一种提高操作效率的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种提高操作效率的方法和装置，应用于NAND FLASH，NAND FLASH包括第一数量个plane，第一数量为大于或等于2的整数，方法包括以下步骤：接收第二数量个操作指令；第二数量个操作指令为相同类型的操作指令，第二数量小于或等于第一数量，且第二数量为大于或等于2的整数；根据第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane；根据第二数量个操作指令同时对选中的第二数量个plane进行操作。本发明专利技术实施例可以极大节省NAND FLASH的操作时间，有效提高了NAND FLASH的操作效率。

Method and device for improving operation efficiency

The embodiment of the present invention provides a method and device for improving operation efficiency, which is applied to NAND FLASH. NAND FLASH includes a first number of planes, the first number being integers greater than or equal to or equal to 2. The method comprises the following steps: receiving a second number of operation instructions; and the second number of operation instructions being the same type of operation instructions; The second number is less than or equal to the first number and the second number is an integer greater than or equal to 2; the second number of planes is selected according to the second number of operation instructions; and the second number of planes is operated simultaneously according to the second number of operation instructions. The embodiment of the invention can greatly save the operation time of NAND FLASH and effectively improve the operation efficiency of NAND FLASH.

【技术实现步骤摘要】
一种提高操作效率的方法和装置
本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种提高操作效率的方法和一种提高操作效率的装置。
技术介绍
现有技术中，对NANDFLASH进行操作时，一次只能对一个plane进行操作。现有技术存在的缺陷是：对NANDFLASH进行操作时，数据在PDL(PageDataLatch，数据锁存器)与IO(Input/Output，输入/输出)口之间的传输时间典型值在ns数量级，一次erase(擦除)操作的时间典型值在ms量级，一次read(读)操作/program(编程)操作的时间典型值在us量级，与数据在PDL与IO口之间的传输时间相比，数据在cell(存储单元)与PDL之间的操作时间占一次完整读/编程/擦除操作时间的绝大部分，NANDFLASH的操作效率很低。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种提高操作效率的方法和相应的一种提高操作效率的装置，以解决现有技术中NANDFLASH的操作效率低的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种提高操作效率的方法，应用于NANDFLASH，所述NANDFLASH包括第一数量个plane，所述第一数量为大于或等于2的整数，所述提高操作效率的方法包括以下步骤：接收第二数量个操作指令；所述第二数量个操作指令为相同类型的操作指令，所述第二数量小于或等于所述第一数量，且所述第二数量为大于或等于2的整数；根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane；根据所述第二数量个操作指令同时对所述选中的第二数量个plane进行操作。可选地，当所述第二数量个操作指令为第二数量个读操作指令时，所述根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的page(页)。可选地，当所述第二数量个操作指令为第二数量个编程操作指令时，所述根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的page。可选地，当所述第二数量个操作指令为第二数量个擦除操作指令时，所述根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的block(块)。为了解决上述问题，本专利技术实施例还公开了一种提高操作效率的装置，应用于NANDFLASH，所述NANDFLASH包括第一数量个plane，所述第一数量为大于或等于2的整数，所述提高操作效率的装置包括：接收模块，用于接收第二数量个操作指令；所述第二数量个操作指令为相同类型的操作指令，所述第二数量小于或等于所述第一数量，且所述第二数量为大于或等于2的整数；选中模块，用于根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane；操作模块，用于根据所述第二数量个操作指令同时对所述选中的第二数量个plane进行操作。可选地，当所述第二数量个操作指令为第二数量个读操作指令时，所述选中模块包括：第一选中单元，用于根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的page。可选地，当所述第二数量个操作指令为第二数量个编程操作指令时，所述选中模块包括：第二选中单元，用于根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的page。