保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片制造技术

技术编号:19247682 阅读:28 留言:0更新日期:2018-10-24 09:24
本发明专利技术提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、并具有高弹性模量的保护层的、能量射线固化性的保护膜形成用膜。本发明专利技术的保护膜形成用膜13为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜13的拉伸弹性模量为30MPa以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片
本专利技术涉及保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092031号主张优先权,并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来,正在进行着应用了所谓的被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中,使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片,所述电极与基板接合。因此,与半导体芯片的电路面相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜,有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。为了形成这样的保护膜,例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中,保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜,还可将支撑片用作切割片,可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。作为这样的保护膜形成用复合片,例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时,例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)后,通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜,通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片。然后,保持贴附有该保护膜的状态,将半导体芯片从支撑片上分离并进行拾取。另外,有时也以与上述相反的顺序进行保护膜形成用膜的固化与切割。然而,热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间,因此期望缩短固化时间。对此,正在研究将可通过紫外线等能量射线的照射而固化的保护膜形成用膜用于保护膜的形成。例如,已经公开了形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)、及能够形成高硬度且对半导体芯片的密着性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本国专利第5144433号公报专利文献2:日本特开2010-031183号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而,使用专利文献1中公开的能量射线固化型保护膜形成用膜、或专利文献2中公开的能量射线固化型芯片保护用膜,并在切割后照射紫外线等能量射线而使膜固化从而制成保护膜时,在切割过程中,存在因膜的切屑而导致发生刀片堵塞的技术问题。因此,本专利技术提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、且能够抑制切割刀片的堵塞的能量射线固化性的保护膜形成用膜。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种保护膜形成用膜,其为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜的拉伸弹性模量为30MPa以上。优选本专利技术的保护膜形成用复合片通过在支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成。优选在本专利技术的保护膜形成用复合片中,所述支撑片具有粘着剂层,所述保护膜形成用膜与所述粘着剂层直接接触。优选本专利技术的保护膜形成用复合片的所述粘着剂层为非能量射线固化性。专利技术效果根据本专利技术,可提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、且能够抑制切割刀片的堵塞的能量射线固化性的保护膜形成用膜。附图说明图1为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用片的一个实施方式的剖面图。图2为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。图3为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。图4为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的又一个实施方式的剖面图。图5为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的又一个实施方式的剖面图。图6为示意性地表示本专利技术的保护膜形成用复合片的又一个实施方式的剖面图。具体实施方式◇保护膜形成用膜本专利技术的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜的拉伸弹性模量为30MPa以上。另外,在本说明书中,“保护膜形成用膜”是指固化前的膜,“保护膜”是指使保护膜形成用膜进行固化而成的膜。所述保护膜形成用膜通过能量射线的照射而固化,成为保护膜。该保护膜用于保护半导体晶圆或半导体芯片的背面(与电极形成面相反侧的面)。保护膜形成用膜为软质,能够容易地贴附于贴附对象物。而且,通过使保护膜形成用膜的拉伸弹性模量为30MPa以上,例如能够在通过能量射线的照射将保护膜形成用膜固化前,切割作为目标的半导体芯片时,抑制因膜的切屑导致的刀片的堵塞。本专利技术的保护膜形成用膜的拉伸弹性模量优选为30MPa以上,更优选为100MPa以上,进一步优选为140MPa以上。通过使拉伸弹性模量为30MPa以上,即使在能量射线固化前,保护膜形成用膜也为高弹性模量,能够抑制保护膜形成用膜对刀片的粘合,因此能够抑制刀片的堵塞,能够保持较高的生产效率。另一方面,保护膜形成用膜的拉伸弹性模量的上限值没有特别限定,例如可以为1000MPa、900MPa、800MPa等中的任意一者。但是,这些只是一个例子。在本说明书中,保护膜形成用膜的拉伸弹性模量能够利用实施例中记载的测定方法进行测定。在本专利技术中,“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量子的射线,作为其例子,可列举出紫外线、放射线、电子束等。紫外线例如可通过使用高压汞灯、融合H灯(fusionHlamp)、氙灯、黑光灯、或LED灯等作为紫外线源而进行照射。电子束能够照射利用电子束加速器等产生的电子束。在本专利技术中,“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质,“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。上述的保护膜形成用膜的拉伸弹性模量能够通过对例如保护膜形成用膜的含有成分的种类及量等进行调节,从而适当调节。例如,保护膜形成用膜的含有成分的种类及量可通过后述的保护膜形成用组合物的含有成分的种类及量进行调节。而且,通过对保护膜形成用组合物的含有成分中的、例如能量射线固化性成分(a)的种类及含量进行调节,能够更加容易地调节保护膜形成用膜的拉伸弹性模量。保护膜形成用膜具有能量射线固化性,例如可列举出含有能量射线固化性成分(a)的保护膜形成用膜。优选能量射线固化性成分(a)未固化,优选其具有粘着性,更优选其未固化且具有粘着性及弹性。保护膜形成用膜可以为一层(单层),也可以为两层以上的多个层,为多个层时,这些多个层可以彼此相同也可以不同,这些多个层的组合没有特别限定。保护膜形成用膜的厚度优选为1~100μm,更优选为5~75μm,特别优选为5~50μm。通过使保护膜形成用膜的厚度为所述下限值以上,能够形成保护能力更高的保护膜。此外,通过使保护膜形成用膜的厚度为所述上限值以下,可抑制厚度成为过度的厚度。此处,“保护膜形成用膜的厚度”是指保护膜形成用膜整体的厚度,例如由多个层构成的保护膜形成用膜的厚度是指构成保护膜形成用膜的所有的层的总计的厚度。另外,作为保护膜形成用膜的厚度的测定方法,例如可列举出使用接触式厚度计在任意的五个位置测定厚度,并算出测定值的平均的方法等。只要保护膜成为充分地发挥其功能的程度的固化度,则使保护膜形成用膜固化从而形成保护膜时的固化条件没有特别限定,根据保护膜形成用膜的种类进行适当选择即可。例如,固化保护膜形成用膜时的能量射线的照度优选为4~280m本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种保护膜形成用膜,其为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜的拉伸弹性模量为30MPa以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.28 JP 2016-0920311.一种保护膜形成用膜,其为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜的拉伸弹性模量为30MPa以上。2.一种保护膜形成用复合片,其通过在...

【专利技术属性】
技术研发人员:稻男洋一小桥力也
申请(专利权)人:琳得科株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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