【技术实现步骤摘要】
CVD设备及其温度控制方法与发热体
本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)设备及其温控方法,还涉及用于该设备的发热体。
技术介绍
许多半导体元件通过化学气相沉积的方式将半导体材料外延生长在基片上,上述基片基本上是圆盘状的多晶硅材料,一般称为晶圆。在进行此制程时,晶圆会维持高温且暴露在一种或多种化学前驱物的环境中,上述前驱物可以是在基片表面上进行反应或分解,产生符合期待的沉积物。用于化学气相沉积的前驱物一般包括金属,例如金属氢化物、卤化物、卤元素氢化物和有机金属化合物。上述前驱物会与例如为氮气的载气结合,但是并不产生明显地反应,上述载气及不要的副产物可以通过反应腔的出气口排出。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)可以连续生成半导体化合物层,借以制作由III-V族半导体材料形成的元件。III-V族半导体材料包括发光二极管(LEDs)及其它例如是激光二极管、光学传感器及场效应晶体管的高效能晶片。在例如为蓝宝石或硅晶圆的基片上借由将有机镓化合物与氨进行反应,可以形成这种元件。在沉积氮化镓及相关化合物时,晶圆会保持在500℃至1200℃之间,因此一般会将加热器组件加热到1000℃至2200℃之间,借以达到晶圆制程温度。例如为压力及气体流速的许多制程参数也需控制,借以达到符合期待的晶体生长过程。在形成所有的半导体层之后,及在电性接点通过电性测试后,晶圆可以切割成单独的元件。MOCVD反应器内的基片承载盘上通常会同时装载多个基片,以提高加工效率。这使得基片承载盘的加热系统面临着更严苛的挑战:必须保证基片承载盘表面所有区域的基片都处于适当的温度范围。否则,处于不适当温度区 ...
【技术保护点】
1.一种用于加热可旋转基片承载盘的发热体,所述基片承载盘(40)的上表面用于承载一个或多个基片,所述发热体配置于所述基片承载盘的下表面的下方;所述发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2),用于加热位于发热体上方的基片承载盘下表面;所述第一加热丝至少包括第一加热段与第二加热段,所述第二加热丝包括至少一个加热段;所述第一加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S1min,所述第一加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S1max;所述第二加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S2min,所述第二加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S2max,由S1min与S1max确定的数值区间[S1min,S1max]与由S2min与S2max确定的数值区间[S2min,S2max]之间的交集不为空集;所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布,与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同,其中,所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’) ...
【技术特征摘要】
1.一种用于加热可旋转基片承载盘的发热体,所述基片承载盘(40)的上表面用于承载一个或多个基片,所述发热体配置于所述基片承载盘的下表面的下方;所述发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2),用于加热位于发热体上方的基片承载盘下表面;所述第一加热丝至少包括第一加热段与第二加热段,所述第二加热丝包括至少一个加热段;所述第一加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S1min,所述第一加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S1max;所述第二加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S2min,所述第二加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S2max,由S1min与S1max确定的数值区间[S1min,S1max]与由S2min与S2max确定的数值区间[S2min,S2max]之间的交集不为空集;所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布,与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同,其中,所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。2.如权利要求1所述的发热体,其特征在于,所述第一加热丝最近端、最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离S1min、S1max分别与所述第二加热丝最近端、最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离S2min、S2max相等。3.如权利要求1所述的发热体,其特征在于,在基片承载盘的下表面内至少存在以所述点(O’)为圆心的两个圆周,分别记为第一圆周与第二圆周,所述第一、二圆周的半径值不相等且都落在[S1min,S1max]与[S2min,S2max]的交集内;所述第一、二加热丝在该两个圆周上的圆周平均热功率满足以下条件:Pa1:Pb1≠Pa2:Pb2;其中,Pa1为所述第一加热丝(S1)作用在所述第一圆周上的圆周平均热功率,Pb1为所述第一加热丝作用在所述第二圆周上的圆周平均热功率;Pa2为所述第二加热丝(S2)作用在所述第一圆周上的圆周平均热功率,Pb2为所述第二加热丝作用在所述第二圆周上的圆周平均热功率。4.如权利要求1所述的发热体,其特征在于,所述第一、二加热丝均为连续带状体。5.如权利要求1所述的发热体,其特征在于,同一加热丝内相邻加热段之间通过一连接段连为一体。6.如权利要求1所述的发热体,其特征在于,所述第一、二加热丝围绕基片承载盘的旋转轴线(OO’)排布。7.如权利要求1所述的发热体,其特征在于,所述发热体整体位于同一平面内。8.如权利要求7所述的发热体,其特征在于,所述第一、二加热丝的布线形状相同,到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离相等,第一、二加热丝中的至少一对对应加热段具有不同的电阻值,使得所述第一、二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同。9.如权利要求8所述的发热体,其特征在于,所述第一、二加热丝由相同材质制成,对应加热段的宽度或/和厚度不同而使得它们的电阻值不同。10.如权利要求8所述的发热体,其特征在于,所述第一、二加热丝的主体部由相同材质制成,主体部上涂覆有不...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜志游,郑振宇,田保峡,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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