电致发光显示器制造技术

提供了一种电致发光显示器。该电致发光显示器包括彼此交叉的数据线和栅极线以及布置成矩阵的像素，其中，每个像素的每个子像素包括：第一驱动器，其被配置成通过使用第一EM开关元件和第一驱动元件来驱动发光元件，其中，第一EM开关元件响应于第一发光控制信号来对被施加像素驱动电压的供电线与发光元件之间的电流路径进行通断，第一驱动元件连接在第一EM开关元件与发光元件之间；以及第二驱动器，其被配置成通过使用第二EM开关元件和第二驱动元件来驱动发光元件，其中，第二EM开关元件响应于第二发光控制信号来对供电线与发光元件之间的电流路径进行通断，第二驱动元件连接在第二EM开关元件与发光元件之间。

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示器本申请要求于2017年5月31日提交的韩国专利申请第10-2017-0067705号的权益，出于所有目的将该专利申请的全部内容通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
本公开涉及其中两个驱动元件连接至单个发光元件的电致发光显示器。
技术介绍
平板显示器包括液晶显示器(LCD)、电致发光显示器、场致发射显示器(FED)和等离子显示面板(PDP)。取决于发光层的材料，电致发光显示器大致分为无机发光显示器和有机发光显示器。其中，有源矩阵有机发光显示器包括自身发光的有机发光二极管(以下称为“OLED”)，并且具有响应速度快、发光效率高、亮度高以及视角宽的优点。有机发光显示器的OLED包括阳极、阴极和位于这些电极之间的有机化合物层。有机化合物层由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成。当电力电压施加至阳极和阴极时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子移动到发射层EML，从而形成激子。作为结果，发射层EML产生可见光。为了补偿驱动元件的电气特性的变化，可以应用内部补偿和外部补偿。在内部补偿方法中，通过使用随驱动元件的电气特性变化的驱动元件的栅源电压来实时自动补偿像素之间的驱动元件的电气特性的变化。在外部补偿方法中，通过感测随驱动元件的电气特性变化的每个像素的电压并且通过经由外部电路基于感测到的电压对输入图像的数据进行调制来补偿像素之间的驱动元件的电气特性的变化。有机发光显示器的每个像素包括用于根据输入图像的像素数据来控制流过OLED的电流的驱动元件。驱动元件可以被实现为晶体管。驱动元件的电气特性(例如阈值电压和迁移率)应当在所有像素中相同，但由于工艺条件、工作环境等而可能不一致。驱动元件随着工作时间增加而受到更多应力。驱动元件上的应力随着输入图像的像素数据而变化。随着驱动元件上的应力增加，驱动元件更快地劣化。驱动元件的阈值电压由于像素的驱动元件上的累积应力而移位，作为结果，甚至在屏幕上的图像改变之后，也可能产生鬼像(ghostimage)。
技术实现思路
本公开提供了一种电致发光显示器，其防止由驱动元件上的累积应力引起的鬼像，并降低功耗。根据本公开的电致发光显示器包括彼此交叉的数据线和栅极线以及布置成矩阵的像素。每个像素的每个子像素包括：第一驱动器，其被配置成通过使用第一EM开关元件和第一驱动元件来驱动发光元件，其中，第一EM开关元件响应于第一发光控制信号来对被施加像素驱动电压的供电线与发光元件之间的电流路径进行通断，第一驱动元件连接在第一EM开关元件与发光元件之间；以及第二驱动器，其被配置成通过使用第二EM开关元件和第二驱动元件来驱动发光元件，其中，第二EM开关元件响应于第二发光控制信号来对供电线与发光元件之间的电流路径进行通断，第二驱动元件连接在第二EM开关元件与发光元件之间。附图说明被包括以提供对本专利技术的进一步理解并且被并入本说明书中构成本说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施方式，并且与描述一起用于说明本专利技术的原理。在附图中：图1是示出根据本公开的示例性实施方式的电致发光显示器的框图；图2是示出根据本公开的第一示例性实施方式的像素电路的电路图；图3A至图4D是示出图2的像素电路如何工作的视图；图5是示出在正常驱动模式下的发光控制信号的示例的波形图；图6是示出正常驱动模式和低功耗驱动模式的视图；图7是示出晶体管中的半导体沟道层的宽度和长度的视图；图8是示出用于正常驱动的晶体管和用于低功耗驱动的晶体管的传输特性的视图；图9是示出在正常驱动模式和低功耗模式下的发光控制信号的示例的波形图；图10和图11是显示面板的横截面图，其示出了根据本公开的示例性实施方式的像素电路的横截面结构；图12是示出图10和图11的驱动元件的平面结构的平面图；图13是示出共用公共栅极的驱动元件的另一平面结构的平面图；图14是示出根据本公开的第二示例性实施方式的像素电路的电路图；图15是示出其中图14的驱动元件的第一电极和第二电极同时浮置(float)的示例的视图；图16A至图17D是示出图14的像素电路如何工作的视图；图18A至图19D是示出根据本公开的第三示例性实施方式的像素电路的视图；图20是示出用于感测开关元件的阈值电压的方法的视图；以及图21是示出其中在感测模式下参考电压升高的示例的视图。具体实施方式通过参考以下对示例性实施方式的详细描述以及附图，可以更容易地理解本专利技术的各个方面和特征以及实现它们的方法。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式是为了使本公开是充分和完整的，并且将本专利技术的构思完全传达给本领域技术人员，并且本专利技术由所附权利要求来限定。附图中示出的用于描述本专利技术的示例性实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅仅是示例，并不限于图中所示的那些。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。在描述本专利技术时，将省略对相关公知技术的详细描述以避免不必要地使本专利技术模糊不清。当使用术语“包括”、“具有”，“由......组成”等时，只要未使用术语“仅”，则可以添加其他部分。除非明确说明，否则单数形式可以被解释为复数形式。即使没有明确说明，元件也可能被解释为包含误差容限。当使用术语“在......上”、“在...上方”、“在...下方”、“在......旁边”等描述两个部分之间的位置关系时，只要未使用术语“紧接地”或“直接地”，则在这两个部分之间可以安置有一个或更多个部分。将理解的是，尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来区分一个元件与另一个元件，但是这些元件的功能或结构不应受这些术语的限制。例如，诸如用于标记图4的像素电路中的元件的“第一”、“第二”、“第三”和“第四”的序数用于描述通过开关元件S1至S4向数据线充电的顺序。本专利技术的以下示例性实施方式可以彼此部分地或全部地耦合或组合，并且可以以各种方式在技术上交互或一起操作。示例性实施方式可以独立地或彼此相关地被执行。根据本专利技术的电致发光显示器可以包括N型TFT(NMOS)或者P型TFT(PMOS)或者它们两者。TFT是具有栅极、源极和漏极的三电极器件。源极是向晶体管提供载流子的电极。TFT中的载流子流自源极。漏极是载流子离开晶体管的电极。在TFT中，载流子从源极流向漏极。在n型TFT的情况下，载流子是电子，因此源极电压低于漏极电压，使得电子从源极流向漏极。在n型TFT中，电流从漏极流向源极。在p型TFT的情况下，载流子是空穴，因此源极电压高于漏极电压，使得空穴从源极流向漏极。在p型TFT中，由于空穴从源极流向漏极，因此电流从源极流向漏极。应该注意的是，TFT的源极和漏极的位置并不固定。例如，取决于所施加的电压，TFT的源极和漏极是可互换的。因此，本专利技术不受TFT的源极和漏极的限制。在下面的描述中，TFT的源极和漏极被称为第一电极和第二电极。针对用作开关元件的TFT的栅极信号在栅极接通电压和栅极关断电压之间摇摆。栅极接通电压被设置为高于TFT的阈值电压的电压，并且栅极关断电压被设置为低于TFT的阈值电压的电压。TFT响应于栅极接通电压而接通，并且响应于栅极关断电压而关断。在NMOS中，栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光显示器，包括彼此交叉的数据线和栅极线以及布置成矩阵的像素，其中，每个像素的每个子像素包括：第一驱动器，被配置成通过使用第一EM开关元件和第一驱动元件来驱动发光元件，其中，所述第一EM开关元件响应于第一发光控制信号来对被施加像素驱动电压的供电线与所述发光元件之间的电流路径进行通断，所述第一驱动元件连接在所述第一EM开关元件与所述发光元件之间；以及第二驱动器，被配置成通过使用第二EM开关元件和第二驱动元件来驱动所述发光元件，其中，所述第二EM开关元件响应于第二发光控制信号来对所述供电线与所述发光元件之间的电流路径进行通断，所述第二驱动元件连接在所述第二EM开关元件与所述发光元件之间。

