支柱绝缘子孔泡检测方法及装置、终端、存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供支柱绝缘子孔泡检测方法，沿轴线方向选取若干个位置，并在每一位置处与轴线相交的截平面圆周上获得透射点，采用太赫兹波测量透射点的透射波形；检测透射点的功率谱密度谱；获取透射点的第一平均孔径，获取支柱绝缘子在截平面上的孔径标准差；获取截平面对应位置处的第二平均孔径，获取支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差；根据第一平均孔径、支柱绝缘子在截平面的孔径标准差以及支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差，评估所述支柱绝缘子孔泡状态。本发明专利技术还提供一种支柱绝缘子孔泡检测装置、终端装置与存储介质，利用本发明专利技术实施例可对支柱绝缘子中填充材料的平均孔径进行无损直接检测，评估支柱绝缘子的整体性能。

Pore detection method and device, terminal and storage medium for pillar insulator

The embodiment of the present invention provides a method for detecting the holes and bubbles of column insulators, selects several positions along the axis direction, and obtains the transmission points on the circumference of the section plane intersecting with the axis at each position, and uses terahertz wave to measure the transmission waveform of the transmission points; detects the power spectral density spectrum of the transmission points; obtains the first average aperture of the transmission points, and obtains the aperture of the column insulators on the section plane. Standard deviation; Obtain the second average aperture at the corresponding position of the truncation plane, and obtain the standard deviation of the pore diameter along the axis direction of the post insulator; Evaluate the bubble state of the post insulator according to the first average aperture, the standard deviation of the pore diameter of the post insulator in the truncation plane and the standard deviation of the pore diameter along the axis direction of the post insulator. The invention also provides a bubble detection device, a terminal device and a storage medium for a pillar insulator. The embodiment of the invention can directly detect the average pore diameter of the filling material in the pillar insulator without damage and evaluate the overall performance of the pillar insulator.

【技术实现步骤摘要】
支柱绝缘子孔泡检测方法及装置、终端、存储介质
本专利技术属于绝缘子检测
，具体涉及到支柱绝缘子孔泡检测方法、支柱绝缘子孔泡检测装置、终端装置以及存储介质。
技术介绍
