一种电流限基准产生电路及设定电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电流限基准产生电路及设定电路，包括芯片内电路和芯片外电路；所述芯片外电路包括电流限设定电路；所述芯片内电路包括使能电路、第一电流限基准产生电路和第二电流限基准产生电路；所述使能电路为选通电流限基准方案的使能电路；通过第一电流限基准产生电路钳位作用及比较作用，将电流镜像至第一电流限基准输出端及使能电路，当使能电路中的电流镜有电流时，关闭第二电流限基准产生电路，在应用条件需要可选的电流限设定方案时，可通过可编程的GPIO信号端口进行控制选择不同的电流限设定方案，同时使用较少GPIO端口且不使用片外的开关类结构，控制了成本。与传统的电流限设定方案相比，该实用新型专利技术在电流限设定可编程的同时，提供了低成本的解决方案。

【技术实现步骤摘要】
一种电流限基准产生电路及设定电路
本技术涉及一种电流限基准产生电路及设定电路，涉及集成电路领域。
技术介绍
当今集成电路技术中，电路保护机制是所有电源相关电路都有的一个重要功能，其中电流限制技术关系到整个电路能否安全运行等重要因素，具有重大影响，是目前广泛研究的问题。电流限制技术中，往往在不同的应用条件下，对电流限制的要求不同，因而常常需要可以自定义或可编程的电流限设定方案。电流限基准电流的产生，一般可通过一个固定的参考电压除以一个电阻得到。通过对这个电阻的改变或调整，即可得到不同电流限基准电流。但在实际工程应用中，电路中已设定好的电阻通常难以直接替换，故可通过可编程得到的通用输入输出GPIO信号对预设好的多路电阻进行选通。通过此类方式，可以根据不同的需要，得到不同的电流限基准，但实际应用中，GPIO信号端口的成本较高，在使用多个GPIO端口时尤其如此，同时，在芯片外部受GPIO信号控制用于选通的开关结构也需要一定成本。因此，传统的电流限设定方法要么只能提供单一电流限额，要么成本高昂。
技术实现思路
本技术提供了一种高效的电流限基准产生电路，具有只需要根据一路电流限选通控制信号，就能产生不同电流限，且便于通过可编程得到的通用输入输出GPIO信号对预设好的多路电阻进行选通的特征。本技术还提供了一种电流限设定电路，与上述电流限基准产生电路相配合，具有可编程，成本低，只需要一路电流限选通控制信号，就能够产生不同电流限的特征。根据本技术提供的一种电流限基准产生电路，其特征在于：包括使能电路、第一电流限基准产生电路和第二电流限基准产生电路；所述使能电路为选通电流限基准方案的使能电路；所述第一电流限基准产生电路包括第一电流镜电路、第一钳位电路、电流限选通控制信号输入端和第一电流限信号输出端；所述第一钳位电路包括第一运放OP1及第一NMOS管MN1；所述第一运放OP1的正相输入端接第一参考电压VREF1，反相输入端与第一NMOS管MN1的源极相连，且接至电流限选通控制信号输入端；所述第一电流镜电路用于将第一NMOS管MN1的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第一电流限信号输出端；所述使能电路包括镜像电流电路、偏置电流源电路和反相器；所述镜像电流电路与所述第一电流镜电路配合，得到第一镜像电路的镜像电流；所述偏置电源电路与镜像电流电路的电流输出端相连，且接偏置电压，产生偏置电流；所述反相器输入端接镜像电流电路的电流输出端；所述第二电流限基准产生电路包括电路使能端、第二电流镜电路、第二钳位电路和第二电流限信号输出端；所述电路使能端接所述反相器的输出端；所述第二钳位电路包括第二运放OP2及第三NMOS管MN3；所述第二运放OP2的正相输入端接第二参考电压VREF2，反相输入端与第三NMOS管MN3的源极相连，且通过第二电阻R2接地；所述第二电流镜电路用于将第三NMOS管MN3的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第二电流限信号输出端。所述偏置电流源电路包括第二NMOS管MN2，漏极与镜像电流电路的电流输出端相连，栅极接偏置电压Vbias，源极接地。所述第一电流镜电路包括第一PMOS管MP1和第三PMOS管MP3；所述第一PMOS管MP1的源极接电源VDD，漏极与栅极短接且分别连接至第一NMOS管MN1的漏极和第三PMOS管MP3的栅极；所述第三PMOS管MP3的源极接电源VDD，漏极接第一电流限信号输出端。所述镜像电流电路包括第二PMOS管MP2，源极接电源VDD，栅极接第一PMOS管MP1的栅极，漏极接镜像电流电路的电流输出端。所述第二电流镜电路包括第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5；所述第四PMOS管MP4的源极接电源VDD，漏极与栅极短接且分别连接至第三NMOS管MN3的漏极和第五PMOS管MP5的栅极；所述第五PMOS管MP5的源极接电源VDD，漏极接第二电流限信号输出端。所述使能电路、第一电流限基准产生电路和第二电流限基准产生电路全部设置于芯片内；所述芯片为集成电路芯片。一种电流限设定电路，与上述电流限基准产生电路相配合，其特征在于：包括第一电阻R1；所述第一电阻R1一端与GPIO信号控制端相连，另一端用于连接所述电流限选通控制信号输入端。所述电流限设定电路设置于芯片外，电流限基准产生电路设置于芯片内；所述芯片为集成电路芯片。与现有技术相比，本技术的有益效果是：在应用条件需要可选的电流限设定方案时，可通过可编程的GPIO信号端口进行控制选择不同的电流限设定方案，同时使用较少GPIO端口且不使用片外的开关类结构，控制了成本。与传统的电流限设定方案相比，该技术在电流限设定可编程的同时，提供了低成本的解决方案。附图说明图1为本技术电流限基准产生电路一实施例的原理结构示意图。图2为本技术第二电流限基准产生电路一实施例的原理结构示意图。