高频传输线的连接结构制造技术

根据本发明专利技术的高频传输线的连接结构(3)包括一端连接到同轴线而另一端连接到平面传输线的柱状中心导体(7)，与中心导体同轴地布置在中心导体一端的侧面上的第一外导体(41)，填充在第一外导体与中心导体之间的第一介电体(42)，与中心导体同轴地布置在中心导体另一端的侧面上的第二外导体(61)，填充在第二外导体与中心导体之间的第二介电体(62)，与中心导体同轴地布置在第一外导体与第二外导体之间的第三外导体(51)，以及填充在第三外导体与中心导体之间的第三介电体(52)。在与中心导体的轴向方向和垂直于平面传输线的方向中的每一个方向垂直的方向上，中心导体与第一外导体之间的最短距离比中心导体与第三外导体之间的最短距离长，并且中心导体与第三外导体之间的最短距离比中心导体与第二外导体之间的最短距离长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频传输线的连接结构
本专利技术涉及一种高频传输线的连接结构，且涉及例如连接同轴线和平面传输线的连接结构。
技术介绍
已知将同轴线和共面线作为用于传输诸如微波或毫米波信号之类的高频信号的高频传输线。在高频传输线中，可以通过连接不同类型的传输线来实现单条传输线。在这种情况下，需要连接不同类型的传输线，但仍然抑制传输特性的劣化。例如，非专利文献1公开了具有一种布置的连接结构，在该布置中，同轴线与共面线之间的信号线的轴线从同轴线的中心向共面线连续偏移。相关技术文献非专利文献非专利文献1：R.L.Eisenhart，“ABETTERMICROSTRIPCONNECTOR”，MicrowaveSymposiumDigest，IEEE-MTT-SInternational，1978年6月27日至29日，第318页到第320页。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而，本专利技术人已经发现，在非专利文献1中描述的同轴线和共面线的常规连接结构包含以下问题。图15至图17是各自示出常规连接结构的图。图15示出了同轴线和共面线的常规连接结构90的侧表面的截面形状。图16示出了常规连接结构90的上表面的截面形状。图17示出了当从Y轴方向观看时常规连接结构90的平面形状。要注意，在图17中，未示出基板200、用于连接基板200和中心导体7的连接块8、以及金属构件10。如图15至图17中所示，同轴线和共面线的常规连接结构90包括连接到同轴线1的同轴模式块91，以及连接到形成于基板200上的共面线的共面模式块92。同轴模式块91由以下形成：作为内导体的中心导体7(其一端连接到同轴线1，而另一端经由基座8连接到形成于基板200上的共面线)，覆盖中心导体7的介电体912，以及覆盖介电体912的外导体911。共面模式块92由以下形成：具有通过加工金属构件10形成的椭圆形孔的外导体921，以及填充在外导体921的孔与中心导体7之间的介电体922。图15至图17中所示的连接结构90包括在同轴模式块91与共面模式块92之间的边界部分，即同轴模式块91的表面与共面模式块92的表面相交处的边缘区域93A和93B。在边缘区域93A和93B中，金属构件10的与同轴模式块91接触的表面接近共面模式块92的外导体921的表面。由于在边缘区域93A和93B中，彼此接近的表面的面积相对较大，所以电场集中，并且电磁场模式之间发生不匹配。这最终导致边缘区域93A和93B中产生寄生电容且同轴线与共面线之间的传输特性劣化的问题。此外，当电场集中在边缘区域93A和93B中时，这导致流向接地节点(接地电压)的返回电流在边缘区域93A和93B中旁通(反射)的问题。另外，如上述非专利文献1中所述，在同轴线与共面线之间的信号线的轴线从同轴线的中心向共面线连续偏移的连接结构中，加工用于实现信号线的轴线连续偏移的形状的金属构件是不容易的。考虑到上述问题作出了本专利技术，并且本专利技术的目的是提供一种具有优异可加工性的高频传输线的连接结构，其也能够抑制信号传输特性的劣化。解决问题的手段根据本专利技术，提供了一种连接同轴线和平面传输线的高频传输线的连接结构，包括：柱状中心导体，一端连接到所述同轴线的内导体，且另一端连接到所述平面传输线；第一外导体，包括第一孔，所述第一孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第一外导体布置在所述中心导体的所述一端的侧面上；第一介电体，填充在所述中心导体与所述第一外导体之间；第二外导体，包括第二孔，所述第二孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第二外导体布置在所述中心导体的所述另一端的侧面上；第二介电体，填充在所述中心导体与所述第二外导体之间；第三外导体，包括第三孔，所述第三孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第三外导体布置在所述第一外导体与所述第二外导体之间；以及第三介电体，填充在所述中心导体与所述第三外导体之间，其中在与所述中心导体的轴向方向和垂直于所述平面传输线的方向中的每一个方向垂直的方向上，所述中心导体与所述第一外导体之间的最短距离比所述中心导体与所述第三外导体之间的最短距离长，并且所述中心导体与所述第三外导体之间的最短距离比所述中心导体与所述第二外导体之间的最短距离长。本专利技术的效果根据本专利技术，可以提供具有优异可加工性的高频传输线的连接结构，其也能够抑制信号传输特性的劣化。