【技术实现步骤摘要】
阵列基板、驱动方法、有机发光显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种阵列基板、驱动方法、有机发光显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示面板是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)相比,OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。然而,现有的OLED显示面板中包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素,每个子像素包括:一个OLED以及用于驱动OLED发光的像素电路。像素电路一般包括多个晶体管和电容。由于工艺制备精度的限制,导致像素电路会占用子像素中较大的面积,从而不利于实现高PPI的OLED显示面板。尤其是在OLED设置为Micro-OLED或Mini-OLED时,像素电路占用子像素中较大的面积对高PPI的OLED显示面板的影响尤为明显。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、驱动方法、有机发光显示面板及显示装置,用以降低像素电路占用面积,有利于实现高PPI显示面板。本专利技术实施例提供了一种阵列基板,包括:位于显示区中的多个发光器件以及与各所述发光器件一一对应耦接的像素电路;所述像素电路包括驱动晶体管;所述阵列基板还包括:位于所述阵列基板的非显示区中的多个电压控制电路;其中,一行中至少两个像素电路共用一个电压控制电路,且一行像素电路中驱动晶体管的第一极与共用的所述电压控制电路耦接,各所述驱动晶体管的第二极与对应的所述发光器件耦接;所述电压控制电路被配置为响应于复位控制 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,包括:位于显示区中的多个发光器件以及与各所述发光器件一一对应耦接的像素电路;所述像素电路包括驱动晶体管;其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述阵列基板的非显示区中的多个电压控制电路;其中,一行中至少两个像素电路共用一个电压控制电路,且一行像素电路中驱动晶体管的第一极与共用的所述电压控制电路耦接,各所述驱动晶体管的第二极与对应的所述发光器件耦接;所述电压控制电路被配置为响应于复位控制信号,将初始化信号输出至所述驱动晶体管的第一极,控制对应的发光器件复位;以及响应于发光控制信号,将第一电源信号输出至所述驱动晶体管的第一极,以驱动发光器件发光。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括:位于显示区中的多个发光器件以及与各所述发光器件一一对应耦接的像素电路;所述像素电路包括驱动晶体管;其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述阵列基板的非显示区中的多个电压控制电路;其中,一行中至少两个像素电路共用一个电压控制电路,且一行像素电路中驱动晶体管的第一极与共用的所述电压控制电路耦接,各所述驱动晶体管的第二极与对应的所述发光器件耦接;所述电压控制电路被配置为响应于复位控制信号,将初始化信号输出至所述驱动晶体管的第一极,控制对应的发光器件复位;以及响应于发光控制信号,将第一电源信号输出至所述驱动晶体管的第一极,以驱动发光器件发光。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于显示区中的多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素;各所述子像素包括:一个所述发光器件与一个所述像素电路。3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,同一行中相邻的至少两个子像素中的像素电路共用一个所述电压控制电路。4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,同一行中的所有像素电路共用一个所述电压控制电路。5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述电压控制电路包括:第一开关晶体管和第二开关晶体管;所述第一开关晶体管的栅极用于接收所述复位控制信号,所述第一开关晶体管的第一极用于接收所述初始化信号,所述第一开关晶体管的第二极与对应的驱动晶体管的第一极耦接;所述第二开关晶体管的栅极用于接收发光控制信号,所述第二开关晶体管的第一极用于接收所述第一电源信号,所述第二开关晶体管的第二极与对应的驱动晶体管的第一极耦接。6.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电路还包括:第三开关晶体管和存储电容;所述第三开关晶体管的栅极用于接收第一栅极扫描信号,所述第三开关晶体管的第一极用于接收数据信号,所述第三开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接;所述存储电容的第一端与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述存储电容的第二端与接地端耦接。7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电路还包括:第四开关晶体管;其中,所述第四开关晶体管与所述第三开关晶体管的类型不同;所述第四开关晶体管的栅极用于接收第二栅极扫描信号,所述第四开关晶体管的第一极用于接收所述数据信号,所述第四开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接。8.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电路还包括:第五开关晶体管;其中,所述驱动晶体管的第二极通过所述第五开关晶体管与对应的发光器件耦接;所述第五开关晶体管的栅极与参考信号端耦接,所述第五开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接,所述第五开关晶体管的第二极与对应的发光器件耦接。9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第五开关晶体管为P型晶体管,所述参考信号端为接地端。10.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条发光...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨盛际,董学,陈小川,王辉,李胜男,郑增强,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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