偏压电路制造技术

本发明专利技术提供一种偏压电路包括第一晶体管与第二晶体管、第一电阻与第二电阻。第一晶体管的第一端耦接第一电压源。第一电阻的一端耦接第一晶体管的第二端，且第一电阻的另一端耦接第一晶体管的控制端。第二晶体管的第一端耦接第二电压源，且第二晶体管的第二端耦接第一晶体管的控制端。第二电阻的一端耦接第一电阻的另一端，且第二电阻的另一端耦接第二晶体管的控制端。于第一晶体管与第二晶体管分别由第一电压源与第二电压源导通后，当第一电压源或第二电压源变化时，流经第一晶体管的电流、流经第二晶体管的电流与偏压电流维持不变。

【技术实现步骤摘要】
偏压电路
本专利技术关于一种偏压电路，特别是涉及一种能提供稳定的参考电压或偏压电流的偏压电路。
技术介绍
就集成电路中的偏压电路的设计而言，一般来说，若使用的是SOI(SiliconOnInsulator)制程或是互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程，多会利用运算放大器的设置来将偏压电路所欲产生的参考电压锁在符合负载运作需求的电压值，此种做法在使用的是SOI制程或是互补式金属氧化物半导体制程来设计集成电路中的偏压电路时是十分容易且直观的。然相对而言，若使用三-五族制程来进行集成电路中的偏压电路的设计时，利用设置运算放大器来设计偏压电路便是非常困难的。即便能够产出，此偏压电路的电路结构将会很复杂，且于芯片上会占据很大的面积，不符合成本效益。
技术实现思路
本专利技术提供一种偏压电路包括第一晶体管与第二晶体管、第一电阻与第二电阻。第一晶体管的第一端耦接第一电压源。第一电阻的一端耦接第一晶体管的第二端，且第一电阻的另一端耦接第一晶体管的控制端。第二晶体管的第一端耦接第二电压源，且第二晶体管的第二端耦接第一晶体管的控制端。第二电阻的一端耦接第一电阻的另一端，且第二电阻的另一端耦接第二晶体管的控制端。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅是用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利要求书作任何的限制。相比于现有技术，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：第一，当各晶体管的电压源发生变化，于各晶体管仍正常运作的情况下(例如，若各晶体管为空乏型(DepletionMode)晶体管，则是于各晶体管工作于饱和区的情况下)，流经各电阻的电流将维持不变，故本专利技术所提供的偏压电路便能提供稳定的偏压电流给所连接的负载；第二，虽然各电阻可能因为制程上的差异使得实际电阻值与原电路设计的电阻值之间存在些微差距，但本专利技术所提供的偏压电路的电路设计使得参考电压能取决于各晶体管其控制端与第二端之间的电压，故本专利技术所提供的偏压电路便能产生稳定的参考电压，以维持负载的正常运作。附图说明关于本专利技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及所附图式得到进一步的了解。图1A与图1B为根据本专利技术例示性实施例绘示的偏压电路的电路图；图2为根据本专利技术另一例示性实施例绘示的偏压电路的电路图；图3为根据本专利技术另一例示性实施例绘示的偏压电路的电路图。主要图示说明：VDD1：第一电压源VDD2：第二电压源VDD3：第三电压源T1：第一晶体管T2：第二晶体管T3：第三晶体管R1：第一电阻R2：第二电阻R3：第三电阻I1：第一电流I2：第二电流IS：第三电流LOAD：负载VREF：参考电压IREF：偏压电流CON：控制端①：第一端②：第二端具体实施方式在下文将参看说明书附图以更充分地描述各种例示性实施例，在说明书附图中展示一些例示性实施例。然而，本专利技术概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言，提供此等例示性实施例使得本专利技术将为详尽且完整，且将向本领域的普通技术人员充分传达本专利技术概念的范畴。在各说明书附图中，类似数字始终指示类似组件。以下将以多个实施例说明本专利技术所提供的偏压电路，然而，下述实施例并非用以限制本专利技术。偏压电路的一实施例请参照图1A与图1B，图1A与图1B为根据本专利技术例示性实施例绘示的偏压电路的电路图。本实施例所提供的偏压电路具有简单的电路设计，于三-五族制程中设置的难度与复杂度均低，且其电路所占面积小，设置于芯片上亦符合成本效益。如图1A所示，本实施例所提供的偏压电路主要包括第一晶体管T1与第一电阻R1。第一晶体管T1的第一端用于耦接于第一电压源VDD1。第一电阻R1的一端耦接于第一晶体管T1的第二端，且第一电阻R1的另一端耦接于第一晶体管T1的控制端。为便于理解，于图1中，第一晶体管T1的第一端以①标示，第一晶体管T1的第二端以②标示，且第一晶体管T1的控制端以CON标示。同样为了便于说明，于以下的叙述中，第一晶体管T1是举例为空乏型(DepletionMode)晶体管，且第一晶体管T1的第一端为漏极，第一晶体管T1的第二端为源极，以及第一晶体管T1的控制端为栅极。接下来，将进一步描述的是本实施例所提供的偏压电路的工作原理。于本实施例所提供的偏压电路中，当第一晶体管T1由第一电压源VDD1导通后，第一电流I1便会流经第一晶体管T1。此第一电流I1流过第一电阻R1，使得第一晶体管T1的第二端与第一电阻R1的一端之间的节点具有一电压值。需说明地是，于本实施例所提供的偏压电路中，第一晶体管T1的第二端与第一电阻R1的一端之间的节点即用以连接一负载LOAD。也就是说，第一晶体管T1的第二端与第一电阻R1的一端之间的节点的电压值便是本实施例所提供的偏压电路产生给负载LOAD的参考电压VREF，另外提供至负载LOAD的偏压电流IREF便是第一电流I1。值得注意地是，图1A所示的偏压电路为本专利技术所提供的偏压电路的最简易实施方式。如前述，参考电压VREF即为第一晶体管T1的第二端与第一电阻R1的一端之间的节点的电压值，故由图1中可以看出，参考电压VREF应为负载LOAD至接地端的压降与第一电流I1与第一电阻R1的乘积的和。然而，由于此偏压电路中仅设置有一个第一电阻R1，因此此偏压电路无法提供太大的参考电压VREF。于是，为了能提供较大的参考电压VREF，于本实施例所提供的偏压电路中，可选择另设置一个第二电阻R2。如图1B所示，第二电阻R2的一端连接于第一电阻R1的另一端以及第一晶体管T1的控制端。由图1B中可以看出，此时的参考电压VREF应为负载LOAD至接地端的压降、第一电流I1与第一电阻R1的乘积以及第一电流I1与第二电阻R2的乘积的和。如此一来，本实施例所提供的偏压电路便能提供较大的参考电压VREF。需说明地是，于图1B所示的偏压电路中，第一电阻R1的两端与第一晶体管T1的第二端和控制端形成一个回路，故根据克希霍夫定律(KirchhoffLaw)，第一晶体管T1的第二端和控制端之间的压降应等于第一电流I1与第一电阻R1的乘积。也就是说，第一电流I1通过第一电阻R1的形成的压降便等于第一晶体管T1的栅极-源极电压。于是，纵使第一电阻R1可能因为制程上的变因使得其实际电阻值与原电路设计的电阻值之间存在些微差距，但图1B所示的偏压电路的电路设计已使得第一电流I1通过第一电阻R1的形成的压降可由第一晶体管T1的栅极-源极电压所决定，而不因第一电阻R1的实际电阻值与原电路设计的电阻值之间存在差距受到影响。然而，如前述，于图1B所示的偏压电路中，参考电压VREF应为负载LOAD至接地端的压降、第一电流I1与第一电阻R1的乘积以及第一电流I1与第二电阻R2的乘积的和。因此，若第二电阻R2因为制程上的变因使得其实际电阻值与原电路设计的电阻值之间存在些微差距，则会使得参考电压VREF受到影响(即，偏压电路所提供的参考电压VREF可能会有不稳定的情况)。于是，为了提供足够大的参考电压VREF以及为了将第二电阻R2由于制程上的变因造成参考电压VREF不稳定的情况排除，本专利技术可进一步以下述多个实施例来实现。偏压电路的另一实施例请参照图2，图2为根据本专利技术另一例示性实施例绘示的偏压电路的电路图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏压电路，其特征在于，该偏压电路包括：一第一晶体管，该第一晶体管的第一端用于耦接于一第一电压源；一第一电阻，该第一电阻的一端耦接于该第一晶体管的第二端，且该第一电阻的另一端耦接于该第一晶体管的控制端；一第二晶体管，该第二晶体管的第一端用于耦接于一第二电压源，且该第二晶体管的第二端耦接于该第一晶体管的控制端；以及一第二电阻，该第二电阻的一端耦接于该第一电阻的另一端，且该第二电阻的另一端耦接于该第二晶体管的控制端。

【技术特征摘要】
2017.03.24 TW 1061099561.一种偏压电路，其特征在于，该偏压电路包括：一第一晶体管，该第一晶体管的第一端用于耦接于一第一电压源；一第一电阻，该第一电阻的一端耦接于该第一晶体管的第二端，且该第一电阻的另一端耦接于该第一晶体管的控制端；一第二晶体管，该第二晶体管的第一端用于耦接于一第二电压源，且该第二晶体管的第二端耦接于该第一晶体管的控制端；以及一第二电阻，该第二电阻的一端耦接于该第一电阻的另一端，且该第二电阻的另一端耦接于该第二晶体管的控制端。2.如权利要求1所述的偏压电路，其特征在于，其中，当该第一晶体管与该第二晶体管分别由该第一电压源与该第二电压源导通后，一第一电流流经该第一晶体管，一第二电流流经该第二晶体管，且该第一电流流过该第一电阻，该第一电流与该第二电流共同流过该第二电阻，于该第一晶体管的第二端与该第一电阻的一端之间的一节点形成一参考电压，且根据该参考电压，一偏压电流由该第二晶体管的控制端与该第二电阻的另一端之间的节点提供至一负载。3.如权利要求2所述的偏压电路，其特征在于，其中于该第一晶体管与该第二晶体管分别由该第一电压源与该第二电压源导通后，当该第一电压源或该第二电压源变化时，该第一电流、该第二电流与该偏压电流维持不变。4.如权利要求2所述的偏压电路，其特征在于，其中该参考电压相关于该第一晶体管的控制端与第二端之间的压降，以及该第二晶体管的控制端与第二端之间的压降的和。5.如权利要求1所述的偏压电路，其特征在于，该偏压电路还包括：一第三晶体管，该第三晶体管的第一端用于耦接于一第三电压源，且该第三晶体管的第二端耦接于该第二晶体管的控制端；以及一第三电阻，该第三电阻的一端耦接于该第二电阻的另一端，且该第三电阻的另一端耦接于该第三晶体管的控制端；其中，当该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管分别由该第一电压源、该第二电压源与该第三电压源导通后，一第一电流流经该第一晶体管、一第二电流流经该第二晶体管，一第三电流流经该第三晶体管，且该第一电流流过该第一电阻，该第一电流与该第二电流共同流过该第二电阻，该第一电流、该第二电流与该第三电流共同流过该第三电阻，于该第一晶体管的第二端与该第一电阻的一端之间的一节点形成一参考电压，且根据该参考电压，一偏压电流由该第三晶体管的控制端与该第三电阻的另一端之间的节点提供至一负载。6.如权利要求5所述的偏压电路，其特征在于，其中于该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管分别由该第一电压源、该第二电压源与该第三电压源导通后，当该第一电压源、该第二电压源或该第三电压源变化时，该第一电流、该第二电流、该第三电流与该偏压电流维持不变。7.如权利要求5所述的偏压电路，其特征在于，其中该参考电压相关于该第一晶体管的控制端与第二端之间的压降、该第二晶体管的控制端与第二端之间的压降，以及该第三晶体管的控制端与第二端之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智圣，彭天云，林昭毅，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71