倒装OLED器件及其制备方法技术

一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明专利技术的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。

Flip-chip OLED devices and their preparation methods

A flip-chip OLED device and its preparation method comprise a sapphire substrate, an isolated indium tin oxide electrode layer deposited on the substrate, an organic functional layer grown on the indium tin oxide electrode layer, a metal electrode layer located on the organic functional layer, one side connected with the negative indium tin oxide electrode layer, and a protective layer located outside the functional layer and the metal electrode layer of OLED. The thicker electrode is located at both ends of the separated indium tin oxide electrode layer. The flip-chip OLED device of the invention has simple preparation process, solves the size limitation of the traditional TFT-driven OLED display screen, and can prepare large-size OLED display screen; can be directly welded to the circuit board by flip-chip welding, and has obvious advantages in the field of large-scale display; flip-chip OLED chip can be compatible with mini LED display.

【技术实现步骤摘要】
倒装OLED器件及其制备方法
本专利技术属于光电

，具体涉及一种倒装OLED器件及其制备方法。
技术介绍
OLED是有机发光二极管，具有高对比度、低耗电、较快的反应速度等特点。OLED多为垂直结构，通常采用蒸镀或涂覆的方法在氧化铟锡阳极层上生长有机功能层，再蒸镀金属阴极层，其中有机功能层包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。制备OLED的工艺简单、工艺周期短、成本较低。通过在有机发光层中掺入不同颜色的发光材料，可以发出红、绿、蓝三基色光，从而运用在白光照明和全彩显示领域。OLED由于其自发光、较薄的有机结构、可柔性弯曲等优势，在显示领域有较大的应用前景，尤其是柔性显示领域。目前，OLED显示屏多采用有源驱动方式，即给每个像素配备可开关的薄膜晶体管TFT，TFT驱动无扫描电极数限制，有利于制备高亮度和高分辨率显示屏；对每个像素单点驱动，无串扰等影响；驱动阵列可以和显示阵列封装在同一玻璃基板上，有利于实现高集成度和小型化，并且提高了成品率和可靠性。然而，受到TFT驱动面板尺寸的影响，无法制备出大尺寸OLED显示屏。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种倒装OLED器件及其制备方法，以便解决上述问题的至少之一。本专利技术是通过如下技术方案实现的：作为本专利技术的一个方面，提供一种倒装OLED器件的制备方法，包括：步骤A、在蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层，并将所述氧化铟锡层隔离成两个区域，形成正、负氧化铟锡电极层；步骤B、在所述正、负氧化铟锡电极层的边缘制备加厚电极；步骤C、在所述正氧化铟锡电极层上方依次生长OLED的功能层；步骤D、在所述OLED的功能层上制备金属电极层，使所述金属电极层覆盖在整个OLED功能层上方并且所述金属电极层的一侧与所述负氧化铟锡电极层相连；步骤E、在所述OLED的功能层和金属电极层外侧沉积保护层；步骤F、将切割好的倒装OLED器件倒装焊到电路板上，电源驱动倒装OLED芯片发光。优选地，步骤A中，在所述蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层采用光刻或溅射方法。优选地，步骤A中，在氧化铟锡层留出开口，在所述开口处通过光刻、PECVD的方法沉积绝缘层。优选地，步骤B中，通过光刻或蒸镀方法制备加厚电极。优选地，步骤C中，所述OLED的功能层采用蒸镀或印刷工艺依次生长。优选地，步骤C中，所述OLED的功能层包括：空穴传输层；有机发光层；以及电子传输层。优选地，步骤D中，在所述OLED的功能层上制备金属电极层的方法为蒸镀。优选地，步骤E中，沉积保护层的方法为蒸镀或涂覆。作为本专利技术的另一个方面，提供一种倒装OLED器件，包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，其沉积于所述蓝宝石衬底上；包括：正氧化铟锡电极层；以及负氧化铟锡电极层；有机功能层，其生长于所述正氧化铟锡电极层上；金属电极层，其位于所述有机功能层上，一侧与所述负氧化铟锡电极层相连；保护层，其位于所述OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，其位于所述隔离开的氧化铟锡电极层上部的两端。从上述技术方案可以看出，本专利技术的一种倒装OLED器件及其制备方法具有以下有益效果：(1)制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；(2)相比于制备传统的垂直结构OLED芯片，倒装结构OLED芯片可以通过倒装焊的方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；(3)倒装结构OLED芯片可与miniLED显示兼容，制备蓝光LED与倒装绿光、红光OLED相结合的显示器件，有利于提高显示质量。