附图说明图1是示意性示出根据第一实施例的高频传输线的连接结构的透视图；图2是示出根据第一实施例的高频传输线的连接结构的侧表面的截面形状的图；图3是示出根据第一实施例的高频传输线的连接结构的上表面的截面形状的图；图4是示出根据第一实施例的高频传输线的连接结构的正视图；图5A是示出连接器的结构的透视图；图5B是示出连接器的结构的另一透视图；图6A是示出连接器的结构的正视图；图6B是示出连接器的结构的侧视图；图7是示出根据第一实施例的高频传输线的连接结构的传输特性模拟结果的时序图；图8是示出根据第一实施例的高频传输线的连接结构的其它传输特性模拟结果的图表；图9是示出根据第二实施例的高频传输线的连接结构的侧表面的截面形状的图；图10是示出根据第二实施例的高频传输线的连接结构的上表面的截面形状的图；图11是示出根据第二实施例的高频传输线的连接结构的正视图；图12是示出根据第三实施例的高频传输线的连接结构的侧表面的截面形状的图；图13是示出根据第三实施例的高频传输线的连接结构的正视图；图14是示出图12中所示的高频传输线的连接结构的一部分的放大图；图15是示出高频传输线的常规连接结构的侧表面的截面形状的图；图16是示出高频传输线的常规连接结构的上表面的截面形状的图；以及图17是示出高频传输线的常规连接结构的正视图。具体实施方式(1)实施例的概述首先将描述根据本专利技术的压力传感器的概述。应注意，在以下的说明中，作为示例，附图中与本专利技术的构成元件相对应的构成元件以括号内的附图标记表示。根据本专利技术，提供了一种连接同轴线(1)和平面传输线(2)的高频传输线的连接结构(3；13；23)，包括：柱状中心导体(7)，一端连接到同轴线的内导体，且另一端连接到平面传输线；第一外导体(41)，包括第一孔(10A)，该第一孔与中心导体同轴地形成并且大于中心导体的外径，并且第一外导体布置在中心导体一端的侧面上；第一介电体(42)，填充在中心导体与第一外导体之间；第二外导体(61；63)，包括第二孔(10B)，该第二孔与中心导体同轴地形成并且大于中心导体的外径，并且第二外导体布置在中心导体另一端的侧面上；第二介电体(62)，填充在中心导体与第二外导体之间；第三外导体(51；53)，包括第三孔(10C)，该第三孔与中心导体同轴地形成并且大于中心导体的外径，并且第三外导体在中心导体的轴向方向(Y方向)上布置在第一外导体与第二外导体之间；以及第三介电体(52)，填充在中心导体与第三外导体之间，其中在与中心导体的轴向方向和垂直于平面传输线的方向(Z方向)中的每一个方向垂直的方向(X方向)上，中心导体与第一外导体之间的最短距离比中心导体与第三外导体之间的最短距离长，并且中心导体与第三外导体之间的最短距离比中心导体与第二外导体之间的最短距离长。在高频传输线的连接结构中，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频传输线的连接结构，所述连接结构连接同轴线和平面传输线，包括：柱状中心导体，一端连接到所述同轴线的内导体，且另一端连接到所述平面传输线；第一外导体，包括第一孔，所述第一孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第一外导体布置在所述中心导体的所述一端的侧面上；第一介电体，填充在所述中心导体与所述第一外导体之间；第二外导体，包括第二孔，所述第二孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第二外导体布置在所述中心导体的所述另一端的侧面上；第二介电体，填充在所述中心导体与所述第二外导体之间；第三外导体，包括第三孔，所述第三孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第三外导体布置在所述第一外导体与所述第二外导体之间；以及第三介电体，填充在所述中心导体与所述第三外导体之间，其中，在与所述中心导体的轴向方向和垂直于所述平面传输线的方向中的每一个方向垂直的方向上，所述中心导体与所述第一外导体之间的最短距离比所述中心导体与所述第三外导体之间的最短距离长，并且所述中心导体与所述第三外导体之间的最短距离比所述中心导体与所述第二外导体之间的最短距离长。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.25 JP 2015-2534911.一种高频传输线的连接结构，所述连接结构连接同轴线和平面传输线，包括：柱状中心导体，一端连接到所述同轴线的内导体，且另一端连接到所述平面传输线；第一外导体，包括第一孔，所述第一孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第一外导体布置在所述中心导体的所述一端的侧面上；第一介电体，填充在所述中心导体与所述第一外导体之间；第二外导体，包括第二孔，所述第二孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的外径，且所述第二外导体布置在所述中心导体的所述另一端的侧面上；第二介电体，填充在所述中心导体与所述第二外导体之间；第三外导体，包括第三孔，所述第三孔与所述中心导体同轴地形成并且大于所述中心导体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胁田齐，长谷宗彦，野坂秀之，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP