检测低频信号处理芯片和低频信号处理电路制造技术

本发明专利技术涉及检测低频信号处理芯片和低频信号处理电路，该检测低频信号处理芯片包括VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；VCC引脚通过低压差线性稳压器LDO电路与带隙基准电路电连接；INN引脚接于运算放大器OPA的负极，OPO引脚接于运算放大器OPA的输出端，OPO引脚与运算放大器OPA的输出端之间连接固定增益放大器AMP的输入端，固定增益放大器AMP的输出端连接比较器COMP1的正极和比较器COMP2的负极。本发明专利技术的芯片集成度高、外围电路简单、外围元件少、便于小型化、系统成本低、抗干扰能力强、不会误触发、安装调试方便。

【技术实现步骤摘要】
检测低频信号处理芯片和低频信号处理电路
本专利技术属于集成电路领域，特别涉及一种检测低频信号处理芯片和低频信号处理电路。
技术介绍
早期的人体感应芯片，管脚多，集成度低，芯片外围需要较多电阻、电容等元器件来配合芯片实现信号的处理和控制功能。近年来，市场上出现了集成度更高的人体感应芯片，其外围电路简单、元件少，这类芯片保留了早期芯片电路系统的第二级带通放大器作为第一级放大器使用，而第二级放大器是完全集成到芯片内的。由于人体运动信号频率很低，一般为0.3Hz～3Hz,带通滤波器所需要的外围电容通常是大容量的电解电容，无法进行集成，所以内置的第二级放大器都是一个固定增益的宽带放大器，由于第一级放大器是一个带宽较宽的带通放大器，故这两级放大器的级联组成的也是一个带宽较宽的带通放大器，相比于早期的芯片，这类芯片虽然引脚少、外围元件少、电路简单，但是其抗干扰能力却更差，更容易产生误触发。另一方面，这类芯片内部的运算放大器的共模电压，双向鉴幅器的参考电压，以及禁止触发比较器的参考电压都仍然是由电源电压通过电阻分压器分压产生的，当电源电压变化时，还是容易出现误触发。现有已公布的专利201620854080.1，公开了一种红外传感信号处理电路，该红外传感信号处理电路包括运算放大器、双门限比较器、比较器、状态控制器、封锁振荡器、延时振荡器和两个电阻R，运算放大器的正端输入端与两个串联电阻R的节点连接，运算放大器的输出端与双门限比较器的输入端连接，双门限比较器的输出端与状态控制器连接，状态控制器与比较器、封锁振荡器、延时振荡器连接。本技术的引脚少、封装尺寸小、外围器件少，在每次上电时，强制自检工作一次，方便应用产品测试和调试。该专利解决了传统芯片内部运算放大器的共模电压随电源电压高频噪声快速变化而产生误触发的问题，该电路在产生运算放大器共模电压的电阻分压器的分压节点上增加了一个滤波电容，以稳定内部运算放大器的共模电压，但是这种电路增加了一个芯片引脚和一个外围电容，并且该电容和芯片内部分压电阻组成的是一个低通滤波器，低通滤波器可有效滤除高频噪声和干扰，但对电源电压上的低频波动却不能有效抑制。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种集成度高、外围元件少、电路简单、能有效避免误触发的检测低频信号处理芯片和低频信号处理电路。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下。本专利技术提供一种检测低频信号处理芯片，该处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述VDD通过电流源与状态控制逻辑电路电连接，所述电流源i与所述状态控制逻辑电路之间与熔丝FS的一端电连接，所述熔丝FS的另一端接地；所述VCC引脚通过低压差线性稳压器LDO(lowdropoutregulator)电路与高精度的带隙基准电路电连接；所述OUT引脚通过驱动电路与所述状态控制逻辑电路电连接；所述TXC引脚通过延迟时间定时器Tx与所述状态控制逻辑电路电连接；所述状态控制逻辑电路与封锁时间定时器Ti电连接；所述VSS引脚接地，所述LS引脚接于禁止触发比较器COMP3的正极，所述禁止触发比较器COMP3的负极接参考电压VR；所述INN引脚接于运算放大器OPA的负极，所述运算放大器OPA的正极接共模电压VM；所述OPO引脚接于所述运算放大器OPA的输出端，所述OPO引脚与所述运算放大器OPA的输出端之间连接固定增益放大器AMP的输入端，所述固定增益放大器AMP的输出端连接有比较器COMP1的正极和比较器COMP2的负极，所述比较器COMP1的负极接参考电压VH，所述比较器COMP2的正极接参考电压VL；所述比较器COMP1的输出端和所述比较器COMP2的输出端均接入或门G2的输入端，所述或门G2的输出端、所述禁止触发比较器COMP3的输出端和状态控制逻辑电路均接于与门G1的输入端，所述与门G1的输出端接状态控制逻辑电路；所述比较器COMP1和所述比较器COMP2组成双向鉴幅器；所述共模电压VM、所述参考电压VH、所述参考电压VL和所述参考电压VR均由所述低压差线性稳压器LDO产生。本专利技术提供低频信号处理电路，该电路包括有检测低频信号处理芯片和外围电路，所述处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述外围电路包括有外围电阻Ri、外围电阻Rf、外围电阻Ra、光敏电阻Rl、外围电容Ci、外围电容Cf、外围电容Cx和负载；所述处理芯片内部还包括有运算放大器OPA，所述处理芯片的VDD引脚接电源电压输入，所述外围电阻Ra接于所述VDD引脚和所述LS引脚之间，所述外围电阻Ra与所述LS引脚之间通过所述光敏电阻Rl接地；所述外围电容Cx的一端接于所述TXC引脚，所述外围电容Cx的另一端接于所述VSS引脚并接地；所述OUT引脚通过负载接地；所述外围电阻Ri的一端连接传感信号输入，所述外围电阻Ri的另一端通过所述外围电容Ci接于所述INN引脚；所述外围电阻Ri与所述外围电容Ci之间通过所述外围电容Cf接于所述OPO引脚，所述外围电阻Rf接于所述INN引脚与所述OPO引脚之间；所述VCC引脚接LDO输出；所述运算放大器OPA和所述外围电阻Ri、所述外围电阻Rf、所述外围电容Ci和所述外围电容Cf构成了一个低频的、单级的多路反馈窄带带通放大器。所述多路反馈窄带带通放大器的增益为：所述多路反馈窄带带通放大器的中心角频率为：所述多路反馈窄带带通放大器的中心频率增益为：所述多路反馈窄带带通放大器的-3dB带宽为：其中：s：复频率；Ri：外围电阻Ri；Cf：外围电容Cf；Ci：外围电容Ci；Rf：外围电阻Rf。本专利技术提供了反相驱动小功率负载低频信号处理电路，该电路包括有检测低频信号处理芯片和外围电路，所述处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述外围电路包括有外围电阻Ri、外围电阻Rf、外围电阻Ra、光敏电阻Rl、外围电容Ci、外围电容Cf、外围电容Cx和负载；所述处理芯片内部还包括有运算放大器OPA，所述处理芯片的VDD引脚电连接电源电压输入，所述负载接于所述VDD引脚和所述OUT引脚之间，所述VDD引脚和所述负载之间通过所述外围电阻Ra接于所述LS引脚，所述LS引脚与所述外围电阻Ra之间通过所述光敏电阻Rl接地；所述外围电容Cx的一端接于所述TXC引脚，所述外围电容Cx的另一端接于所述VSS引脚并接地；所述外围电阻Ri的一端连接传感信号输入，所述外围电阻Ri的另一端通过所述外围电容Ci接于所述INN引脚；所述外围电阻Ri与所述外围电容Ci之间通过所述外围电容Cf接于所述OPO引脚，所述外围电阻Rf接于所述INN引脚与所述OPO引脚之间；所述VCC引脚接LDO输出；所述运算放大器OPA和所述外围电阻Ri、所述外围电阻Rf、所述外围电容Ci和所述外围电容Cf构成了一个低频的、单级的多路反馈窄带带通放大器。所述多路反馈窄带带通放大器的增益为：所述多路反馈窄带带通放大器的中心角频率为：所述多路反馈窄带带通放大器的中心频率增益为：所述多路反馈窄带带通放大器的-3dB带宽为：其中：s：复频率；Ri：外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测低频信号处理芯片，其特征在于，该处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述VDD通过电流源与状态控制逻辑电路电连接，所述电流源i与所述状态控制逻辑电路之间与熔丝FS的一端电连接，所述熔丝FS的另一端接地；所述VCC引脚通过低压差线性稳压器LDO(low dropout regulator)电路与高精度的带隙基准电路电连接；所述OUT引脚通过驱动电路与所述状态控制逻辑电路电连接；所述TXC引脚通过延迟时间定时器Tx与所述状态控制逻辑电路电连接；所述状态控制逻辑电路与封锁时间定时器Ti电连接；所述VSS引脚接地，所述LS引脚接于禁止触发比较器COMP3的正极，所述禁止触发比较器COMP3的负极接参考电压VR；所述INN引脚接于运算放大器OPA的负极，所述运算放大器OPA的正极接共模电压VM；所述OPO引脚接于所述运算放大器OPA的输出端，所述OPO引脚与所述运算放大器OPA的输出端之间连接固定增益放大器AMP的输入端，所述固定增益放大器AMP的输出端连接有比较器COMP1的正极和比较器COMP2的负极，所述比较器COMP1的负极接参考电压VH，所述比较器COMP2的正极接参考电压VL；所述比较器COMP1的输出端和所述比较器COMP2的输出端均接入或门G2的输入端，所述或门G2的输出端、所述禁止触发比较器COMP3的输出端和状态控制逻辑电路均接于与门G1的输入端，所述与门G1的输出端接状态控制逻辑电路；所述比较器COMP1和所述比较器COMP2组成双向鉴幅器；所述共模电压VM、所述参考电压VH、所述参考电压VL和所述参考电压VR均由所述低压差线性稳压器LDO产生。...

【技术特征摘要】
1.一种检测低频信号处理芯片，其特征在于，该处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述VDD通过电流源与状态控制逻辑电路电连接，所述电流源i与所述状态控制逻辑电路之间与熔丝FS的一端电连接，所述熔丝FS的另一端接地；所述VCC引脚通过低压差线性稳压器LDO(lowdropoutregulator)电路与高精度的带隙基准电路电连接；所述OUT引脚通过驱动电路与所述状态控制逻辑电路电连接；所述TXC引脚通过延迟时间定时器Tx与所述状态控制逻辑电路电连接；所述状态控制逻辑电路与封锁时间定时器Ti电连接；所述VSS引脚接地，所述LS引脚接于禁止触发比较器COMP3的正极，所述禁止触发比较器COMP3的负极接参考电压VR；所述INN引脚接于运算放大器OPA的负极，所述运算放大器OPA的正极接共模电压VM；所述OPO引脚接于所述运算放大器OPA的输出端，所述OPO引脚与所述运算放大器OPA的输出端之间连接固定增益放大器AMP的输入端，所述固定增益放大器AMP的输出端连接有比较器COMP1的正极和比较器COMP2的负极，所述比较器COMP1的负极接参考电压VH，所述比较器COMP2的正极接参考电压VL；所述比较器COMP1的输出端和所述比较器COMP2的输出端均接入或门G2的输入端，所述或门G2的输出端、所述禁止触发比较器COMP3的输出端和状态控制逻辑电路均接于与门G1的输入端，所述与门G1的输出端接状态控制逻辑电路；所述比较器COMP1和所述比较器COMP2组成双向鉴幅器；所述共模电压VM、所述参考电压VH、所述参考电压VL和所述参考电压VR均由所述低压差线性稳压器LDO产生。2.一种低频信号处理电路，其特征在于，该电路包括有检测低频信号处理芯片和外围电路，所述处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述外围电路包括有外围电阻Ri、外围电阻Rf、外围电阻Ra、光敏电阻Rl、外围电容Ci、外围电容Cf、外围电容Cx和负载；所述处理芯片内部还包括有运算放大器OPA，所述处理芯片的VDD引脚接电源电压输入，所述外围电阻Ra接于所述VDD引脚和所述LS引脚之间，所述外围电阻Ra与所述LS引脚之间通过所述光敏电阻Rl接地；所述外围电容Cx的一端接于所述TXC引脚，所述外围电容Cx的另一端接于所述VSS引脚并接地；所述OUT引脚通过负载接地；所述外围电阻Ri的一端连接传感信号输入，所述外围电阻Ri的另一端通过所述外围电容Ci接于所述INN引脚；所述外围电阻Ri与所述外围电容Ci之间通过所述外围电容Cf接于所述OPO引脚，所述外围电阻Rf接于所述INN引脚与所述OPO引脚之间；所述VCC引脚接LDO输出；所述运算放大器OPA和所述外围电阻Ri、所述外围电阻Rf、所述外围电容Ci和所述外围电容Cf构成了一个低频的、单级的多路反馈窄带带通放大器。3.一种反相驱动小功率负载低频信号处理电路，其特征在于，该电路包括有检测低频信号处理芯片和外围电路，所述处理芯片包括有VDD引脚、VCC引脚、OUT引脚、TXC引脚、VSS引脚、LS引脚、OPO引脚和INN引脚；所述外围电路包括有外围电阻Ri、外围电阻Rf、外围电阻Ra、光敏电阻Rl、外围电容Ci、外围电容Cf、外围电容Cx和负载；所述处理芯片内部还包括有运算放大器OPA，所述处理芯片的VDD引脚电连接电源电压输入，所述负载接于所述VDD引脚和所述OUT引脚之间，所述VDD引脚和所述负载之间通过所述外围电阻Ra接于所述LS引脚，所述LS引脚与所述外围电阻Ra之间通过所述光敏电阻Rl接地；所述外围电容Cx的一端接于所述TXC引脚，所述外围电容Cx的另一端接于所述VSS引脚并接地；所述外围电阻Ri的一端连接传感信号输入，所述外围电阻Ri的另一端通过所述外围电容Ci接于所述INN引脚；所述外围电阻Ri与所述外围电容Ci之间通过所述外围电容Cf接于所述OPO引脚，所述外围电阻Rf接于所述INN引脚与所述OPO引脚之间；...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛晓峰，
申请(专利权)人：泉芯电子技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44