图3为电流镜电路的一种实例。图4为电流镜电路的一种实例。图5为本技术电流限基准产生电路及与其配合的电流限设定电路一实施例的原理结构示意图。图6为电流限设定方案的一种传统结构的原理结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。根据本技术提供的一种电流限基准产生电路，如图1所示，包括使能电路3、第一电流限基准产生电路1和第二电流限基准产生电路2；所述使能电路3为选通电流限基准方案的使能电路；所述第一电流限基准产生电路1包括第一电流镜电路、第一钳位电路、电流限选通控制信号输入端和第一电流限信号输出端；所述第一钳位电路包括第一运放OP1及第一NMOS管MN1；所述第一运放OP1的正相输入端接第一参考电压VREF1，反相输入端与第一NMOS管MN1的源极相连，且接至电流限选通控制信号输入端；所述第一电流镜电路用于将第一NMOS管MN1的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第一电流限信号输出端；所述使能电路包括镜像电流电路、偏置电流源电路和反相器INV1；所述镜像电流电路与所述第一电流镜电路配合，得到第一镜像电路的镜像电流；所述偏置电源电路与镜像电流电路的电流输出端相连，且接偏置电压，产生偏置电流；所述反相器输入端接镜像电流电路的电流输出端；如图2所示，所述第二电流限基准产生电路包括电路使能端Ven（该信号智能让该部分电路使能或关断，不限于电路内容的特定位置）、第二电流镜电路、第二钳位电路和第二电流限信号输出端；所述电路使能端接所述反相器的输出端；所述第二钳位电路包括第二运放OP2及第三NMOS管MN3；所述第二运放OP2的正相输入端接第二参考电压VREF2，反相输入端与第三NMOS管MN3的源极相连，且通过第二电阻R2接地；所述第二电流镜电路用于将第三NMOS管MN3的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第二电流限信号输出端。第一NMOS管MN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流限基准产生电路，其特征在于：包括使能电路、第一电流限基准产生电路和第二电流限基准产生电路；所述使能电路为选通电流限基准方案的使能电路；所述第一电流限基准产生电路包括第一电流镜电路、第一钳位电路、电流限选通控制信号输入端和第一电流限信号输出端；所述第一钳位电路包括第一运放OP1及第一NMOS管MN1；所述第一运放OP1的正相输入端接第一参考电压VREF1，反相输入端与第一NMOS管MN1的源极相连，且接至电流限选通控制信号输入端；所述第一电流镜电路用于将第一NMOS管MN1的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第一电流限信号输出端；所述使能电路包括镜像电流电路、偏置电流源电路和反相器；所述镜像电流电路与所述第一电流镜电路配合，得到第一镜像电路的镜像电流；所述偏置电流源电路与镜像电流电路的电流输出端相连，且接偏置电压，产生偏置电流；所述反相器输入端接镜像电流电路的电流输出端；所述第二电流限基准产生电路包括电路使能端、第二电流镜电路、第二钳位电路和第二电流限信号输出端；所述电路使能端接所述反相器的输出端；所述第二钳位电路包括第二运放OP2及第三NMOS管MN3；所述第二运放OP2的正相输入端接第二参考电压VREF2，反相输入端与第三NMOS管MN3的源极相连，且通过第二电阻R2接地；所述第二电流镜电路用于将第三NMOS管MN3的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第二电流限信号输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种电流限基准产生电路，其特征在于：包括使能电路、第一电流限基准产生电路和第二电流限基准产生电路；所述使能电路为选通电流限基准方案的使能电路；所述第一电流限基准产生电路包括第一电流镜电路、第一钳位电路、电流限选通控制信号输入端和第一电流限信号输出端；所述第一钳位电路包括第一运放OP1及第一NMOS管MN1；所述第一运放OP1的正相输入端接第一参考电压VREF1，反相输入端与第一NMOS管MN1的源极相连，且接至电流限选通控制信号输入端；所述第一电流镜电路用于将第一NMOS管MN1的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第一电流限信号输出端；所述使能电路包括镜像电流电路、偏置电流源电路和反相器；所述镜像电流电路与所述第一电流镜电路配合，得到第一镜像电路的镜像电流；所述偏置电流源电路与镜像电流电路的电流输出端相连，且接偏置电压，产生偏置电流；所述反相器输入端接镜像电流电路的电流输出端；所述第二电流限基准产生电路包括电路使能端、第二电流镜电路、第二钳位电路和第二电流限信号输出端；所述电路使能端接所述反相器的输出端；所述第二钳位电路包括第二运放OP2及第三NMOS管MN3；所述第二运放OP2的正相输入端接第二参考电压VREF2，反相输入端与第三NMOS管MN3的源极相连，且通过第二电阻R2接地；所述第二电流镜电路用于将第三NMOS管MN3的漏端电流镜像至镜像电流输出端；所述镜像电流输出端包括第二电流限信号输出端。2.根据权利要求1所述的电流限基准产生电路，其特征在于：所述偏置电流源电路包括第二NMOS管MN2，漏极与镜像电流电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周江云，李伊珂，刘天涯，
申请(专利权)人：成都英特格灵微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51