【技术特征摘要】
2017.05.31 KR 10-2017-00677051.一种电致发光显示器，包括彼此交叉的数据线和栅极线以及布置成矩阵的像素，其中，每个像素的每个子像素包括：第一驱动器，被配置成通过使用第一EM开关元件和第一驱动元件来驱动发光元件，其中，所述第一EM开关元件响应于第一发光控制信号来对被施加像素驱动电压的供电线与所述发光元件之间的电流路径进行通断，所述第一驱动元件连接在所述第一EM开关元件与所述发光元件之间；以及第二驱动器，被配置成通过使用第二EM开关元件和第二驱动元件来驱动所述发光元件，其中，所述第二EM开关元件响应于第二发光控制信号来对所述供电线与所述发光元件之间的电流路径进行通断，所述第二驱动元件连接在所述第二EM开关元件与所述发光元件之间。2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述驱动元件和所述EM开关元件的半导体图案包括氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述第一驱动元件和所述第二驱动元件共用单个栅极。4.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述第一驱动元件和所述第二驱动元件垂直堆叠在衬底上，并且所述第一驱动元件和所述第二驱动元件中的一个是其中所述栅极被安置于第一半导体图案上方的顶栅极晶体管，而另一个是其中所述栅极被安置于第二半导体图案下方的底栅极晶体管。5.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述第一驱动元件和所述第二驱动元件是共用所述栅极的顶栅极晶体管。6.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述第一驱动元件和所述第二驱动元件是共用所述栅极的底栅极晶体管。7.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，在正常驱动模式下按帧将数据写入所述像素中，在正常驱动模式下所述第一驱动器和所述第二驱动器交替操作，在正常驱动模式下，所述第一EM信号在所述第一驱动器的操作期间被生成为处于栅极接通电压处以使所述第一EM开关元件接通，并且在正常驱动模式下，所述第二EM信号在所述第二驱动器的操作期间被生成为处于所述栅极接通电压处以使所述第二EM开关元件接通。8.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，在正常驱动模式下按帧将数据写入所述像素中，在低功耗驱动模式下数据被写入所述像素的帧速率低于正常驱动模式下的帧速率，在正常驱动模式下所述第一EM信号被生成为处于栅极接通电压处以操作所述第一驱动器，并且在低功耗驱动模式下所述第二EM信号被生成为处于所述栅极接通电压处以操作所述第二驱动器。9.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，在正常驱动模式下按帧将数据写入所述像素中，在低功耗驱动模式下数据被写入所述像素的帧速率低于正常驱动模式下的帧速率，在正常驱动模式下所述第一EM信号和所述第二EM信号被生成为处于栅极接通电压处以交替操作所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昭珩，孔南容，申星修，梁祯烈，李禧成，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR