高，会超过芯片的过压保护的电压，则有可能烧坏芯片。为了防止这种异常状态的发生，在现有的线路上添加了一个线路，在重载时将VCC电压限制在合理的范围。同时，在电路电压升高到一定范围时，能切断电路，避免了芯片及其他元件损坏。从而保证了整机的安全性。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种双重过压保护电路及过压保护系统，能使芯片的VCC电压在重载时限制在合理的范围，在电路VCC电压升高到一定范围时，能切断电路，避免了芯片及其他元件被损坏。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种双重过压保护电路，包括：第一过压保护单元、第二过压保护单元及控制单元，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元分别与所述控制单元电连接，并且，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元电连接。在其中一个实施例中，所述第一过压保护单元包括稳压二极管ZD1、电阻R1、电阻R2、电容C1及三极管Q1，所述稳压二极管ZD1的阴极与所述第二过压保护单元电连接，所述稳压二极管ZD1的阳极顺序经所述电阻R2和所述电阻R1接地，所述电容C1的两端与所述电阻R1的两端并联连接，所述三极管Q1的基极与所述电阻R2和所述电阻R1的串联连接的节点电连接，所述三极管Q1的集电极与所述控制单元电连接，所述三极管Q1的发射极接地。在其中一个实施例中，所述第二过压保护单元包括稳压二极管ZD2、电阻R3、电阻R4及三极管Q2，所述三极管Q1的基极与所述稳压二极管ZD2的阴极电连接，所述三极管Q2的集电极作为第二过压保护单元的电压输入端，所述三极管Q2的发射极与所述控制单元电连接，所述稳压二极管ZD2的阳极接地，所述电阻R3的两端分别与所述三极管Q1的基极和集电极电连接，所述电阻R4的两端分别与所述三极管Q2的基极和发射极电连接。在其中一个实施例中，所述第二过压保护单元还包括电容C3和电容C4，所述电容C3的一端与所述三极管Q2的发射极电连接，所述电容C3的另一端接地，所述电容C4的一端与所述三极管Q2的发射极电连接，所述电容C4的另一端接地。在其中一个实施例中，所述双重过压保护电路还包括电压输入电路，所述电压输入电路的一端与分别与所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元电连接，所述电压输入电路的另一端用于输入电压。在其中一个实施例中，所述电压输入电路包括电容C2、电阻R65、电阻R66及二极管D8，所述电阻R65的第一端用于输入电压，所述电阻R65的第二端顺序经所述二极管D8和所述电容C2后接地，所述电阻R66的两端分别与所述电阻R65的两端并联连接。在其中一个实施例中，所述电压输入电路还包括电阻R62、电阻R63及电阻R64，所述电阻R62的一端与所述电阻R65的第一端电连接，所述电阻R62的另一端经所述电阻R63、所述电阻R64后接地。本专利技术还提供一种过压保护系统，包括以上所述的双重过压保护电路，还包括输出开关电路、通讯电路及功率因素控制电路，所述双重过压保护电路分别与所述输出开关电路、所述通讯电路和所述功率因素控制电路电连接，所述通讯电路还与所述功率因素控制电路电连接。在其中一个实施例中，所述通讯电路包括电阻R11、电阻R12及三极管Q4，所述电阻R11的一端与所述双重过压保护电路的通讯端电连接，所述电阻R11的另一端与所述三极管Q4的基极电连接，所述三极管Q4的发射极与所述功率因素控制电路的一端电连接，所述三极管Q4的集电极经所述电阻R12后与所述功率因素控制电路的另一端电连接。在其中一个实施例中，所述通讯电路还包括电阻R13和电容C14，所述电容C14的一端与所述三极管Q4的基极电连接，所述电容C14的另一端接地，所述电阻R13的两端与所述电容C14的两端并联连接。本专利技术相比于现有技术的优点及有益效果如下：本专利技术为一种双重过压保护电路及过压保护系统，通过设置第一过压保护单元、第二过压保护单元及控制单元，能使芯片的VCC电压在重载时限制在合理的范围，在电路VCC电压升高到一定范围时，能切断电路，避免了芯片及其他元件被损坏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术一实施方式的双重过压保护电路的电路原理图；图2为本专利技术的过压保护系统的通讯电路的电路原理图；图3为本专利技术的过压保护系统的功率因素控制电路的电路原理图；图4为图3所示的另一实施方式的功率因素控制电路的电路原理图；图5为本专利技术的过压保护系统的输出开关电路的电路原理图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。一种双重过压保护电路，包括：第一过压保护单元、第二过压保护单元及控制单元，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元分别与所述控制单元电连接，并且，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元电连接。需要说明的是，所述第一过压保护单元用于保护电路不受过高的电压损坏，当第二过压保护单元所接收的电压大于其所能承受的电压时，则第一过压保护单元则会启动保护的过程，使得控制单元进入过压保护的状态中；所述第二过压保护单元用于保证输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双重过压保护电路，其特征在于，包括：第一过压保护单元、第二过压保护单元及控制单元，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元分别与所述控制单元电连接，并且，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元电连接。

【技术特征摘要】
1.一种双重过压保护电路，其特征在于，包括：第一过压保护单元、第二过压保护单元及控制单元，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元分别与所述控制单元电连接，并且，所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元电连接。2.根据权利要求1所述的双重过压保护电路，其特征在于，所述第一过压保护单元包括稳压二极管ZD1、电阻R1、电阻R2、电容C1及三极管Q1，所述稳压二极管ZD1的阴极与所述第二过压保护单元电连接，所述稳压二极管ZD1的阳极顺序经所述电阻R2和所述电阻R1接地，所述电容C1的两端与所述电阻R1的两端并联连接，所述三极管Q1的基极与所述电阻R2和所述电阻R1的串联连接的节点电连接，所述三极管Q1的集电极与所述控制单元电连接，所述三极管Q1的发射极接地。3.根据权利要求1所述的双重过压保护电路，其特征在于，所述第二过压保护单元包括稳压二极管ZD2、电阻R3、电阻R4及三极管Q2，所述三极管Q1的基极与所述稳压二极管ZD2的阴极电连接，所述三极管Q2的集电极作为第二过压保护单元的电压输入端，所述三极管Q2的发射极与所述控制单元电连接，所述稳压二极管ZD2的阳极接地，所述电阻R3的两端分别与所述三极管Q1的基极和集电极电连接，所述电阻R4的两端分别与所述三极管Q2的基极和发射极电连接。4.根据权利要求3所述的双重过压保护电路，其特征在于，所述第二过压保护单元还包括电容C3和电容C4，所述电容C3的一端与所述三极管Q2的发射极电连接，所述电容C3的另一端接地，所述电容C4的一端与所述三极管Q2的发射极电连接，所述电容C4的另一端接地。5.根据权利要求1所述的双重过压保护电路，其特征在于，所述双重过压保护电路还包括电压输入电路，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兴良，陈东华，张世桐，洪志章，
申请(专利权)人：惠州三华工业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44