The utility model discloses a device for abnormal data writing of a protection chip during power up and down, including a power supply E, a RST chip U1, a switch tube T1, a switch tube T2, a RST chip U2, a MCU, a flash memory U4, a FRAM memory U5, and a logic chip U6. The beneficial effects of the device are: 1. data storage and the supply of a logic chip U6. The power supply is controlled, and the working power supply of the system is not directly used, thus avoiding the gradual change process when the power supply is switched on and off, thus avoiding the abnormal incidents when the system is switched on and off. 2. Using special reset chip or voltage monitor chip as control signal, the synchronization between controlled power supply and system can be guaranteed, and the error of data loss and abnormal writing will not occur. 3. Controlled power supply circuit is simple, easy to implement and integrate. 4, change the traditional power supply to a controlled source to improve the reliability of the system.
【技术实现步骤摘要】
一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置
本技术涉及芯片
,具体是一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置。
技术介绍
3.3V电源上下电波形图1-2所示,从图一和图二可以看出电源上电和下电的时间分别为100us和大于2ms.于是问题就来了,下面以运动控制行业常用的掉电存储(FRAM)芯片进行说明:ROMTRON的FRAM(FM28V020)(铁电存储器)正常工作电压范围是:2.0V~3.6V,也就是说,系统电源在上电或下电过程中低于并且临近2.0V时,FRAM处于非正常受控状态。这种状态下,FRAM内部数据可能会被改写。另外一种可能导致FRAM异常写入数据的情况是FRAM仍处于正常工作状态,但CPU的控制信号写和片选同时有效导致总线上的数据异常写入FRAM从而破坏正常的数据。要实现对FRAM写,只需要片选和写控制信号同时为低电平即可,FRAM写入数据的时序图如下图3。从图3可以看出,FRAM写操作时序是比较容易满足的,这也就是FRAM内数据容易被破坏的原因,尤其是在系统下电的时候。为什么说在系统断电的时候数据更容易被破坏呢?从图1和图2可以看出,系统下电的时间比上电的时间要长的多,而铁电的读写速度是非常快的,读写周期为1014,如此快的读写速度,在上下电时只要FRAM满足写时序,内部数据都存在被改写的可能。为什么说在上下电的时候这种情况容易出现呢?因为系统在上下电期间,程序处于未运行或未正常运行状态,这个时候总线上的数据为随机数据,是一个不受控的数据,在这种情况下一旦FRAM满足了写时序要求,内存的数据就会被破坏。MRAM与FRAM的读写时序一 ...
【技术保护点】
1.一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置,包括电源E、RST芯片U1、开关管T1、开关管T2、RST芯片U2、MCU、flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,其特征在于,所述电源E分别给RST芯片U1、开关管T1的漏极、开关管T2的漏极、RST芯片U2和MCU供电,MCU分别连接flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,RST芯片U2还通过电阻连接开关管T2的栅极,开关管T2的源极连接flash存储器U4。
【技术特征摘要】
1.一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置,包括电源E、RST芯片U1、开关管T1、开关管T2、RST芯片U2、MCU、flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,其特征在于,所述电源E分别给RST芯片U1、开关管T1的漏极、开关管T2的漏极、RST芯片U2和MCU供电,MCU分别连接flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6,RST芯片U2还通过电阻连接开关管...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋元应,
申请(专利权)人:深圳市正合智能控制技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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