附图说明图1为本专利技术实施例中倒装OLED芯片结构示意图；【附图标记说明】1-蓝宝石衬底；2-正氧化铟锡电极层；3-绝缘层；4-负氧化铟锡电极层；5-空穴传输层；6-有机发光层；7-电子传输层；8-Al电极；9-保护层；10-加厚电极。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。一种倒装OLED器件及其制备方法，所述倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，其沉积于蓝宝石衬底上；有机功能层，其生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，其位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，其位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，其位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本专利技术的倒装OLED器件及其制备方法制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可以通过倒装焊的方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与miniLED显示兼容，制备蓝光LED与倒装绿光、红光OLED相结合的显示器件，有利于提高显示质量。具体地，作为本专利技术的一个方面，提供一种倒装OLED器件的制备方法，包括：步骤A、在蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层，并将所述氧化铟锡层隔离成两个区域，形成正、负氧化铟锡电极层；步骤B、在所述正、负氧化铟锡电极层的边缘制备加厚电极；步骤C、在所述正氧化铟锡电极层上方依次生长OLED的功能层；步骤D、在所述OLED的功能层上制备金属电极层，使所述金属电极层覆盖在整个OLED功能层上方并且所述金属电极层的一侧与所述负氧化铟锡电极层相连；步骤E、在所述OLED的功能层和金属电极层外侧沉积保护层；步骤F、将切割好的倒装OLED器件倒装焊到电路板上，电源驱动倒装OLED芯片发光。步骤A中，在所述蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层采用光刻或溅射方法。步骤A中，在氧化铟锡层留出开口，在所述开口处通过光刻、PECVD的方法沉积绝缘层。步骤B中，通过光刻或蒸镀方法制备加厚电极。步骤C中，所述OLED的功能层采用蒸镀或印刷工艺依次生长。步骤C中，所述OLED的功能层包括：空穴传输层；有机发光层；以及电子传输层。步骤D中，在所述OLED的功能层上制备金属电极层的方法为蒸镀。步骤E中，沉积保护层的方法为蒸镀或涂覆。作为本专利技术的另一个方面，提供一种倒装OLED器件，包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，其沉积于所述蓝宝石衬底上；包括：正氧化铟锡电极层；以及负氧化铟锡电极层；有机功能层，其生长于所述正氧化铟锡电极层上；金属电极层，其位于所述有机功能层上，一侧与所述负氧化铟锡电极层相连；保护层，其位于所述OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，其位于所述隔离开的氧化铟锡电极层上部的两端。参考LED大尺寸高清显示屏的结构，将倒装结构的红、绿、蓝三基色LED芯片通过倒装焊到显示基板上，这种结构不受尺寸限制，可制备出大尺寸的显示屏。故可以制备倒装结构的OLED芯片，将红、绿、蓝三基色倒装OLED芯片通过倒装焊到显示基板上，从而制备出大尺寸的全彩显示屏。并且由于OLED芯片绿光发光性能较好、倒装红光OLED芯片制备工艺简单、倒装结构OLED芯片与miniLED显示兼容，故可制备蓝光LED与倒装绿光、红光OLED相结合的显示基板，将LED芯片与OLED芯片的优势相结合，提高像素质量，提升显示性能。以下结合具体实施例和附图，对本专利技术倒装OLED器件及其制备方法作进一步的详细说明。图1为本专利技术实施例中倒装OLED器件结构示意图。如图1所示，倒装OLED器件包括：蓝宝石衬底1、正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、在蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层，并将所述氧化铟锡层隔离成两个区域，形成正、负氧化铟锡电极层；步骤B、在所述正、负氧化铟锡电极层的边缘制备加厚电极；步骤C、在所述正氧化铟锡电极层上方依次生长OLED的功能层；步骤D、在所述OLED的功能层上制备金属电极层，使所述金属电极层覆盖在整个OLED功能层上方并且所述金属电极层的一侧与所述负氧化铟锡电极层相连；步骤E、在所述OLED的功能层和金属电极层外侧沉积保护层；步骤F、将切割好的倒装OLED器件倒装焊到电路板上，电源驱动倒装OLED芯片发光。

【技术特征摘要】
1.一种倒装OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、在蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层，并将所述氧化铟锡层隔离成两个区域，形成正、负氧化铟锡电极层；步骤B、在所述正、负氧化铟锡电极层的边缘制备加厚电极；步骤C、在所述正氧化铟锡电极层上方依次生长OLED的功能层；步骤D、在所述OLED的功能层上制备金属电极层，使所述金属电极层覆盖在整个OLED功能层上方并且所述金属电极层的一侧与所述负氧化铟锡电极层相连；步骤E、在所述OLED的功能层和金属电极层外侧沉积保护层；步骤F、将切割好的倒装OLED器件倒装焊到电路板上，电源驱动倒装OLED芯片发光。2.根据权利要求1所述的倒装OLED器件的制备方法，其特征在于，步骤A中，在所述蓝宝石衬底上沉积氧化铟锡层采用光刻或溅射方法。3.根据权利要求1所述的倒装OLED器件的制备方法，其特征在于，步骤A中，在氧化铟锡层留出开口，在所述开口处通过光刻、PECVD的方法沉积绝缘层。4.根据权利要求1所述的倒装OLED器件的制备方法，其特征在于，步骤B中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璟，葛畅，王国宏，苏康，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11