X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器技术

本发明专利技术提供了一种X‑ray探测器阵列基板及其制作方法、X‑ray探测器，涉及探测器技术领域，能够有效避免过刻问题。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管以及接收电极；形成第一钝化层；形成第一过孔和第二过孔；形成光电转换层；对光电转换层进行刻蚀，保留第二过孔对应区域的光电转换层，保留第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；对树脂层和第二钝化层进行刻蚀，在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出第一导电层。该阵列基板的制作方法主要用于X‑ray探测器的制造过程中避免过刻问题。

【技术实现步骤摘要】
X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器
本专利技术涉及探测器
，尤其涉及一种X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器。
技术介绍
随着社会的发展和科学技术的不断进步，X-ray探测器在医学影像等领域中逐步得到广泛应用，其中，阵列基板是X-ray探测器的重要元件之一。目前，X-ray探测器的阵列基板在制作过程中，如图1所示，形成窗口过孔时，A处会有较长时间的过刻，致使容易出现过刻问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器，能够有效避免过刻问题。为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案：一方面，本专利技术实施例提供一种X-ray探测器阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极；在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层；在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔，对应于所述接收电极的区域形成第二过孔；在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层，使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层；对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层；在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层；对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀，在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出所述第一导电层。具体地，对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，包括：在所述光电转换层上形成覆盖整个所述衬底基板的等厚度的光刻胶，通过半色调掩膜曝光工艺，在所述第一过孔对应区域形成第一厚度的光刻胶，在所述第二过孔对应区域形成第二厚度的光刻胶，所述第二厚度大于所述第一厚度，去除其他区域的光刻胶；以所述第一厚度的光刻胶和所述第二厚度的光刻胶形成的窗口为掩模，对所述光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，刻蚀预设厚度后停止刻蚀；通过灰化方式去除所述第一厚度的光刻胶，保留所述第二厚度的光刻胶；以相同的刻蚀速率对所述第二过孔区域之外的光电转换层进行刻蚀，完全刻蚀掉所述薄膜晶体管上的光电转换层，保留所述第一过孔内的光电转换层的部分膜层。具体地，所述预设厚度为所述光电转换层厚度的1/3。进一步地，上述的阵列基板的制作方法还包括：在所述第二钝化层上形成第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过所述第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过所述第四过孔与所述第一导电层连接；形成第三钝化层，使所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖所述衬底基板；通过过孔刻蚀在所述第三钝化层上形成第五过孔，所述第五过孔贯穿至所述遮挡电极；形成第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。具体地，所述在所述第一钝化层上形成光电转换层，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层，具体为：在所述第一钝化层上依次形成N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述N型非晶硅。另一方面，本专利技术实施例提供一种X-ray探测器阵列基板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管和接收电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线；第一钝化层，设置于所述衬底基板上，且覆盖于所述薄膜晶体管和所述衬底基板，所述第一钝化层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应于所述第一数据线的区域，所述第二过孔对应于所述接收电极的区域；光电转换层的全部膜层部分和光电转换层的部分膜层部分，所述光电转换层的部分膜层部分设置于所述第一过孔内，所述光电转换层的全部膜层部分设置于所述第二过孔内；第一导电层，设置于所述光电转换层的全部膜层部分远离所述接收电极的一侧；树脂层和第二钝化层，所述树脂层设置于所述第一钝化层和所述第一导电层上，所述第二钝化层设置于所述树脂层上，所述第二钝化层上设置有第三过孔和第四过孔，所述第三过孔和所述第四过孔分别从所述第二钝化层贯穿至所述光电转换层的部分膜层部分和所述第一导电层。进一步地，上述的X-ray探测器阵列基板还包括：设置于所述第二钝化层上的第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过所述第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过所述第四过孔与所述第一导电层连接；第三钝化层，所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖于所述衬底基板，所述第三钝化层上设置有第五过孔；第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。具体地，所述光电转换层的全部膜层部分包括依次设置的N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅；所述光电转换层的部分膜层部分为N型非晶硅。具体地，所述树脂层通过树脂粘附层粘附于所述第一钝化层和所述第一导电层上。另一方面，本专利技术实施例提供一种X-ray探测器，包括：上述的X-ray探测器阵列基板。另一方面，本专利技术实施例提供一种X-ray探测器，采用上述的X-ray探测器阵列基板的制作方法制作而成。本专利技术实施例提供的一种X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器，通过在位于第一数据线上方的第一过孔内存留光电转换层的部分膜层部分，以使在刻蚀第三过孔和第四过孔时，光电转换层的部分膜层部分能够避免过刻致使损坏第一数据线以及在刻蚀过程中第一数据线受到腐蚀，实现过孔刻蚀的均一化，并且在刻蚀第一过孔和第二过孔，以及在刻蚀第三过孔和第四过孔时，均刻蚀相同的膜层，因此刻蚀速率相同，能够较好地控制刻蚀深度，相比现有技术中刻蚀膜层不同，刻蚀速率不同而导致第一数据线由于过刻形成倒角结构，使得通过过孔处的电连接会断线，本专利技术实施例有效实现了避免因过刻导致的上述倒角和连接问题。附图说明图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中形成薄膜晶体管后的截面示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中形成薄膜晶体管后的平面示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中第一钝化层上形成第一过孔和第二过孔后的截面示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中形成光电转换层后的截面示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中刻蚀掉光电转换层预设部分后的截面示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中形成第三过孔和第四过孔后的截面示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中形成第三过孔和第四过孔后的平面示意图；图10为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程图；图11为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中形成第一光刻胶和第二光刻胶后的截面示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中刻蚀掉光电转换层预设厚度后的截面示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种阵列基板中灰化掉第一光刻胶后的截面示意图；图14为本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X‑ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极；在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层；在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔，对应于所述接收电极的区域形成第二过孔；在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层，使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层；对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层；在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层；对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀，在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出所述第一导电层。

【技术特征摘要】
1.一种X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极；在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层；在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔，对应于所述接收电极的区域形成第二过孔；在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层，使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层；对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层；在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层；对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀，在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出所述第一导电层。2.根据权利要求1所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，包括：在所述光电转换层上形成覆盖整个所述衬底基板的等厚度的光刻胶，通过半色调掩膜曝光工艺，在所述第一过孔对应区域形成第一厚度的光刻胶，在所述第二过孔对应区域形成第二厚度的光刻胶，所述第二厚度大于所述第一厚度，去除其他区域的光刻胶；以所述第一厚度的光刻胶和所述第二厚度的光刻胶形成的窗口为掩模，对所述光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，刻蚀预设厚度后停止刻蚀；通过灰化方式去除所述第一厚度的光刻胶，保留所述第二厚度的光刻胶；以相同的刻蚀速率对所述第二过孔区域之外的光电转换层进行刻蚀，完全刻蚀掉所述薄膜晶体管上的光电转换层，保留所述第一过孔内的光电转换层的部分膜层。3.根据权利要求2所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预设厚度为所述光电转换层厚度的1/3。4.根据权利要求1至3中任一项所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第二钝化层上形成第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过所述第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过所述第四过孔与所述第一导电层连接；形成第三钝化层，使所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖所述衬底基板；通过过孔刻蚀在所述第三钝化层上形成第五过孔，所述第五过孔贯穿至所述遮挡电极；形...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，毛利军，李田生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11