可选地，当所述第二数量个操作指令为第二数量个擦除操作指令时，所述选中模块包括：第三选中单元，用于根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的block。本专利技术实施例包括以下优点：在接收第二数量个操作指令后，根据第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane，根据第二数量个操作指令同时对选中的第二数量个plane进行操作。这样，在一次对NANDFLASH进行操作时，实现同时对第二数量个plane进行操作，极大减小了数据在cell与PDL之间的操作时间占一次完整读/编程/擦除操作时间中的比例，有效提高了NANDFLASH的操作效率。附图说明图1是本专利技术的一种提高操作效率的方法实施例的步骤流程图；图2是本专利技术的另一种提高操作效率的方法实施例的步骤流程图；图3是本专利技术的一种提高操作效率的装置实施例的结构框图；图4是本专利技术的另一种提高操作效率的装置实施例的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图1，其示出了本专利技术的一种提高操作效率的方法实施例的步骤流程图，该提高操作效率的方法可以应用于NANDFLASH，NANDFLASH包括第一数量个plane，第一数量为大于或等于2的整数。如图1所示，提高操作效率的方法具体可以包括如下步骤：步骤10，接收第二数量个操作指令；第二数量个操作指令为相同类型的操作指令，第二数量小于或等于第一数量，且第二数量为大于或等于2的整数。第二数量个操作指令可以为第二数量个读操作指令，或第二数量个操作指令可以为第二数量个编程操作指令，或第二数量个操作指令为第二数量个擦除操作指令。具体地，在本专利技术的一个实施例中，步骤10中接收第二数量个操作指令可以为：根据预设顺序依次接收第二数量个操作指令。其中，预设顺序可以为第二数量个操作指令的先后顺序。步骤20，根据第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane。其中，每个第二数量个操作指令与一个plane对应。步骤30，根据第二数量个操作指令同时对选中的第二数量个plane进行操作。步骤30实现对NANDFLASH中选中的第二数量个plane进行并行操作。这样，极大减小了数据在cell与PDL之间的操作时间占一次完整读/编程/擦除操作时间中的比例，有效提高了NANDFLASH的操作效率。可选地，参照图2，当第二数量个操作指令为第二数量个读操作指令时，步骤20根据第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane可以包括：步骤21，根据第二数量个操作指令选中第二数量个plane中相应的page。具体地，每个读操作指令相应可以包括读地址开始输入指令、读地址和读地址输入结束指令等，步骤21可以根据操作指令中的读地址选中第二数量个plane中相应的page。此时，步骤30根据第二数量个操作指令，同时对选中的第二数量个plane中相同的page进行操作。可选地，参照图2，当第二数量个操作指令为第二数量个编程操作指令时，步骤20根据第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：步骤22，根据第二数量个操作指令选中第二数量个plane中相应的page。此时，步骤30根据第二数量个操作指令，同时对选中的第二数量个plane中相同的page进行操作。具体地，每个编程操作指令相应可以包括编程地址开始输入指令、编程地址、待编程数据和编程数据输入结束指令等，步骤22可以根据操作指令中的编程地址选中第二数量个plane中相应的page。可选地，参照图2，当第二数量个操作指令为第二数量个擦除操作指令时，步骤20根据第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：步骤23，根据第二数量个操作指令选中第二数量个plane中相应的block。具体地，第二数量个plane中与第二数量个操作指令相应的block可以为全部相同的block或部分相同的block或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高操作效率的方法，应用于NAND FLASH，其特征在于，所述NAND FLASH包括第一数量个plane，所述第一数量为大于或等于2的整数，所述提高操作效率的方法包括以下步骤：接收第二数量个操作指令；所述第二数量个操作指令为相同类型的操作指令，所述第二数量小于或等于所述第一数量，且所述第二数量为大于或等于2的整数；根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane；根据所述第二数量个操作指令同时对所述选中的第二数量个plane进行操作。

【技术特征摘要】
1.一种提高操作效率的方法，应用于NANDFLASH，其特征在于，所述NANDFLASH包括第一数量个plane，所述第一数量为大于或等于2的整数，所述提高操作效率的方法包括以下步骤：接收第二数量个操作指令；所述第二数量个操作指令为相同类型的操作指令，所述第二数量小于或等于所述第一数量，且所述第二数量为大于或等于2的整数；根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane；根据所述第二数量个操作指令同时对所述选中的第二数量个plane进行操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述第二数量个操作指令为第二数量个读操作指令时，所述根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的page。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述第二数量个操作指令为第二数量个编程操作指令时，所述根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个plane中相应的page。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述第二数量个操作指令为第二数量个擦除操作指令时，所述根据所述第二数量个操作指令相应选中第二数量个plane包括：根据所述第二数量个操作指令选中所述第二数量个pl...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，刘会娟，谢瑞杰，陈立刚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11