本部分旨在为权利要求书中陈述的本专利技术的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。灌注式复合支柱绝缘子作为一种新型复合支柱绝缘子，自开发以来，已经在国内多个重点工程的母线支柱和隔离开关支柱绝缘子上大批量应用。但是其内部填充材料是一种多孔结构的材料，这种结构的存在容易使支柱绝缘子内的电场产生畸变，可能会引发局部放电。基于上述危害可以看出，灌注式支柱绝缘子中的孔泡问题严重影响了输电系统的安全稳定运行。为了评估灌注式支柱绝缘子内部孔泡的状态，控制其在合理阈值范围以筛选出高质量的支柱绝缘子来提高输电系统的安全稳定性，现有的填充材料孔泡检测方法有压汞法孔泡检测等，其都需要对填充材料取样进行破坏性实验，检测方法较为繁琐且无法实现对支柱绝缘子的无损检测。而传统的无损检测如超声检测、红外检测等，在对填充材料此类结构复杂的隔热材料检测中，信号衰减大且成像质量不高，利用常规的无损检测技术已难以满足检测要求。故有必要对填充材料孔泡无损检测技术进行深入研究，制定成熟的检测支柱绝缘子孔泡的方法。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种支柱绝缘子孔泡检测方法、支柱绝缘子孔泡检测装置、终端装置以及存储介质，能够对支柱绝缘子中填充材料的平均孔径进行无损检测，进而可以评估支柱绝缘子的整体性能。本专利技术实施例一方面提供一种支柱绝缘子孔泡检测方法，所述方法包括：步骤1，在支柱绝缘子上沿轴线方向选取若干个位置，并在支柱绝缘子对应的每一位置处与轴线相交的截平面圆周上每隔预设角度获得一个透射点，采用太赫兹波测量所述透射点的透射波形；步骤2，检测每一所述透射点的功率谱密度谱；步骤3，根据所述功率谱密度谱获取每一所述透射点的第一平均孔径，并根据每一截平面上测得的若干所述第一平均孔径获取所述支柱绝缘子在截平面上的孔径标准差；步骤4，根据所述透射点的第一平均孔径获取每一截平面对应位置处的第二平均孔径，并根据若干个所述第二平均孔径获取支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差；步骤5，根据所述第一平均孔径、所述支柱绝缘子在截平面的孔径标准差以及所述支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差，评估所述支柱绝缘子孔泡状态。进一步的，在本专利技术实施例提供的上述的支柱绝缘子孔泡检测方法中，所述截平面与所述轴线垂直，所述预设角度包括45度。进一步的，在本专利技术实施例提供的上述的支柱绝缘子孔泡检测方法中，当太赫兹波在所述透射点径向入射时，所述第一平均孔径与所述功率谱密度谱的频率满足关系：其中，v表示光速，r表示所述第一平均孔径，f表示所述功率谱密度谱的频率。进一步的，在本专利技术实施例提供的上述的支柱绝缘子孔泡检测方法中，每一所述第二平均孔径为对应截平面上获取的若干所述第一平均孔径的平均值。进一步的，在本专利技术实施例提供的上述的支柱绝缘子孔泡检测方法中，所述评估所述支柱绝缘子孔泡包括：若所述第一平均孔径小于第一预设值，则所述支柱绝缘子在所述透射点处的孔泡不均匀。进一步的，在本专利技术实施例提供的上述的支柱绝缘子孔泡检测方法中，所述评估所述支柱绝缘子孔泡还包括：若所述支柱绝缘子在所述透射点位置横截面的孔径标准差大于第二预设值，则所述支柱绝缘子横截面上的孔泡分布不均匀。进一步的，在本专利技术实施例提供的上述的支柱绝缘子孔泡检测方法中，所述评估所述支柱绝缘子孔泡还包括：若所述支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差大于第三预设值，则所述支柱绝缘子纵向的孔泡分布不均匀。本专利技术实施例另一方面还提供一种支柱绝缘子孔泡检测装置，所述支柱绝缘子孔泡检测装置包括：透射波形测量模块，用于在支柱绝缘子上沿轴线方向选取若干个位置，并在支柱绝缘子对应的每一位置处与轴线相交的截平面圆周上每隔预设角度获得一个透射点，采用太赫兹波测量所述透射点的透射波形；功率谱密度谱获取模块，用于检测每一所述透射点的功率谱密度谱；第一孔径获取模块，用于根据所述功率谱密度谱获取每一所述透射点的第一平均孔径，并根据每一截平面上测得的若干所述第一平均孔径获取所述支柱绝缘子在截平面上的孔径标准差；第二孔径获取模块，用于根据所述透射点的第一平均孔径获取每一截平面对应位置处的第二平均孔径，并根据若干个所述第二平均孔径获取支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差；孔泡检测模块，用于根据所述第一平均孔径、所述支柱绝缘子在截平面的孔径标准差以及所述支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差，评估所述支柱绝缘子孔泡状态。本专利技术实施例再一方面还提供一种终端装置，所述终端装置包括处理器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现上述任意一项所述的支柱绝缘子孔泡检测方法的步骤。本专利技术实施例再一方面还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项所述的支柱绝缘子孔泡检测方法的步骤。本专利技术实施例提供一种支柱绝缘子孔泡检测方法及装置、终端装置及存储介质，在支柱绝缘子上沿轴线方向选取若干个位置，并在支柱绝缘子对应的每一位置处与轴线相交的截平面圆周上每隔预设角度获得一个透射点，采用太赫兹波测量所述透射点的透射波形；检测每一所述透射点的功率谱密度谱；根据所述功率谱密度谱获取每一所述透射点的第一平均孔径，并根据每一截平面上测得的所述第一平均孔径获取所述支柱绝缘子在截平面上的孔径标准差；根据所述透射点的第一平均孔径获取每一截平面对应位置处的第二平均孔径，并根据若干个所述第二平均孔径获取支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差；根据所述第一平均孔径、所述支柱绝缘子在截平面的孔径标准差以及所述支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差，评估所述支柱绝缘子孔泡状态。利用本专利技术实施例，可对支柱绝缘子中填充材料的平均孔径进行无损直接检测，进而可以评估支柱绝缘子的整体性能。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术实施例提供的一种支柱绝缘子孔泡检测方法流程图。图2(a)为本专利技术实施例提供的支柱绝缘子孔泡检测方法的测试示意图。图2(b)为本专利技术实施例提供的支柱绝缘子孔泡检测方法的另一测试示意图。图3为本专利技术实施例提供的功率谱密度谱示意图。图4是本专利技术一实施方式的终端的结构示意图。图5是图4所示的终端的示例性的功能模块图。主要元件符号说明终端1存储器10显示屏20处理器30支柱绝缘子孔泡检测装置100透射波形测量模块11功率谱密度谱获取模块12第一孔径获取模块13第二孔径获取模块14孔泡检测模块15太赫兹发射探头21太赫兹接收探头22聚氨酯23玻璃钢筒24金具25硅橡胶伞裙26如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术实施例。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术实施例的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术实施例，所描述的实施方式仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术实施例保护的范围。除非另有定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，在支柱绝缘子上沿轴线方向选取若干个位置，并在支柱绝缘子对应的每一位置处与轴线相交的截平面圆周上每隔预设角度获得一个透射点，采用太赫兹波测量所述透射点的透射波形；步骤2，检测每一所述透射点的功率谱密度谱；步骤3，根据所述功率谱密度谱获取每一所述透射点的第一平均孔径，并根据每一截平面上测得的若干所述第一平均孔径获取所述支柱绝缘子在截平面上的孔径标准差；步骤4，根据所述透射点的第一平均孔径获取每一截平面对应位置处的第二平均孔径，并根据若干个所述第二平均孔径获取支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差；步骤5，根据所述第一平均孔径、所述支柱绝缘子在截平面的孔径标准差以及所述支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差，评估所述支柱绝缘子孔泡状态。

【技术特征摘要】
1.一种支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，在支柱绝缘子上沿轴线方向选取若干个位置，并在支柱绝缘子对应的每一位置处与轴线相交的截平面圆周上每隔预设角度获得一个透射点，采用太赫兹波测量所述透射点的透射波形；步骤2，检测每一所述透射点的功率谱密度谱；步骤3，根据所述功率谱密度谱获取每一所述透射点的第一平均孔径，并根据每一截平面上测得的若干所述第一平均孔径获取所述支柱绝缘子在截平面上的孔径标准差；步骤4，根据所述透射点的第一平均孔径获取每一截平面对应位置处的第二平均孔径，并根据若干个所述第二平均孔径获取支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差；步骤5，根据所述第一平均孔径、所述支柱绝缘子在截平面的孔径标准差以及所述支柱绝缘子沿轴线方向的孔径标准差，评估所述支柱绝缘子孔泡状态。2.根据权利要求1所述的支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，所述截平面与所述轴线垂直，所述预设角度包括45度。3.根据权利要求1所述的支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，当太赫兹波在所述透射点径向入射时，所述第一平均孔径与所述功率谱密度谱的频率满足关系：其中，v表示光速，r表示所述第一平均孔径，f表示所述功率谱密度谱的频率。4.根据权利要求1所述的支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，每一所述第二平均孔径为对应截平面上获取的若干所述第一平均孔径的平均值。5.根据权利要求1所述的支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，所述评估所述支柱绝缘子孔泡状态包括：若所述第一平均孔径小于第一预设值，则所述支柱绝缘子在所述透射点处的孔泡不均匀。6.根据权利要求1所述的支柱绝缘子孔泡检测方法，其特征在于，所述评估所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅红伟，管兮远，王黎明，
申请(专利权)人：清华大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44